• 대한화학회지
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• 제39권1호
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• pp.47-56
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• 1995

세자리 Schiff base의 몰리브네늄(V) 착물로써 $[Mo(Ⅴ)_2O(SOHB)_4],\; [Mo(Ⅴ)_2O_3(SOIP)_2(NCS)_2]$ 및 $ [Mo(Ⅴ)_2O_3(SOTB)_2(H_20)_2]$ (SOHB: Salicylidene-o-imino hydroxybenzene, SOIP; Salicylidene-o-imino pyridine, SOTB; Salicylidene-o-imino thiolbenzene)들을 합성하였다. 이들 착물들의 원소분석과 금속정량, IR, UV-visible spectrum 및 열무게분석(TGA)으로부터 금속과 리간드의 몰비가 1:1 및 1:2 착물임을 확인하였다. 0.1 M tetraethylammonium perchlorate (TEAP) 지지전해질을 포함한 비수용매에서 순환 전압-전류법과 시차펄스 폴라로그래피에 의한 전기화학적 측정으로부터 이들 착물들은 일전자 전이의 확산지배적인 환원과정이 다음과 같이 진행됨을 알았다. Mo(Ⅴ)Mo(Ⅴ)e-→ Mo(Ⅴ)Mo(Ⅳ)e-→Mo(Ⅳ)Mo(Ⅳ)e-→Mo(Ⅳ)Mo(Ⅲ).

• 한국세라믹학회지
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• 제25권3호
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• pp.201-206
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• 1988

Mo 입자의 첨가가 Al_2O_3$ 세라믹스의 미세구조와 기계적 성질에 미치는 영향을 알아보기 위하여 평균입경이 2-micron인 Mo와 6-micron인 Mo를 Al_2O_3$에 각 분산시켜 1$600^{\circ}C$, $H_2$ 분위기에서 5시간 소결하였다. Mo는 Al_2O_3$의 입자성장을 억제시켰으며 Mo의 입자가 작을 때 그 효과는 크게 나타났다. 2-micron Mo를 분산한 경우 꺽임강도와 파괴인성은 크게 증가하여하였으며, 6-micron Mo를 분산한 경우 강도는 증가하지 않았으나 파괴인성은 다소 증가하였다. Al_2O_3$-Mo계의 인성증진기구는 균열편향에 의한 파단면의 증가와 미세균열에 의한 균열전파에너지의 분산에 의한 것으로 보인다.

• 한국진공학회지
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• 제21권3호
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• pp.142-150
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• 2012

CIGS 박막 태양전지 기판소재인 소다라임유리 표면에 플라즈마 전처리 후 DC 마그네트론 스퍼터링 방법으로 Mo 박막을 제조하였다. 증착압력과 증착시간 변화에 따른 Mo 박막의 물리적, 전기적 특성을 분석하였고, 셀렌화 처리 조건에 따른 $MoSe_2$ 생성 여부와 경향성을 연구하였으며, Mo 박막 두께에 따른 AZO/i-ZnO/CdS/CIGS/Mo/SLG 구조의 태양전지를 제조하여 그 특성을 분석 및 평가하였다. 증착압력이 4.9 mTorr에서 1.3 mTorr로 감소할수록 치밀하고 결정입자 사이의 공극이 적고, 증착속도가 감소하고 전기저항도가 낮은 Mo 박막이 증착되었다. 증착온도가 상온에서 $200^{\circ}C$로 증가할수록 Mo 박막은 치밀한 구조를 가지고 결정성은 향상되어 면저항이 낮게 나타났다. 셀렌화 시간이 길어질수록 Mo 박막 층은 줄어들고, $MoSe_2$ 층 생성두께가 커지는 것을 알 수 있었고, 열처리로 인해 결정화 되면서 전체 박막의 두께가 줄어들었으며, $MoSe_2$ 층의 배양성은 c축이 Mo 표면과 수직 방향으로 성장된 것을 알 수 있었다. Mo 박막의 두께가 1.2 ${\mu}m$와 0.6 ${\mu}m$인 AZO/i-ZnO/CdS/CIGS/Mo/SLG 구조로 이루어진 CIGS 박막 태양전지를 제조하였다. Mo 박막의 두께가 1.2 ${\mu}m$일 때 보다 0.6 ${\mu}m$일 때 CIGS 박막 태양전지의 변환 효율은 9.46%로 비교적 우수한 특성을 나타났다. CIGS 박막 태양전지에서 하부전극인 Mo 박막 특성은 유리기판 및 광흡수 층과의 계면 형성 따라 큰 영향을 미친다는 것을 알 수 있었고, 유리기판의 플라즈마 처리와 Mo 박막의 두께조절로 Na 효과 및 $MoSe_2$층 형성 제어함으로써 CIGS 박막 태양전지의 특성 개선에 효과를 가질 수 있었다.

