• 제목/요약/키워드: Microwave Attenuators

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스위치드-티 감쇠기를 이용한 초광대역 MMIC 디지털 감쇠기 설계 (Design of Ultra Wide Band MMIC Digital Attenuator using Switched-T Attenuator)

  • 주인권;염인복
    • 한국전자파학회:학술대회논문집
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    • 한국전자파학회 2005년도 종합학술발표회 논문집 Vol.15 No.1
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    • pp.39-44
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    • 2005
  • A broadband DC to 40 GHz 5-bit MMIC digital attenuator has been developed. The ultra broadband attenuator has been achieved by newly inserted the transmission lines in conventional Switched-T attenuator and the optimization of the transmission line parameters. Momentum was employed in design for an accurate performance prediction at high frequencies and Monte Carlo analysis was applied to verify performance stability against the MMIC process variation. The attenuator has been fabricated with 0.15 $\mu$m GaAs pHEMT process. This attenuator has 1 dB resolution and 23 dB dynamic range. High attenuation accuracy has been achieved over all attenuation range and full 40 GHz bandwidth with the reference state insertion loss of less than 6 dB at 20 GHz. The input and output return losses of the attenuator are better than 14 dB over all attenuation states and frequencies.

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X-band 송수신 모듈을 위한 높은 감쇠 정확도와 작은 위상 변동을 가진 6 비트 MMIC 디지털 감쇠기 (A 6-Bit MMIC Digital Attenuator with High Attenuation Accuracy and Small Phase Variation for X-band TR Module Applications)

  • 주인권;염인복;이정원;이수호;안창수;김선주;박동운;오승엽
    • 한국군사과학기술학회지
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    • 제12권4호
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    • pp.452-459
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    • 2009
  • A 6-bit MMIC digital attenuator applicable to X-band TR module has been developed by using $0.5{\mu}m$GaAs pHEMT processes. The Switched-T attenuator scheme and the switched-path attenuator scheme were adopted to obtain low insertion loss and small phase variation, respectively. Resistors and transmission lines are optimized to achieve the digital attenuator with high attenuation accuracy and small phase variation. The digital attenuator has RMS error of 0.4dB, resolution of 0.5dB and dynamic range of 31.5dB. The measurement results show that in-out VSWRs are less than 1.5, phase variation is from -7 to +2 degrees and IIP3 is 36.5dBm.

Adaptive Calibration Method in Multiport Amplifier for K-Band Payload Applications

  • Moon, Seong-Mo;Shin, Dong-Hwan;Lee, Hong-Yul;Uhm, Man-Seok;Yom, In-Bok;Lee, Moon-Que
    • ETRI Journal
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    • 제35권4호
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    • pp.718-721
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    • 2013
  • This letter proposes a novel calibration method for a multiport amplifier (MPA) to achieve optimum port-to-port isolation by correcting both the amplitude and phase of the calibration signals. The proposed architecture allows for the detection of the phase error and amplitude error in each RF signal path simultaneously and can enhance the calibrated resolution by controlling the analog phase shifters and attenuators. The designed $2{\times}2$ and $4{\times}4$ MPAs show isolation characteristics of 30 dB and 27 dB over a frequency range of 19.5 GHz to 22.5 GHz, respectively.

높은 감쇠 정확도를 가지는 초광대역 MMIC 디지털 감쇠기 설계 (Design of Ultra Wide Band MMIC Digital Attenuator with High Attenuation Accuracy)

