• 제목/요약/키워드: Metal mirror

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Red-Orange Emissive Cyclometalated Neutral Iridium(III) Complexes and Hydridoiridium(III) Complex Based on 2-Phenylquinoxaline : Structure, Photophysics and Reactivity of Acetylacetone Towards Cyclometalated Iridium Dimer

  • Sengottuvelan, Nallathambi;Yun, Seong-Jae;Kang, Sung-Kwon;Kim, Young-Inn
    • Bulletin of the Korean Chemical Society
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    • 제32권12호
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    • pp.4321-4326
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    • 2011
  • A new series of heteroleptic cyclometalated iridium(III) complexes has been synthesized and characterized by absorption, emission and cyclic voltammetry studies: $(pqx)_2Ir(acac)$ (1), $(dmpqx)_2Ir(acac)$ (2) and $(dfpqx)_2Ir(acac)$ (3) where pqx=2-phenylquinoxalinate, dmpqx=2-(2,4-dimethoxyphenyl)quinoxalinate, dfpqx=2-(2,4-difluorophenyl) quinoxalinate and acac=acetylacetonate anion. The reaction of excess acetylacetone with ${\mu}$-chloride-bridged dimeric iridium complex, $[(C\^N)_2Ir({\mu}-Cl)]_2$, gives a complex 1 and an unusual hydridoiridium(III) complex, $(pqx)IrH(acac)_2$ (4). The complex 1, 2 and 3 show their emissions in an orangered region (${\lambda}_{PL,max}$ = 583-616 nm), and the emission maxima can be tuned by the change of substituent at phenyl ring of 2-phenylquinoxaline ligand. The phosphorescent line shape indicates that the emissions originate predominantly from $^3MLCT$ states with little admixture of ligand-based $^3({\pi}-{\pi}^*)$ excited states. The structures of complex 3 and 4 are additionally characterized by a single crystal X-ray diffraction method. The complex 3 shows a distorted octahedral geometry around iridium(III) metal ion. A strong trans influence of the phenyl ring is examined. In complex 4, there are two discrete molecules which are mirror images each other at the ratio of 1:1 in an unit cell. We propose that the phosphorescent complex 1, 2 and 3 are possible candidates for the phosphors in OLEDs applications.

전자포탈영상장치의 제작과 방사선치료장치의 QA 적용에 관한 연구 (A Study on QA for Radiation Therapy Machine by Using Implemented Electronic Portal Imaging Device)

  • 이동훈
    • 전자공학회논문지SC
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    • 제43권6호
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    • pp.68-75
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    • 2006
  • 고 에너지 방사선을 이용하여 종양을 치료하는 과정 중 발생되는 오차를 확인하여 보다 정교한 치료를 수행함으로써 방사선치료 효율을 향상시킬 수 있다. 본 논문에서는 지금까지 주로 사용되어진 필름을 이용한 아날로그 방식대신 실 시간적으로 영상을 얻을 수 있는 디지털 방식의 비디오 기반 전자 포탈 영상 장치를 개발하였다. 시스템은 $Gd_2O_2S$ 인광판, $45^{\circ}$반사경 및 후레임 그래버를 이용 비디오 기반 전자 포탈 영상 장치를 제작하였으며 이를 방사선치료기의 QA장치로 활용하고자 하였다. 이 장치를 이용 치료기 자체의 정확도를 검증하기 위해 방사선 조사면 검증을 수행하였다. 방사선 조사면이 콜리메이터 회전오차에 의해 약 $0.6^{\circ}$틀어짐을 전자 포탈 영상 장치를 통해 획득된 영상의 윤곽선을 검출한 후 알 수 있어서 치료 위치 설정 중 발생할 수 있는 오차 확인을 위한 방사선 치료장치의 Q.A도구로 사용할 수 있었다.

