• 제목/요약/키워드: Metal Grade Silicon

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아크로를 이용한 실리콘 환원 반응의 열역학적 해석 (Thermodynamic Analysis of Silicon Reduction Reaction in Arc Furnace)

  • 박동호;김대석;이상욱;문병문;류태우
    • 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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    • 한국신재생에너지학회 2010년도 춘계학술대회 초록집
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    • pp.70.2-70.2
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    • 2010
  • 고순도 금속규소는 반도체, 태양전지 및 규소화 화합물 등의 원료로 사용되어왔으며, 최근 태양전지 시장 확대로 인해 고순도 금속규소의 수요가 증가하고 있다. 그러나 전량 수입 중인 고순도 금속규소의 수급 안정성과 품질 균일성 등이 문제가 되고 있어, 고순도 생산 공정 및 생산 에너지를 절감 공정에 관한 연구 개발이 필요한 실정이다. 이에 본 연구에서는 금속규소의 원료인 규석(SiO2)과 카본(C)의 환원반응을 온도와 압력별로 살펴보고, 평형 상태의 금속규소수율 조건을 알아보았다. 그리고 아크로 내부 위치에 따른 산화/환원 반응식을 고찰하여 주요 반응식의 깁스 자유 에너지를 비교 분석 하였다. 본 해석을 통한 실험용 아크로 제작과 기초실험을 통해 금속 규소 생산 수율 및 순도를 평가하였으며, 생산된 실리콘의 최대 순도는 약 99.8%로 측정되었다.

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금속급(金屬級) 실리콘에서 슬래그 처리(處理)에 의한 붕소(硼素)의 제거(除去) (Removal of Boron from Metallurgical Grade Silicon by Slag Treatment)

  • 사공성대;손호상;최병진
    • 자원리싸이클링
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    • 제20권3호
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    • pp.55-61
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    • 2011
  • 금속급 실리콘(MG-Si)을 태양전지용 실리콘(SOG-Si)으로 정제하기 위한 경제적인 프로세스를 구축하기 위하여 1823 K에서 CaO-$SiO_2$ 계 슬래그에 의한 붕소의 제거에 대하여 조사하였다. 본 연구에서 CaO-$SiO_2$$CaCO_3-SiO_2$ 슬래그의 염기도(%CaO/$%SiO_2$) 증가에 따라 B의 제거율은 각각 63%와 73%까지 증가하였다. 그러나 Ar 가스에 의한 슬래그와 실리콘의 교반 시간의 영향은 나타나지 않았다. 그리고 CaO-$SiO_2$ 계 슬래그에 $Na_2CO_3$를 첨가하였으나 그 영향은 크지 않았다. $CaCO_3-SiO_2$ 슬래그(염기도=1.2)에 의해 3회 처리한 결과 B의 농도는 1.03 ppm까지 감소하였다.

실리콘 용융 공정에서 방향성 응고에 관한 특성 분석 (Analysis with Directional Solidification in Silicon Melting Process)

  • 조현섭
    • 한국산학기술학회논문지
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    • 제15권3호
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    • pp.1707-1710
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    • 2014
  • 본 논문은 실리콘 원료의 용융과 방향성 응고에 의해 결정성이 양호한 방향성 응고에 대한 연구이다. 방사화 분석 결과 총 10가지 금속 불순물이 검출 되었지만, 농도 분포는 같은 위치에서 위와 아래의 차이는 크게 나지 않고, 어떤 특정한 위치에서 한쪽으로 집중되거나 어떤 경향성 없이 전체의 샘플의 모든 부분에서 농도가 거의 일정하게 분포를 나타냈다. 열 해석 시뮬레이션에 의한 결과, 용융은 유지 시간이 80분일 때 실리콘이 전체적으로 고르게 용융 온도에 도달하였고 냉각은 상부 냉각 온도가 $1,400^{\circ}C$와 60분 냉각 시 가장 좋은 결과 값을 나타내었다. 제작된 웨이퍼가 기존의 상용 웨이퍼보다 결정립계에서의 에칭이 훨씬 적게 이루어졌다.

