• 한국재료학회지
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• 제5권7호
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• pp.765-774
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• 1995

입자강화 알루미늄 복합재료의 고온거동을 조사하기위하여, 온도 623K~823K에서 $10^{-2}$ ~1.0 S$^{-1}$ 변형속도로 열간 압축 가공 시험을 행하여 복합재의 고온유동응력에 미치는 강화입자의 첨가량, 강화입자의 종류 및 크기와 변형속도 및 변형온도 등의 영향을 조사하였다. 강화입자의 체적분율이 증가함에 따라서 고온유동음력은 증가하였으나 항복점에서의 차이가 변형량이 증가되어도 그대로 유지되고 있었다. 변형속도 민감도(m)로 볼때 SiCp첨가된 복합재가 A1$_2$O$_3$p를 첨가한 복합재보다 비교적 균일하게 가공할 수 있음을 알 수 있었으며, 823K에서 최적변형속도는 0.1Sec$^{-1}$ 이었다. 변형에 필요한 활성화 에너지는 A6061기지금속이 290KJmole$^{-1}$, A6061-20vo1% SiCp = 327KJmo1e$^{-1}$, A6061-20vo1% $Al_2$O$_3$= 531KJmole$^{-1}$이었다. 이것은 알루미늄의 자기활성화에너지 138KJmo1e$^{-1}$보다 큰 값으로 A1$_2$O$_3$강화복합재료가 SiCp 강화 복합재료보다 열간가공이 어렵다는 것을 나타내는 것이다.

• Nuclear Engineering and Technology
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• 제56권3호
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• pp.812-818
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• 2024

The volume and toxicity of radioactive waste can be decreased by separating the components of high-level liquid waste according to their properties. An impregnated silica-based adsorbent was prepared in this study by combining N,N,N',N',N",N"-hexa-n-octylnitrilotriacetamide (HONTA) extractant, N',N'-di-n-hexyl-thiodiglycolamide (Crea) extractant, and macroporous silica polymer composite particles (SiO₂-P). The performance of platinum-group metals adsorption and separation on prepared (HONTA + Crea)/SiO₂-P adsorbent was then assessed together with that of co-existing metal ions by batch-adsorption and chromatographic separation studies. From the batch-adsorption experiment results, (HONTA + Crea)/SiO₂-P adsorbent showed high adsorption performance of Pd(II) owing to an affinity between Pd(II) and Crea extractant based on the Hard and Soft Acids and Bases theory. Additionally, significant adsorption performance was observed toward Zr(IV) and Mo(VI). Compared with studies using the Crea extractant, the high adsorption performance of Zr(IV) and Mo(VI) is attributed to the HONTA extractant. As revealed from the chromatographic experiment results, most of Pd(II) was recovered from the feed solution using 0.2 M thiourea in 0.1 M HNO₃. Additionally, the possibility of recovery of Zr(IV), Mo(VI), and Re(VII) was observed using the (HONTA + Crea)/SiO₂-P adsorbent.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2017년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.94.1-94.1
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• 2017

최근 공구산업은 산업 발전으로 특수합금들이 발달하면서 이를 가공할 수 있는 새로운 절삭공구소재들이 개발되어 지고 있다. 또한 공구소재보다 코팅개발이 상대적으로 더욱 효과적이기 때문에 코팅 기술 개발이 활발히 진행되고 있다. 최근 일본에서는 새로운 코팅층 물질 개발보다는 기존의 코팅물질을 조합하거나 개량하여 성능을 향상시키는 추세이다. 또한 다기능 절삭 공구를 지속적으로 사용하는 추세에 따라 공구설계의 새로운 솔루션이 요구된다. 예를 들어 TiN 코팅과 추가 요소를 합금하면 효과적인 경도, 내마모성 등을 향상시키며, TiAlN, TiSiN 등을 예로 들 수 있다. 반면, 기존 TiN에 Mo가 첨가된 TiMoN 박막은 특성화하기 위한 노력이 매우 제한적이었다. Mo가 함유된 코팅층의 특징은 낮은 마찰 계수를 갖는다. 이는 Mo이 공기중의 산소와 반응하여 MoO3를 형성하기 때문이다. 본 연구에서는 TiMo합금 타겟을 음극 아크 증착공정을 이용하여 기초실험을 진행하고 분석평가를 진행하였다. 공정조건은 본 실험실에서 도출한 TiN의 기본공정조건을 바탕으로 기초실험을 진행하였으며, 시편은 스테인리스 강판(SUS304)을 사용하였다. 기초분석은 SEM, EDS, XRD, 초미소경도를 이용하였다. 처음 TiMo합금 타겟을 이용하여 기초실험과 분석을 진행한 결과 TiN과 비슷할 것으로 예상한 것과는 다른 결과가 관찰되었으며, 최적화 된 공정도출을 위한 향후 실험을 계획중이다.