백색광 주사간섭계의 생물학적 응용 (Biological Applications of White Light Scanning Interferometry)

  • 김기우
    • Applied Microscopy
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    • 제41권4호
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    • pp.223-228
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    • 2011
  • 백색광 주사간섭계는 다양한 시료의 표면 특성을 분석하기 위하여 널리 활용되고 있다. 이 기법은 재료공학 분야에서 오래 전부터 이용되었으며 정성적인 형상 이미지 이외에도 정량적인 3차원 결과를 제공한다. 이 기법에서는 백색광을 광원으로 이용하는데, 기준면과 측정면에서의 반사광을 합쳐서 형성되는 간섭신호를 형태 정보로 활용한다. z축 결과인 고도는 회색수준으로 구분되어 제시된다. 이 기법을 통하여 대영역으로 생물 시료를 신속하고 비파괴적으로 형태를 계측할 수 있다. 연골세포, 치아 법랑질, 식물 잎을 대상으로 적용한 사례가 있다. 특히 표면 구조물의 폭, 길이, 경사각과 같은 특성도 이 기법을 통하여 정량화할 수 있다. 이 기법을 적용하기 위하여 일정 수준의 반사도가 필요한데, 식물 잎에서의 반사도는 그 요건을 충족하였다. 전도성 금속의 코팅 등 부가적인 시료 전처리가 필요 없으므로 이 기법을 통한 생물 시료의 정량적 측정이 더욱 증가할 것으로 예상한다.

GaN 완충층 두께가 GaN 에피층의 특성에 미치는 영향 (Effects of GaN Buffer Layer Thickness on Characteristics of GaN Epilayer)

  • 조용석;고의관;박용주;김은규;황성민;임시종;변동진
    • 한국재료학회지
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    • 제11권7호
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    • pp.575-579
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    • 2001
  • Metal organic chemical vapor deposition (MOCVB)법을 사용하여 sapphire (0001) 기판 위에 GaN 환충층을 성장하고, 그 위에 GaN 에피층을 성장하였다. GaN 완충층은 55$0^{\circ}C$에서 약 26 nm에서 130 nm까지 각각 다른 두께로 성장하였고, GaN 에피층은 110$0^{\circ}C$에서 약 4 $\mu\textrm{m}$의 두께로 성장하였다. GaN 완충층 성장 후 atomic force microscopy (AFM)으로 표면 형상을 측정하였다. GaN 완충층의 두께가 두꺼워질수록 GaN 에피층의 표면이 매끈해지는 것을 scanning electron microscopy (SEM)으로 관찰하였다. 이것으로 GaN 에피층의 표면은 완충층의 두께와 표면 거칠기와 관계가 있다는 것을 알 수 있었다. GaN 에피층의 결정학적 특성을 double crystal X-ray diffraction (DCXRD)와 Raman spectroscopy로 측정하였다. 성장된 GaN 에퍼층의 광학적 특성을 photoluminescence (PL)로 조사한 결과 두께가 두꺼운 완충층 위에 성장된 에퍼층의 결정성이 더 좋은 반면, 내부 잔류응력은 증가하는 결과를 보였다. 이러한 사실들로부터 완충층의 두께가 두꺼워짐에 따라 내부 자유에너지가 감소하여 에피층 성장시 측면성장을 도와 표면이 매끈해지고, 결정성이 좋아졌다.

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비냉각 적외선 센서 어레이를 위한 CMOS 신호 검출회로 (A CMOS Readout Circuit for Uncooled Micro-Bolometer Arrays)

  • 오태환;조영재;박희원;이승훈
    • 전자공학회논문지SC
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    • 제40권1호
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    • pp.19-29
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    • 2003
  • 본 논문에서는 기존의 방법과는 달리 4 단계의 보정 기법을 적용하여 미세한 적외선 (infrared : IR) 신호를 검출해내는 비냉각 적외선 센서 어레이를 위한 CMOS 신호 검출회로를 제안한다. 제안하는 신호 검출회로는 11 비트의 A/D 변환기 (analog-to digital converter : ADC)와 7 비트의 D/A 변환기(digital to-analog converter : DAC), 그리고 자동 이득 조절 회로 (automatic gain control circuit : AGC)로 구성되며, 비냉각 센서 어레이를 동작시키는 DC 바이어스 전류 성분, 화소간의 특성 차이에 의한 변화 성분과 자체 발열 (self-heating)에 의한 변화 성분을 포함하는 적외선 센서 어레이의 출력 신호로부터 미세한 적외선 신호 성분만을 선택적으로 얻어낸다. 제안하는 A/D 변환기에서는 병합 캐패시터 스위칭(merged-capacitor switching : MCS) 기법을 적용하여 면적 및 전력 소모를 최소화하였으며, D/A 변환기에서는 출력단에 높은 선형성을 가지는 전류 반복기를 사용하여 화소간의 특성 차이에 의한 변화 성분과 자체 발열에 의한 변화 성분을 보정할 수 있도록 하였다. 시제품으로 제작된 신호 검출회로는 1.2 um double-poly double-metal CMOS 공정을 사용하였으며, 4.5 V 전원전압에서 110 ㎽의 전력을 소모한다. 제작된 시제품으로부터 측정된 검출회로의 differential nonlinearity (DNL)와 integral nonlinearity (INL)는 A/D 변환기의 경우 11 비트의 해상도에서 ±0.9 LSB와 ±1.8 LSB이며, D/A 변환기의 경우 7비트의 해상도에서 ±0.1 LSB와 ±0.1 LSB이다.