• 한국표면공학회지
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• 제29권6호
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• pp.683-690
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• 1996

In this study, the diffusion barrier properties of $1000 \AA$ thick molybdenum compounds (Mo, Mo-N, $MoSi_2$, Mo-Si-N) were investigated using sheet resistance measurements, X-ray diffraction (XRD), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), Scanning electron microscopy (SEM), and Rutherford backscattering spectrometry (RBS). Each barrier material was deposited by the dc magnetron sputtering, and annealed at 300-$800^{\circ}C$ for 30min in vacuum. Mo and $MoSi_2$ barrier were failed at low temperature due to Cu diffusion through grain bound-aries and defects of Mo thin film and the reaction of Cu with Si within $MoSi_2$ respectively. A failure temperature could be raised to $650^{\circ}C$-30min in the Mo barrier system and to $700^{\circ}C$-30min in the Mo-silicide system by replacing Mo and $MoSi_2$ with Mo-N and Mo-Si-N, respectively. The crystallization temperature in the Mo-silicide film was raised by the addition of $N_2$. It is considered that not only the N, stuffing effect but also the variation of crystallization temperature affects the reaction of Cu with Si within Mo-silicide. It was found that Mo-Si-N is more effective barrier than Mo, $MoSi_2$, or Mo-N to copper penetration preventing Cu reaction with the substrate for 30min at a temperature higher than $650^{\circ}C$.

• 한국분말재료학회지
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• 제4권3호
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• pp.179-187
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• 1997

Milling media of steel and zirconia were used to produce $MoSi_2$ by mechanical alloying (MA) of Mo and Si powders. The effect of milling media on MA of Mo-65.8at%Si powder mixture has been investigated by SEM, XRD, DTh and in-situ thermal analysis. The powders mechanically alloyed by milling medium of steel for 8 hours showed the structure of fine mixture of Mo and Si, and those mechanically alloyed by milling medium of zirconia for longer milling time showed the structure of fine mixture of Mo and Si. The tetragonal $\alpha$-$MoSi_2$ Phase and the tetragonal $Mo_5Si_3$ phase appeared with small Mo peaks in the powders milled by milling medium of steel for 4 and 8 hours. The $\alpha$-$MoSi_2$ phase and the hexagonal $\beta$-$MoSi_2$ phase were formed after longer milling time. The $\alpha$-$MoSi_2$ phase appeared with large Mo peaks in the powders milled by milling medium of zirconia for 4 hours. The phases, $\alpha$-$MoSi_2$ and $\beta$-$MoSi_2$. were formed in the powders milled for longer milling time. DTA and annealing results showed that Mo and Si were transformed into $\alpha$-$MoSi_2$ and $Mo_5Si_3$, while $\beta$-$MoSi_2$ into $\alpha$-$MoSi_2$. In-situ thermal analysis results demonstrated that there were a sudden temperature rise at 212 min and a gradual increase in temperature in case of milling media of steel and zirconia, respectively. The results indicate that MA can be influenced by materials of milling medium which can give either impact energy on powders or thermal energy accumulated in vial.

• Tribology and Lubricants
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• 제16권3호
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• pp.223-230
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• 2000

Molybdenum dialkyl dithiophosphate(MoDTP) 마찰특성을 이원통 마찰시험기에 의한 마찰실험 및 X-선광전자분광분석기를 이용하여 마찰표면을 분석함으로써 MoDTP의 마찰감소 작용에 대해 고찰하였다 MoDTP의 마찰감소작용은 마찰표면에 생성하는 MoS$_2$에 의존하였다. 몰리브덴(Mo)이 용이하게 금속내부로 확산하는 질소분위기 중에서는 MoDTP의 마찰감소 특성은 나타나지 않았으며, 금속표면에 산화피막이 존재할 때 MoDTP의 마찰감소작용이 잘 나타남을 알 수 있었다

• Nuclear Engineering and Technology
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• 제56권7호
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• pp.2625-2632
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• 2024