• ETRI Journal
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• 제24권4호
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• pp.290-298
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• 2002

We present, for the first time, a prototype active-matrix field emission display (AMFED) in which an amorphous silicon thin-film transistor (a-Si TFT) and a molybdenum-tip field emitter array (Mo-tip FEA) were monolithically integrated on a glass substrate for a novel active-matrix cathode (AMC) plate. The fabricated AMFED showed good display images with a low-voltage scan and data signals irrespective of a high voltage for field emissions. We introduced a light shield layer of metal into our AMC to reduce the photo leakage and back channel currents of the a-Si TFT. We designed the light shield to act as a focusing grid to focus emitted electron beams from the AMC onto the corresponding anode pixel. The thin film depositions in the a-Si TFTs were performed at a high temperature of above 360°C to guarantee the vacuum packaging of the AMC and anode plates. We also developed a novel wet etching process for $n^+-doped$ a-Si etching with high etch selectivity to intrinsic a-Si and used it in the fabrication of an inverted stagger TFT with a very thin active layer. The developed a-Si TFTs performed well enough to be used as control devices for AMCs. The gate bias of the a-Si TFTs well controlled the field emission currents of the AMC plates. The AMFED with these AMC plates showed low-voltage matrix addressing, good stability and reliability of field emission, and good light emissions from the anode plate with phosphors.

• 한국산학기술학회:학술대회논문집
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• 한국산학기술학회 2001년도 춘계학술대회 발표논문집
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• pp.287-289
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• 2001

The morphology of silica supported MoO$_3$ catalysts, which was prepared by impregnation of ammonium heptamolybdate with various weight loadings up to 35 wt%, was studied using x-ray diffraction. In addition to the orthorhombic phase, the behavior of the rarely studied hexagonal phase was characterized. For high loading catalysts, excess ammonium ions present in the monoclinic and triclinic precursors are capable of occupying interstitial sites of microcrystalline MoO$_3$ during moderate temperature calcinations and in doing so enhance the MoO$_3$-SiO$_2$ interaction. This results in a "well dispersed" morphology at high loadings. Sintering at high temperature is due to loss of ammonium from the oxide framework. Ammonia reimpregnation, which leads back to the well dispersed hexagonal phase, may offer a simple regeneration process for spent Mo containing catalysts.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제19권11호
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• pp.1211-1216
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• 1998

Bis(diethyldithiocarbamato)ioxomolybdenum(VI), cis-MoO2(S2CNEt2)2, 1, reacted with chlorotrimethylsilane (Me33SiCl) to give a seven-coordinate, pentagonal bipyramidal complex MoOC12(S2CN]Et2)2, 3, in which the oxo ligand is trans to the chloride ligand and the two chloride ligands are mutually cis. The monooxo molybdenum complex bis(diethyidithiocarbamato)oxomolybdenum(IV), MoO(S2CNEt2)2, 2, reacted with phenyl isocyanate (PhNCO) to give an Mo dimer MO2{μ-N(CONPh)Ph}(μ-NPh)(NPh)2(S2CNEt2)2, 4, which contains an Mo-Mo bond, two diethyldithiocarbamato ligands, two terminal imido (NPh) ligands, and two bridging hnido (NPh) ligands. One of the two bridging NPh ligands seemed to have been attacked by the electrophilic phenyl isocyanate carbon, which suggests that the bridging imido NPh ligand is more nucleophilic than the terminal one. Crystallographic data for 3: monoclinic space group P21/c, a=8.908(l) Å, b=17.509(3) Å, c=12.683(2) Å, β=110.15(1)°, Z=4, R(wR2)=0.0611(0.1385). Crystallographic data for 4-THF: orthorhombic space group P212121, a=17.932(4) Å, b=22.715(5) Å, c=11.802(3) Å, Z=4, R(wR2)=0.0585(0.1286).

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제22권3호
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• pp.46-51
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• 2023

We investigated the MoS₂ thin film layer by thermolytic deposition and applied it to the silicon solar cells. MoS₂ thin films were made by two methods of dipping and spin coating of (NH₄)₂MoS₄ precursor solution. We implemented two types of substrates of microtextured and nano-microtextured 6-in. Si pn junction wafers. The fabricated MoS₂ thin film layer was analyzed, and solar cells were fabricated by applying the standard silicon solar cell process. The MoS₂ thin film layer of sulfur-deficient form was deposited on the n-type emitter layer, and electrons, which are minority carriers, were well transported at the interface and exhibited photovoltaic solar cell characteristics. The cell efficiencies were achieved at 5% for microtextured wafers and 2.56% for nano-microtextured wafers.

