• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
• /
• pp.243.1-243.1
• /
• 2016

Recently, many groups have attempted to fabricate 3-dimensional (3D) structures of GaN such as pyramids, rods, stripes and annulars. Since quantum structures on non-polar and semi-polar planes of 3D structures have less influence of internal electric filed, multi quantum wells (MQWs) formed on those planes have high quantum efficiency. Especially, pyramidal and annular structures consist of various crystal planes with different emission wavelength, providing a possibillity of phosphor-free white light emtting diodes (WLEDs).[1] However, it still has problem to obtain high color rendering index (CRI) number because of narrow-band emission and poor indium composition caused by the formation of few number of facets during metal-organic chemical vapor deposition growth.[2] If we can fabricate 3D structure having more various facets, we can make broad-band emittied WLEDs and improve CRI number. In this study, we suggest a simple method to fabricate 3D structures having various facet and containing high indium composition by means of a combination of metal-organic chemical vapor deposition and wet chemical etching techniques.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집
• /
• pp.531-534
• /
• 2002

NiO buffer layers for YBCO coated conductors were deposited on hi-axially textured Ni substrates by MOCVD(metal organic chemical vapor deposition) method, using single solution source. To establish the processing condition, oxygen partial pressure and deposition temperature were changed. The surface orientation and degree of texture were estimated by X-ray diffraction, X-ray pole figure and atomic force microscopy. The FWHMs of in-plane and out-of-plane of the NiO films were about 10$^{\circ}$. The surface roughness was a function of deposition temperature. The AFM surface roughness of NiO films is in the range of 3∼10 nm, when NiO films was grown at 450∼530$^{\circ}C$.

• 한국결정성장학회지
• /
• 제27권1호
• /
• pp.1-8
• /
• 2017

Metal organic chemical vapor deposition(MOCVD) 방법을 이용하여 금속 촉매에 따른 ${\beta}-Ga_2O_3$ 나노 와이어의 제작과 특성에 대해 연구하였다. 본 연구의 성장 조건에서 ${\beta}-Ga_2O_3$ 나노 와이어의 성장이 가능한 금속 촉매는 Au, Cu 그리고 Ni이 있었으며 각 금속 촉매로 성장한 나노 와이어는 성장률과 형상에 많은 차이가 있었다. Ni 촉매 성장의 경우에는 Vapor-Solid(VS) 과정이 ${\beta}-Ga_2O_3$ 나노 와이어 성장의 주된 메커니즘이고 Au, Cu 촉매 성장의 경우에는 Vapor-Liquid-Solid(VLS) 과정이 주된 성장 메커니즘 임을 확인할 수 있었다. 또한, 촉매의 종류에 따라서 ${\beta}-Ga_2O_3$ 나노 와이어의 광학적 특성도 다르게 나타나는 것을 확인할 수 있었다. 반면, 동일한 성장 조건에서 Ti, Ag 그리고 Sn 금속은 나노 와이어 성장을 위한 촉매로 작용하지 못하였다. 본 연구에서는 금속 촉매에 따른 나노 와이어의 성장 가능 여부와 성장한 나노 와이어의 특성 변화가 금속 촉매의 녹는 점, 금속- Ga의 공융 점과 관련이 있음을 상태도와 연관 지어 밝혀내었다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국재료학회 2007년도 추계학술발표대회 및
• /
• pp.70.1-70.1
• /
• 2007

• 한국재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국재료학회 2000년도 추계학술발표강연 및 논문개요집
• /
• pp.46-46
• /
• 2000

• 한국재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국재료학회 2002년도 추계학술발표강연 및 논문개요집
• /
• pp.81-81
• /
• 2002

• Journal of the Optical Society of Korea
• /
• 제20권1호
• /
• pp.125-129
• /
• 2016

In this study, we have investigated a high-temperature AlN nucleation layer and AlGaN epilayers on c-plane sapphire substrate by low-pressure metal-organic chemical vapor deposition (LP-MOCVD). High resolution X-ray diffraction (HRXRD), atomic force microscopy (AFM), scanning electron microscope (SEM) and Raman scattering measurements have been exploited to study the crystal quality, surface morphology, and residual strain of the HT-AlN nucleation layer. These analyses reveal that the insertion of an LT-AlN nucleation layer can improve the crystal quality, smooth the surface morphology of the HT-AlN nucleation layer and further reduce the threading dislocation density of AlGaN epifilms. The mechanism of inserting an LT-AlN nucleation layer to enhance the optical properties of HT-AlN nucleation layer and AlGaN epifilm are discussed from the viewpoint of driving force of reaction in this paper.