In this study, we investigated the possibility of employing accident tolerant fuel (ATF) in VVER-1200/V491 assembly without gadolinium-containing fuel rods using the Monte Carlo code Serpent 1.1.7 with ENDF/B-VII cross-section library. The analysis involves assembly design with reflective boundary conditions. To compare the neutronic performances, U-5Mo, U-7.5Mo, U-10Mo, and U-15Mo fuels were chosen in addition to ordinary UO₂ fuel. The concentration of ¹³⁵Xe, ¹⁴⁹Sm, fissile and fertile isotopes with burnup, reactivity feedback with fuel temperature variation, and β eff values were calculated. The results indicate that the fuel cycle length increases by 54.27% for U-5Mo, 32.6% for U-7.5Mo, and 13.8% for U-10Mo, while it decreases by 16.4% for U-15Mo fuel. Additionally, the effect of ⁹⁵Mo content in natural Mo was investigated by reducing the ⁹⁵Mo concentration. According to the results, each proposed fuel's fuel cycle length extended when the depletion ratio of ⁹⁵Mo increased. Additionally, the calculations for reactivity feedback guarantee safe operating conditions for all U-xMo fuels.

• 공업화학
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• 제10권2호
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• pp.231-236
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• 1999

결정상과 분산도가 조절된 $MoO_3$/$SiO_2$ 담지촉매를 제조하여 촉매의 표면특성과 디벤조티오펜 탈황반응의 활성도를 고찰하였다. Mo의 표면담지량은 4 atoms $Mo/nm^2$이었으며, 실리카 표면 위에 형성된 $MoO_3$의 결정상은 sintered hexagonal, sintered orthorhombic, 및 dispersed hexagonal상이었다. XRD, Raman, 및 $O_2$ 흡착 결과 $MoO_3$의 표면분산도는 sintered hexagonal < sintered orthorhombic < dispersed hexagonal 순으로 증가하였다. TPR 결과 $MoO_3$ 결정은 $650^{\circ}C$에서 $MoO_2$로, $1000^{\circ}C$에서 Mo로 환원됨을 알 수 있었다. 디벤조티오펜 탈황반응을 30기압, $350{\sim}500^{\circ}C$ 온도범위에서 수행하였으며, 실험 결과 활성도는 $MoO_3$ 결정체의 $SiO_2$ 표면에서의 분산도에 비례하여 증가함을 알 수 있었다.

• 한국표면공학회지
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• 제43권6호
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• pp.266-271
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• 2010

Ternary Mo-Cu-N films were deposited on Si wafer substrates with various copper contents by magnetron sputtering method using Mo target and Cu target in $Ar/N_2$ gaseous atmosphere. As increasing $N_2$ pressure, the microstructure of Mo-N films changed from ${\gamma}-Mo_2N$ of (111) having face-centered-cubic (FCC) structure to $\delta$-MoN of (200) having hexagonal structure. Detailed the microstructures of the Mo-Cu-N coatings were studied by X-ray diffraction, scanning electron microscopy and field emission transmission electron microscope. The results indicated that the incorporation of copper into the growing Mo-N coating led to the $Mo_2N$ and MoN crystallites were more well-distributed and refined and the copper existed in grain boundary. Ternary Mo-Cu-N films had a composite microstructure of the nanosized crystal crystalline ${\gamma}-Mo_2N$ and $\delta$-MoN surrounded by amorphous $Cu_3N$ phase.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제41권4호
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• pp.23-28
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• 2004

본 논문에서는 Mo을 PMOS의 금속 게이트로 사용하였을 때의 Mo의 특성에 대해서 연구 하였다. Mo을 게이트 물질로 사용한 MOS 커패시터를 제작하였고, 소자의 C-V 특성 곡선으로부터 일함수를 추출하였다. 그 결과 Mo 게이트는 PMOS에 적합한 일함수를 나타내는 것을 알 수 있었다. Mo의 전기적/화학적 안정성을 검증하기 위해서 600, 700, 800 그리고 900℃에서 급속 열처리를 수행하였으며 열처리 이후 유효 산화막의 두께와 일함수의 변화를 살펴보았다. 또한 900℃ 열처리 이후의 XRD 분석을 통해서 Mo 금속 게이트가 SiO₂에 대해서 안정하다는 것을 확인하였다. 4점 탐침기로 측정한 Mo 금속 게이트의 면저항은 10Ω/□ 미만으로 폴리 실리콘에 비해서 매우 작은 값을 나타냈다.