산처리와 일방향 응고를 이용한 실리콘 정제 (Silicon purification through acid leaching and unidirectional solidification)

  • 음정현;장효식;김형태;최균
    • 한국결정성장학회지
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    • 제18권6호
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    • pp.232-236
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    • 2008
  • 최근 실리콘 원료의 부족에 따른 가격상승으로 인하여 99.9999% 이상의 순도를 지닌 폴리 실리콘을 더 저렴하게 제조하기 위한 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 순도 99%의 금속급 실리콘(MG-Si)을 원료로 산처리와 일방향 응고를 통해 고순도로 정제하는 연구를 수행하였다. MG-Si 럼프를 플레너터리 밀로 분쇄한 후 HCl/$HNO_3$/HF 산 수용액에서 처리하였다. 그 결과 Al, Fe, Ca, Mn 등과 같은 금속 불순물들의 실리콘 내 함량이 크게 감소하면서 실리콘의 순도는 99.995%까지 향상되었다. 정제된 실리콘 분말을 성형한 후 HEM로를 이용하여 용융시킨 뒤, 일방향 응고를 통하여 잉곳을 제조하였다. 성장시킨 다결정 실리콘 잉곳은 $0.3{\Omega}{\cdot}cm$의 비저항과 $3.8{\mu}{\cdot}sec$의 열 운반자 소멸시간(minority carrier life time)을 나타내었다.

발변전용 피뢰기의 구조 및 ZnO 바리스터 소자의 전기적 특성 (Structure of Station Class Lightning Arresters and Electrical Characteristics of ZnO Varistor Blocks)

  • 조한구;한세원;이운용;윤한수;최인혁
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2004년도 하계학술대회 논문집 Vol.5 No.2
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    • pp.1158-1161
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    • 2004
  • This paper presents structural characteristics of station class lightning arresters and electrical characteristics of manufactured ZnO varistor blocks which are usable in those arresters. Three types of station class lightning arresters were investigated and those are a ceramic arrester, a FRP tube type polymer arrester, and a FRP rod type polymer arrester. Each arrester has merits and demerits with structural characteristics. In general, polymer arresters were made of silicon rubber for housing materials, FRP tube or rod for mechanical strength, ZnO blocks for electrical characteristics, and metal parts for electrical contact and the silicon rubber, the housing materials, was directly injected to the arrester module which was assembly composed of electrodes, ZnO blocks and FRP tube or rod, and to prevent the nonlinear electric fields distribution on upper parts of arresters, the grade ring was adopted to the upper electrodes. The reference voltage, nonlinear coefficient, residual voltage, and voltage ratio of manufactured ZnO varistors are 4.90kV, 50, 9.54kV, 1.94, respectively. Compared to designed electrical characteristics, the reference voltage was low for 600v and the voltage ratio was slightly high. However, the characteristics of discharge withstand was so excellent that the mechanical destruction does not occur at the impulse current of $8/20{\mu}s$ 10kA for 100 times.

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CPFD 시뮬레이션을 통한 Shroud 노즐 및 수직 구조물이 설치된 기포 유동층 반응기 내에서의 기포 흐름 해석 (CPFD Simulation of Bubble Flow in a Bubbling Fluidized Bed with Shroud Nozzle Distributor and Vertical Internal)

  • 임종훈;배건;신재호;이동호;한주희;이동현
    • Korean Chemical Engineering Research
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    • 제54권5호
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    • pp.678-686
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    • 2016
  • 본 연구에서는 내경 0.3 m, 높이 2.4 m인 기-고 유동층 반응기 내에서 수직 방향의 내부 구조물과 shroud 노즐 분산판이 기포 흐름에 미치는 영향을 CPFD (Computational Particle-Fluid Dynamics)를 이용하여 모델링을 수행하였다. 층 물질로는 Metal-grade 실리콘 입자(MG-Si)가 사용되었으며 $d_p=149{\mu}m$, ${\rho}_p=2,325kg/m^3$, $U_{mf}=0.02m/s$이다. 전체 층물질의 양은 75 kg이며 정적층(static bed) 높이는 0.8 m이다. 수직 내부 구조물이 기포 상승속도에 미치는 영향을 파악하였다. 내부 구조물이 분산판으로부터 0.45 m 높이에 설치되었을 때 기포의 분쇄가 일어났다. 유동층의 압력강하 및 수직 고체체류량 분포는 내부 구조물의 영향을 크게 받지 않는 것으로 나타났다. 하지만 내부 구조물이 제트에 너무 가까운 경우 기포가 분쇄되지 않고 내부 구조물을 우회하여 상승하였으며 내부 구조물이 없는 경우나 0.45 m 높이에 설치된 경우에 비해 더 빠른 속도로 상승하였다.