• 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
• /
• 한국반도체및디스플레이장비학회 2003년도 추계학술대회 발표 논문집
• /
• pp.45-49
• /
• 2003

본 논문에서는 gate 산화막을 위한 Hf oxide 박막을 $Hf(dmae)_4$ (dmae=dimethylaminoethoxide) 전구체로 Direct Liquid Injection Metal Organic Chemical Vapor Deposition (DLI-MOCVD)방법을 이용하여 p-type Si(100) 기판 위에 증착하였다. 이 전구체를 이용하여 $150^{\circ}C$의 낮은 증착 온도에서도 낮은 carbon 농도와 roughness를 가지는 양질의 박막을 증착할 수 있었다. 증착된 박막은 비정질 구조를 나타내었지만 annealing 온도를 증가시킴에 따라서 결정성(monoclinic phase)을 나타내었다. $500{\AA}$으로 증착한 박막을 C-V 와 I-V curve를 통하여 전기적 특성을 평가하였다. 열처리 온도가 증가함에 따라 유효유전상수(k)는 증가하지만 열처리 온도가 $900^{\circ}C$ 이상이 되면 계면층의 형성에 의해 유효유전상수는 감소하게 되고 이에 따라 누설 전류도 감소하게 된다. 산소분위기 $800^{\circ}C$에서 annealing한 $HfO_2$ 박막의 유전상수는 20.1이고, 누설 전류 밀도는 SV에서 $2.2\times10^{-6}A/\textrm{cm}^2$ 로 좋은 전기적 특성을 가진다.

• 자원리싸이클링
• /
• 제23권1호
• /
• pp.25-32
• /
• 2014

본 연구에서는 metal organic chemical vapor deposition(유기금속화학증기증착, MOCVD) 장치로 부터 LED용 GaN epi 성장 시원료로 사용되는 트리메틸갈륨에 대해서 사용 후 잔량을 회수하고 정제하여 재이용할 수 있는 공정 및 시스템을 개발하고자 한다. 본 공정에서 회수된 트리메틸갈륨에 대해서 화학적, 구조적 특성 평가를 통해서 재이용 가능여부를 검토하였다. 먼저 ICP-MS, ICPAES를 이용하여 순도를 분석한 결과 7N(99.99999%)의 고순도 트리메틸갈륨임을 확인했으며, NMR 분석을 통해서 트리메틸갈륨의 구조적 변화를 확인한 결과, 구조 변화 없이 순수 $(CH_3)_3Ga$(트리메틸갈륨) 구조임을 확인하였다. 또한 회수 트리메틸갈륨에 대한 신뢰성 검토를 위해서 MOCVD 공정을 이용하여 u-GaN를 증착시키고, 결정 특성 평가 및 광학 전기적 특성 평가를 실시하였으며 그 결과, 재이용이 가능함을 알 수 있었다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
• /
• 제24권7호
• /
• pp.953-956
• /
• 2003

Hexagonal GaN (h-GaN) films have been grown on Si(111) substrates by metal organic chemical vapor deposition using the azidodiethylgallium methylamine adduct, Et₂Ga(N₃)·NH₂Me, as a new single precursor. Deposition was carried out in the substrate temperature range 385-650 °C. The GaN films obtained were stoichiometric and did not contain any appreciable amounts of carbon impurities. It was also found that the GaN films deposited on Si(111) had the [0001] preferred orientation. The photoluminescence spectrum of a GaN film showed a band edge emission peak characteristic of h-GaN at 378 nm.