Reputed for their low friction coefficient and wear protection effect, diamond-like carbon (DLC) materials are considered amongst the most important lubricant coatings for tribological applications. In this framework, this investigation aims to elucidate the effect of a few operating parameters, such as applied stress and sliding amplitude on the friction lifetime of DLC coatings. Fretting wear tests are conducted using a 12.7 mm radius counterpart of 52100 steel balls slid against a substrate of the same material coated with a 2 ㎛ thickness DLC. Approximately, 5 to 57 N force is applied, generating a maximum Hertzian contact pressure of 430 to 662 MPa, corresponding to the applied force. The coefficient of friction (CoF) generates three regimes, first a running-in period regime, followed by a steady-state evolution regime, and finally a progressive increase of the CoF reaching the steel CoF value, as an indicator of reaching the substrate. To track the wear scenario, interrupted tests are performed with analysis combining scanning electron microscopy (SEM), energy dispersive X-ray spectroscopy (EDX), 3D profilometer and micro-Raman spectroscopy. The results show two endurance values: one characterizing the coating failure (Nc1), and the other (Nc2) indicating the friction failure which is situated where the CoF reaches a threshold value of μth = 0.3 in the third regime. The Archard energy density factor is used to determine the two endurance values (Nc1, Nc2). Based on this approach, a master curve is established delimitating both the coating and the friction endurances.
The primary objective of this study is to treat a monocrystalline silicon (Si) wafer having a thickness of $279{\mu}m$ by employing the ultrasonic nanocrystal surface modification (UNSM) technology for improving the efficiency and service life of nano-electromechanical systems (NEMSs) and micro-electromechanical systems (MEMSs) by enhancing of wear and corrosion resistances. The wear and corrosion resistances of the Si wafer were systematically investigated before and after UNSM treatment, wherein abrasive, oxidative and spalling wear mechanisms were applied to the as-received and subsequently UNSM-treated Si wafer. Compared to the asreceived state, the wear and corrosion resistances of the UNSM-treated Si wafer are found to be enhanced by about 23% and 14%, respectively. The enhancement in wear and corrosion resistances after UNSM treatment may be attributed to grain size refinement (confirmed by Raman spectroscopy) and modified surface integrity. Furthermore, it is observed that the Raman intensity reduced significantly after UNSM treatment, whereas neither the Raman shift nor new phases were found on the surface of the UNSM-treated Si wafer. In addition, the friction coefficient values of the as-received and UNSM-treated Si wafers are found to be about 0.54 and 0.39, respectively. Hence, UNSM technology can be effectively incorporated as an alternative mechanical surface treatment for NEMSs and MEMSs comprising Si wafers.
한국윤활학회 2002년도 proceedings of the second asia international conference on tribology
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pp.173-174
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2002
To study the effects of mating materials on the tribological properties of DLC films. we used a ball-on-plate reciprocating friction tester in dry air and mating materials of martensite stainless steel (hardened, annealed SUS440C), austenite stainless steels (SUS304), and bearing steel (hardened, annealed SUJ2). At a light load of 0.6 N, the friction coefficient always exceeded ${\mu}>0.3$. Tribological properties of DLC film were still excellent above 0.6 N, except in sliding against annealed SUJ2. Analysis using micro-laser Raman spectroscopy showed that the difference between annealed SUJ2 and others materials appears mainly due to structural change in film.
We report the characteristics of individual ultra-long SnO2 nanowires(NWs) grown on sapphire(0001) substrates by vapor transport method. NWs, with typical lengths of >$400{\mu}m$, grew in the form of NW bundles under a hydrogen reducing atmosphere, without metal catalysts. The individual NWs were examined using high-resolution X-ray diffraction, transmission electron microscopy, and micro-Raman spectroscopy. The results revealed that the SnO2 NWs grew as high-quality, tetragonal-rutile-phase single crystals with mosaic distributions of $0.02^{\circ}$ and $0.026^{\circ}$ in the (101) and (110) planes, respectively.
DLC(Diamond-Like Carbon)는 높은 경도, 내마모성, 화학적 안정성, 생체친화성 및 열전도율이 우수하여 VTR 헤드드럼, CRT Gun, Video Tape, 인공골절, 면도날 등에 널리 사용되고 있다. 에어컨용 Al 냉각핀은 높은 냉각성능의 향상으로 인한 전기절전 효과와 내부식성 및 친수성 등이 요구된다. DC-Sputtering법에 의한 에어컨용 알루미늄 냉각핀에 인가전압의 변화 (300V, 500V, 600V)와 증착시간 (3시간, 5시간 증착)의 변화에 따른 DLC 박막을 합성하여 AFM, XRD 및 Raman spectroscopy 측정을 통하여 분석하고, Micro Vickers Hardness 및 Roughness 등을 측정하였다.
