• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 추계학술대회 논문집 Vol.16
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• pp.99-102
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• 2003

The electronic structure of ${\beta}-MnO_2$ having impurities in the site of Mn was theoretically investigated by $DV-X_{\alpha}$ (the discrete variation $X{\alpha}$) method, which is a sort of the first principle molecular orbital method using Hatre-Fock-Slater approximation. The used cluster model was $[Mn_{14}MO_{56}]^{-52}$ (M = transient metals). Madelung potential and spin polarization were considered for more exact calculations. As results of calculations, the energy levels of all electron included in the model were obtained. The energy band gap and positions of impurity levies were discussed in association with impurity 34 orbital that seriously affect electrical properties of $MnO_2$. It was shown that the energy band gap decreased with the increase of the atomic number of transient metal impurity.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 한국신재생에너지학회 2009년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.167-167
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• 2009

결정질실리콘 태양전지를 제조함에 있어 실리콘 기판 내의 금속 불순물들은 소자제작 시에 성능 저하의 원인으로 작용한다. 따라서 본 연구에서는 실리콘 기판에 Cr, Cu, Ni 불순물을 강제 오염시킨 후 태양전지를 제작하여 각각의 불순물에 대한 특성을 조사 하였다. p-type 실리콘 기판을 오염시키기 위해 일정 시간동안 표준용액에 담근 후 질소 분위기에서 열처리 하여 불순물을 확산시켰다. 이후 상용 공정을 이용하여 태양전지를 제작하고 기판내 금속불순물 농도에 따른 태양전지의 동작특성을 분석하였다.

• 자원리싸이클링
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• 제18권6호
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• pp.38-45
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• 2009

마그네사이트 광석의 염산용해 특성 및 불순물 제거에 대한 연구를 수행하였다. 마그네사이트의 용해율은 용해온도가 증가할수록, 광석 입도가 감소할수록 증가하였다. 최적 용해조건은 용해시간 2시간, 용해온도 $80^{\circ}C$, 광석입도 $100\;{\mu}m$ 였으며, 최적 용해조건에서 98%의 Mg를 용해할 수 있었다. Si, Al 성분들은 대부분 용해잔사에 존재하므로 용해 후 여과를 통하여 상당량 제거가 가능하였으며, 용해된 불순물들은 용액의 pH 조절을 통하여 금속 수산화물로 석출시켰다. 또한 석출된 금속 수산화물을 응집, 침강시키기 위하여 고분자 응집제를 사용하였으며, 최적 응집제 주입 조건은 비이온계 고분자 응집제 1 mg/100 ml이었다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2011년도 춘계학술대회
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• pp.355-357
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• 2011

철강용융아연욕의 상부와 하부의 부유물들을 모으는 방법과 이들을 용융 환원에 의해 회수하는 방안에 관련된 여러 가지 연구 및 특허기술 자료로 발표되고 있으나, 이제까지 현장에 적용된 작업모델을 개발하지 못했다. 본 논문에서는 철강공정 인체유해 작업용 로봇이 영상에 기반한 부유물 인식을 위해 가장 효율적인 인식 알고리즘을 제안하였다.

• 자원리싸이클링
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• 제15권6호
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• pp.16-24
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• 2006

본 연구에서는 소각비산재의 습식 처리에 관한 기초 자료를 얻을 목적으로 소각비산재의 물성, 황산에 의한 소각비산재의 중화과정, 황산에 의한 소각비산재의 탈염소 반응, 소각비산재와 황산의 반응에 의하여 생성한 이수석고의 결정성장 및 미립 중금속의 분리 둥에 관하여 조사하였다. 소각비산재와 황산을 반응시켜 염산을 회수하고 그 잔류물의 대부분을 차지하는 석고 성분을 선택적으로 결정성장 시켜 결정성이수석고와 중금속으로 분리하는 일련의 공정에서 100g의 소각비산재위 85g의 진한 황산을 사용하는 경우 35% 염산 52.6g, 순도가 98%이상인 결정질 이수석고 116.9g을 회수할 수 있으며, 이 과정에서 2.65g의 활성탄을 주로하는 조립불순물과 7.85g의 중금속함유 미립자들이 분리되었다.