국내 도료공정 발생 폐기물 중 미규제 중금속류의 배출특성 (Content and leaching characteristics of non-regulated hazardous substances in waste from the paint industry)

  • 정성경;김우일;강영렬;김동운;조윤아;신선경;오길종
    • 분석과학
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    • 제24권5호
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    • pp.387-394
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    • 2011
  • 본 연구에서는 국내 유해폐기물의 효율적인 관리를 위해 도료공정에서 발생한 폐기물 중 미규제 중금속의 배출특성을 조사하였다. 사업장은 올바로시스템에 등록된 폐기물 배출업체를 대상으로, 유럽의 도료공정(European Waste Catalogue, EWC 08)과 유사한 폐기물 발생 업체로 하였으며 조사대상 사업장 64개 업체를 현지 방문하여 원료, 생산제품, 생산 공정, 폐기물의 종류 및 배출과정을 조사하고 생산 공정에서 배출되는 73개의 폐기물을 채취하였다. 모든 시료에 대하여 함량 분석을 수행하였고, 특히 고상시료 16건에 대해서는 중금속 8항목(Ba, Be, F, Ni, Sb, Se, V, Zn)에 대한 용출분석을 수행하였다. 도료공정에서 발생된 폐기물 중 ICP-MS를 이용한 Ba의 함량분석 결과는 ND (Not Detected)~44,973.00 mg/kg의 농도 범위를 나타내었다. 특히 폐페인트 시료 7건, 폐수처리오니 2건, 공정오니 1건 및 폐유기용제 1건에서 Ba이 제안기준인 500 mg/kg을 초과하였으며 나머지 미규제 항목은 검출되지 않았다.

A of Radiation Field with a Developed EPID

  • Y.H. Ji;Lee, D.H.;Lee, D.H.;Y.K. Oh;Kim, Y.J.;C.K. Cho;Kim, M.S.;H.J. Yoo;K.M. Yang
    • 한국의학물리학회:학술대회논문집
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    • 한국의학물리학회 2003년도 제27회 추계학술대회
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    • pp.67-67
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    • 2003
  • It is crucial to minimize setup errors of a cancer treatment machine using a high energy and to perform precise radiation therapy. Usually, port film has been used for verifying errors. The Korea Cancer Center Hospital (KCCH) has manufactured digital electronic portal imaging device (EPID) system to verify treatment machine errors as a Quality Assurance (Q.A) tool. This EPID was consisted of a metal/fluorescent screen, 45$^{\circ}$ mirror, a camera and an image grabber and could display the portal image with near real time KIRAMS has also made the acrylic phantom that has lead line of 1mm width for ligh/radiation field congruence verification and reference points phantom for using as an isocenter on portal image. We acquired portal images of 10$\times$10cm field size with this phantom by EPID and portal film rotating treatment head by 0.3$^{\circ}$, 0.6$^{\circ}$ and 0.9$^{\circ}$. To check field size, we acquired portal images with 18$\times$18cm, 19$\times$19cm and 20$\times$20cm field size with collimator angle 0$^{\circ}$ and 0.5$^{\circ}$ individually. We have performed Flatness comparison by displaying the line intensity from EPID and film images. The 0.6$^{\circ}$ shift of collimator angle was easily observed by edge detection of irradiated field size on EPID image. To the extent of one pixel (0.76mm) difference could be detected. We also have measured field size by finding optimal threshold value, finding isocenter, finding field edge and gauging distance between isocenter and edge. This EPID system could be used as a Q.A tool for checking field size, light/radiation congruence and flatness with a developed video based EPID.

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