The authors investigated the InGaN/GaN multi-quantum well blue light emitting devices with the implementation of the photonic crystals fabricated at the top surface of p-GaN layer and the bottom interface of n-GaN layer. The top photonic crystals result in the lattice-dependent photoluminescence spectra at the wavelength of 450 nm and however, the bottom photonic crystal shows a big shift of the photoluminescence peak from 444 nm to 394 nm. The sample with the bottom photonic crystal structure also shows the lasing effect at the wavelength of 468 nm. Furthermore, the quality enhancement for the crystal growth of GaN thin film on the bottom photonic crystal comes from the modulated compressive stress which was measured by the micro-Raman spectroscopy.
CIGS solar cell에서 p-type semiconductor역할을 수행하는 Cu(In,Ga)Se로 이루어진 Absorber layer는 4 element multi binary compound로 stoichiometry 측면에서 다양한 형태가 나타나기 때문에 태양전지 효율을 향상시키기 위해 이에 대한 연구가 활발하다. 우리는 E-beam evaporation 방법으로 다양한 조건의 multi layer로 증착된 CIG layer 위에 일정 두께의 Se을 증착하면서 열처리 조건에 따른 Selenization 메커니즘에 대한 연구를 수행하였다. 결과분석을 위해(in-situ High Temperature) XRD, XPS, Micro Raman spectroscopy, FE-SEM, (Nano Indentor, Atomic Force Microscopy) 등을 이용하여 결정구조, 결정화도, Depth profile, Eg (band gap energy) 등을 알아보고 분석결과간의 상관관계를 고찰하였다.
Carbon nanotubes on metal(SUS304) substrates were synthesized by using micro-wave plasma-enhanced chemical vapor deposition at $650^{\circ}C$ with gas mixture CH$_4$(11%) and H$_2$(89%). Their structure was investigated by scanning electron microscopy and transmission electron microscopy. Raman spectroscopy was also used to justify the structure and crystallinity of graphite sheets. High-resolution transmission electron microscopy images clearly showed carbon nanotubes to be multwalled. The measured turn-on field and current density obtained from I-V measurement were 4.4 V/$\mu \textrm{m}$ and $8.4\times10^1\mu\textrm{A}/\textrm{cm}^2$, respectively.
The authors investigated the InGaN/GaN multi-quantum well blue light emitting diodes with the implements of the photonic crystals fabricated at the top surface of p-GaN layer or the bottom interface of n-GaN layer. The top photonic crystals result in the lattice-dependent photoluminescence spectra for the blue light emitting diodes, which have a wavelength of 450nm. However, the bottom photonic crystal shows a big shift of the photoluminescence peak from 444 nm to 504 nm and played as a role of quality enhancement for the crystal growth of GaN thin film. The micro-Raman spectroscopy shows the improved epitaxial quality of GaN thin film.
Hot filament CVD 방법에서 가스압을 증가시키는 방법을 사용하여 nanocrystalline 다이아몬드 막을 합성하였다. 메탄-수소 혼합가스를 사용하고 메탄함량, 유량, 기판온도합성시간은 각각 4%, 100sccm, 110$0^{\circ}C$, 10시간으로 일정하게 유 였다. 합성 변수로서 가스압을 40 Torr에서 300 Torr 구간에서 변화시켰다. High-resolution SEM으로 막 표면의 형상을 관찰하고, TEM, XRD, micro-Raman spectroscopy를 사용하여 합성된 막의 구조 및 특성을 분석하였다. 합성된 다이아몬드 막은 압력이 높아짐에 따라 mocrocrystalline 다이아몬드 막에서 점진적으로 nanocrystalline 다이아몬드 막으로 변화해갔으며, 가스압에 다라 비다이아몬드 상의 량이 증가하였다. 증착속도는 microcrystalline 다이아몬드 막이 형성되는 구간에서는 압력에 따라 1.1~1.3 $\mu\textrm{m}$/h까지 증가하다가 nanocrystalline 다이아모느 막이 형성되는 구간에서는 압력에 따라 감소하였다. 감소하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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