  • 주인권;염인복
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제17권2호
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    • pp.101-109
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    • 2006
  • 본 논문은 광대역, DC to 40 GHz 5-bit MMIC 디지털 감쇠기의 설계 및 측정 결과를 나타내었다. 초광대역 감쇠기는 종래의 Switched-T 감쇠기에 전송 선로를 추가하고 전송 선로의 파라미터를 최적화하여 구현되었다. 고주파에서의 정확한 성능 예측을 위해 Momentum 시뮬레이션을 설계에서 수행하였고, 몬테 카를로 해석법을 적용하여 MMIC 공정 변동에 대한 성능의 안정성을 검증하였다. 감쇠기는 $0.15\;{\mu}m$ GaAs pHEMT 공정을 이용하여 제작하였다. 이 감쇠기는 1 dB의 해상도와 총 23 dB의 감쇠 동작 범위를 가진다. 전체 감쇠 범위와 40 GHz의 대역폭에서 높은 감쇠 정확도를 얻었으며, 20 GHz에서 6 dB 이하의 참조 상태 삽입 손실을 가진다. 전체 감쇠 상태와 주파수 범위에서 감쇠기의 입력단과 출력단 반사 손실은 14 dB 이상이다. 감쇠기의 IIP3는 33 dBm으로 측정되었다.

전압제어형 PIN 다이오드 감쇄기 설계를 위한 새로운 PIN 다이오드 모델 (A New PIN Diode Model for Voltage-Controlled PIN Diode Attenuator Design)

  • 장병준;염인복;이성팔
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제14권2호
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    • pp.127-132
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    • 2003
  • 본 연구에서는 전압제어형 PIN 다이오드 감쇄기에 사용될 수 있는 새로운 PIN 다이오드 모델을 제안하였다. 종래의 PIN 다이오드 모델의 문제점인 DC해석과 전압/감쇄 특성의 오류의 원인을 분석하였고 분석된 결과를 바탕으로 종래 모델의 문제점을 해결할 수 있는 새로운 PIN 다이오드 모델을 제시하였다. 제시된 모델은 간단한 구성으로 상용 시뮬레이터에 쉽게 삽입되어질 수 장점이 있다. 모델의 유용성을 검증하기 위하여 전압제어형 감쇄기를 설계하여 DC특성과 입력전압에 따른 감쇄특성을 실험한 결과 제시된 모델이 종래 모델이 갖는 문제점을 해결할 수 있을 뿐만 아니라 전압제어형 감쇄기를 정확하게 설계할 수 있음을 확인하였다. 본 논문에서 제시된 모델은 PIN 다이오드를 이용한 다양한 초고주파 회로 설계시 적용되어질 수 있을 것으로 사료된다.

SPDT 단일고주파집적회로 스위치용 pHEMT 채널구조 설계 (Design of pHEMT channel structure for single-pole-double-throw MMIC switches)

  • 문재경;임종원;장우진;지흥구;안호균;김해천;박종욱
    • 한국진공학회지
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    • 제14권4호
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    • pp.207-214
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    • 2005
  • 본 연구에서는 스위치, 위상변위기, 감쇄기등 전파제어회로를 설계 및 제작할 수 있는 pHEMT스위치 소자에 적합한 에피구조를 설계하였다. 고성능의 스위치 소자를 위한 pHEMT 채널층 구조는 이중 면도핑층을 가지며 사용 중 게이트 전극의 전계강도가 약한 깊은 쪽 채널층의 Si 면농도가 상층부보다 약 1/4정도 낮을 경우 격리도등 우수한 특성을 보였다. 설계된 에피구조와 ETRI의 $0.5\mu$m pHEMT MMIC 공정을 이용하여 2.4GHz 및 5GHz 대역 표준 무선랜 단말기에 활용 가능한 SPDT Tx/Rx MMIC 스위치를 설계 및 제작하였다. 제작된 SPDT형 스위치는 주파수 6.0 GHz, 동작전압 0/-3V에서 삽입손실 0.849 dB, 격리도 32.638 dB, 그리고 반사손실 11.006 dB의 특성을 보였으며, 전력전송능력인 $P\_{1dB}$는 약 25dBm, 그리고 선형성의 척도인 IIP3는 42 dBm 이상으로 평가되었다. 이와 같은 칩의 성능은 본 연구에서 개발된 SPDT 단일고주파집적회로 스위치가 2.4GHz뿐만 아니라 SGHB 대역 무선랜 단말기에 활용이 충분히 가능함을 말해준다.