• 대한전자공학회논문지
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• 제14권1호
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• pp.15-22
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• 1977

자색광에 민감한 태양전지연구의 일환으로 우선 이러한 성질을 띤 광전지를 얻게 되었다. 이 광전지는 SnO2-SiO2-SiMOS와 Si n-p 동질접합이 결합된 구조로 되어 있다. 광전출력(0.25V, 150㎂)이 적어서 태양전지용은 못되지만 Si p-n 동질접합으로 된 태양전지에 비해서 분광감도가 자와선대쪽으로 이동되어 있고 switching 속도도 상당히 큰 고로 종래의 Si 광전지보다 더많은 새로운 용도를 찾아낼 수 있을 것으로 기대되고 있다.

• 한국표면공학회지
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• 제37권6호
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• pp.319-325
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• 2004

Fe thin films containing Si particles were prepared on metallic substrates by electrodeposition method in sulfate solutions and the content of codeposited Si particles in the films was investigated as a function of applied current density, the content of Si particels in the solution, solution pH, solution temperature and concentration of $FeSO_4$$7H_2$O in the solution. The amount of Si codeposited in the film was not dependent on the applied current density, solution pH and solution temperature, while it was dependent on the content of Si particles in the solution and the concentration of $FeSO_4$$7H_2$O in the solution. The amount of Si codeposited in the film increased with increasing content of Si particles in the solution but reached a maximum value of about 6 wt% when the content of Si particles in the solution exceeds 100 g/l. On the other hand, the content of Si codeposited in the film increased up to about 17 wt% with decreasing concentration of $FeSO_4$$7H_2$O in the solution. These results would be applied to the fabrication of very thin Fe-6.5 wt% Si sheets for electrical applications.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.438-439
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• 2013

Microelectronic devices의 접촉저항의 향상을 위해 Metal silicides의 형성 mechanism과 전기적 특성에 대한 연구가 많이 이루어지고 있다. 지난 수십년에 걸쳐, Ti silicide, Co silicide, Ni silicide 등에 대한 개발이 이루어져 왔으나, 계속적인 저저항 접촉 소재에 대한 요구에 의해 최근에는 Rare earth silicide에 관한 연구가 시작되고 있다. Rare-earth silicide는 저온에서 silicides를 형성하고, n-type Si과 낮은 schottky barrier contact (~0.3 eV)를 이룬다. 또한, 비교적 낮은 resistivity와 hexagonal AlB2 crystal structure에 의해 Si과 좋은 lattice match를 가져 Si wafer에서 high quality silicide thin film을 성장시킬 수 있다. Rare earth silicides 중에서 ytterbium silicide는 가장 낮은 electric work function을 갖고 있어 낮은 schottky barrier 응용에서 쓰이고 있다. 이로 인해, n-channel schottky barrier MOSFETs의 source/drain으로써 주목받고 있다. 특히 ytterbium과 molybdenum co-deposition을 하여 증착할 경우 thin film 형성에 있어 안정적인 morphology를 나타낸다. 또한, ytterbium silicide와 마찬가지로 낮은 면저항과 electric work function을 갖는다. 그러나 ytterbium silicide에 molybdenum을 화합물로써 높은 농도로 포함할 경우 높은 schottky barrier를 형성하고 epitaxial growth를 방해하여 silicide film의 quality 저하를 야기할 수 있다. 본 연구에서는 ytterbium과 molybdenum의 co-deposition에 따른 silicide 형성과 전기적 특성 변화에 대한 자세한 분석을 TEM, 4-probe point 등의 다양한 분석 도구를 이용하여 진행하였다. Ytterbium과 molybdenum을 co-deposition하기 위하여 기판으로 $1{\sim}0{\Omega}{\cdot}cm$의 비저항을 갖는 low doped n-type Si (100) bulk wafer를 사용하였다. Native oxide layer를 제거하기 위해 1%의 hydrofluoric (HF) acid solution에 wafer를 세정하였다. 그리고 고진공에서 RF sputtering 법을 이용하여 Ytterbium과 molybdenum을 동시에 증착하였다. RE metal의 경우 oxygen과 높은 반응성을 가지므로 oxidation을 막기 위해 그 위에 capping layer로 100 nm 두께의 TiN을 증착하였다. 증착 후, 진공 분위기에서 rapid thermal anneal(RTA)을 이용하여 $300{\sim}700^{\circ}C$에서 각각 1분간 열처리하여 ytterbium silicides를 형성하였다. 전기적 특성 평가를 위한 sheet resistance 측정은 4-point probe를 사용하였고, Mo doped ytterbium silicide와 Si interface의 atomic scale의 미세 구조를 통한 Mo doped ytterbium silicide의 형성 mechanism 분석을 위하여 trasmission electron microscopy (JEM-2100F)를 이용하였다.