• 청정기술
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• 제16권1호
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• pp.1-11
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• 2010

우리가 사용하는 원유는 점점 중질화 되고 산도가 높아지고 있다. 석유의 품질에 영향을 미치는 유황의 함량을 조절하고, 오염금속을 제거하기 위하여 탈황, 탈질, 탈금속 등 불순물 제거기술의 중요성이 커지고 있으며 제품의 생산량과 수율을 조절하기 위한 정제 관련 촉매기술의 중요성 역시 증대하고 있다. 본 논문에서는 원유에서 황, 질소, 금속성분 등을 제거하는 기술과 원유의 정제와 관련된 촉매 기술에 대하여 한국, 미국, 일본, 유럽 등을 중심으로 1970년대 중반부터 2009년까지의 특허를 조사하고, 각국의 출원현황, 점유율, 주요출원인, 특허활동지수 등을 분석하였다. 또한, 주요 기술 분야에 대한 기술흐름도를 작성하여 기술 동향을 살펴보았다.

• Journal of Radiation Protection and Research
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• 제34권2호
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• pp.65-68
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• 2009

Metal-semiconductor contact is very important for the operating property of semiconductor detector. $Cd_{0.96}$ $Zn_{0.04}$ Te semiconductor crystal was grown with Bridgman method, and the crystal was cut and polished. EPMA (Electron Probe Micro Analyzer) and ICP-MS (Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry) analysis were done to obtain the chemical composition and impurity of the crystal. Metal contact was deposited with thermal evaporator on both sides of the crystal. Detectors with Au/CZT/Au and In/CZT/Au structure were made, and I-V curve and the energy spectrum were measured with the detectors. It could be seen that the detector with the In/CZT/Au structure has superior property than the detector with Au/CZT/Au structure when the crystal resistivity was low. However, the metal contact structure effect becomes low when the crystal resistivity was high.

• 한국세라믹학회지
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• 제49권6호
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• pp.637-641
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• 2012

Due to its high production cost and relatively high energy consumption during the Siemens process, poly-silicon makers have been continuously and eagerly sought another silicon route for decades. One candidate that consumes less energy and has a simpler acidic and metallurgical purification procedure is upgraded metallurgical-grade (UMG) silicon. Owing to its low purity, UMG silicon often requires special steps to minimize the impurity effects and to remove or segregate the metal atoms in the bulk and to remove interfacial defects such as precipitates and grain boundaries. A process often called the 'gettering process' is used with phosphorus diffusion in this experiment in an effort to improve the performance of silicon solar cells using UMG silicon. The phosphorous gettering processes were optimized and compared to the standard POCl process so as to increase the minority carrier lifetime(MCLT) with the duration time and temperature as variables. In order to analyze the metal impurity concentration and distribution, secondary ion mass spectroscopy (SIMS) was utilized before and after the phosphorous gettering process.

• Advances in nano research
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• 제2권2호
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• pp.77-88
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• 2014

Solvothermal treatment of late transition metal acetylacetonates in a novel medium composed either of pure acetophenone or acetophenone mixtures with amino alcohols offers a general approach to uniform hydrophilic metal nanoparticles with high crystallinity and low degree of aggregation. Both pure metal and mixed-metal particles can be accesses by this approach. The produced materials have been characterized by SEM-EDS, TEM, FTIR in the solid state and by Nanoparticle Tracking Analysis in solutions. The chemical mechanisms of the reactions producing nanoparticles has been followed by NMR. Carrying out the process in pure acetophenone produces palladium metal, copper metal with minor impurity of $Cu_2O$, and NiO. The synthesis starting from the mixtures of Pd and Ni acetylacetonates with up to 20 mol% of Pd, renders in minor yield the palladium-based metal alloy along with nickel oxide as the major phase. Even the synthesis starting from a mixed solution of $Cu(acac)_2$ and $Ni(acac)_2$ produces oxides as major products. The situation is improved when aminoalcohols such as 2-aminoethanol or 2-dimethylamino propanol are added to the synthesis medium. The particles in this case contain metallic elements and pairs of individual metals (not metal alloys) when produced from mixed precursor solutions in this case.

• 대한전기학회논문지
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• 제36권7호
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• pp.462-469
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• 1987

A metal gate MOSFET with source/drain regions self-aligned to gate region is proposed. The proposed MOS transistor is fabricated by utilizing the higher oxidation rate of source/drain regions with high doping concentration when compared with channel region with moderate doping. The thick oxide on the source/drain regions reduces the gate and drain(source) overlap capacitance down to that of a self-aligned polysilicon gate device while allowing the use of a metal gate with much lower resistivity than the more commonly used polycrystalline silicon. A ring oscillator composed of 15 inverter stages has been computer simulated using SPICE. The results of the simulation show good agreement with experimental measurement confirming the fast switching speed of propesed MOSFET.