InGaN/Sapphire LED에서 기판 제거와 패키지 방식이 광출력 특성에 미치는 영향을 분석하였다. Sapphire 기판의 제거는 반도체 접합에서 발생된 열의 방출에 도움이 되지만, 반대로 광추출효율이 손상되는 문제점이 수반된다. Sapphire 기판이 제거된 칩을 열전도율이 좋은 금속의 마운트 위에 부착하면, 최대 구동전류는 현저히 증가하고 광출력도 상당히 증가됨으로써, 광추출효율이 손상되는 문제점이 어느 정도 보상된다. 하지만, sapphire 기판이 제거된 칩을 상대적으로 열전도율이 낮은 유전체의 마운트 위에 부착하는 경우에는, 거의 모든 입력전류 범위에서 sapphire 기판이 남아 있는 일반형 칩보다 낮은 광출력을 나타낸다. 따라서, 작은 광출력이 요구되는 응용분야에서는 사용된 칩 마운트의 종류에 무관하게, 일반형 칩이 sapphire 기판이 제거된 칩 보다 유리한 것으로 분석된다.
In this paper, we investigated the effect of solar cell breakage on maximum output power of PV module. The test result using artificial light source didn't give any change in output power in case of crack near electrical ribbon. Also, there was a reduction in output power in case of increasing of crack area far from electrical ribbon. But, this experiment is under artificial light source test method. So, when such a PV module is outdoor for a long time, there would be problems on electrical output power and durability because of thermal aging phenomenon of solar cell breakage.
This work presents a high efficiency phase shifted full bridge (PSFB) DC-DC converter for use in the second stage of a battery charger for neighborhood electrical vehicle (EV) applications. In the design of the converter, Lithium-ion battery cells are preferred due to their high voltage and current rates, which provide a high power density. This requires wide range output voltage regulation for PSFB converter operation. In addition, the battery charger works with a light load when the battery charge voltage reaches its maximum value. The soft switching of the PSFB converter depends on the dead time optimization and load condition. As a result, the converter has to work with soft switching at a wide range output voltage and under light conditions to reach high efficiency. The operation principles of the PSFB converter for the continuous current mode (CCM) and the discontinuous current mode (DCM) are defined. The performance of the PSFB converter is analyzed in detail based on wide range output voltage and load conditions in terms of high efficiency. In order to validate performance analysis, a prototype is built with 42-54 V / 15 A output values at a 200 kHz switching frequency. The measured maximum efficiency values are obtained as 94.4% and 76.6% at full and at 2% load conditions, respectively.
Three plastic scintillators of 4.5 cm diameter and 2.5-cm length were fabricated for comparison with commercial plastic scintillators using polymerization of the styrene monomer 2.5-diphenyloxazole (PPO) and 1,4-bis benzene (POPOP). Their maximum emission wavelengths were determined at 426.06 nm, 426.06 nm, and 425.00 nm with a standard error of 0.2% using a Varian spectrophotometer (Agilent, Santa Clara, CA, USA). Compton edge spectra were measured using three gamma ray sources [i.e., cesium 137 ($^{137}Cs$), sodium 22 ($^{22}Na$), and cobalt 60 ($^{60}Co$)]. Energy was calibrated by analyzing the Compton edge spectra. The fabricated scintillators possessed more than 99.7% energy linearity. Light output was comparable to that of the BC-408 scintillator (Saint-Gobain, Paris, France). The fabricated scintillators showed a light output of approximately 59-64% of that of the BC-408 scintillator.
Amorphous In-Ga-Zn-O (a-IGZO) thin film transistors (TFTs) with a coplanar structure were fabricated to investigate the feasibility of their potential application in large size organic light emitting diodes (OLEDs). Drain currents, used as functions of the gate voltages for the TFTs, showed the output currents had slight differences in the saturation region, just as the output currents of the etch stopper TFTs did. The maximum difference in the threshold voltages of the In-Ga-Zn-O (a-IGZO) TFTs was as small as approximately 0.57 V. After the application of a positive bias voltage stress for 50,000 s, the values of the threshold voltage of the coplanar structure TFTs were only slightly shifted, by 0.18 V, indicative of their stability. The coplanar structure TFTs were embedded in OLEDs and exhibited a maximum luminance as large as 500 nits, and their color gamut satisfied 99 % of the digital cinema initiatives, confirming their suitability for large size and high resolution OLEDs. Further, the image density of large-size OLEDs embedded with the coplanar structure TFTs was significantly enhanced compared with OLEDs embedded with conventional TFTs.
The buck-boost converter is employed as the variable output PFC power stage. From the loss analysis, this topology has a high efficiency from light load to heavy load. A modified input current sensing scheme is presented to overcome the problem of the insufficient phase margin for the PFC circuit near the maximum output voltage. The variable output PFC circuit has a good performance in the wide output voltage range, under both the Boost mode when the output voltage is high and the Buck+Boost mode when the output voltage is low.
In this study, the effect of solar cell cover glass on the solar cell performance is evaluated. Silicon solar cell (active area:4*6cm, efficiency:12.6% at AMO condition) is used for this study. ITO(Indium tin Oxide) film thickness of the ITO/AR/substrate glass/solar cell structure samples are $40{\AA}$, $60{\AA}$, $160{\AA}$, $240{\AA}$ respectively. The solar cell maximum output power on the stacking structure variations showed 465mW in the AR/ITO/substrate glass/solar cell, and minimum output power showed 403mW in the AR/substrate glass/solar cell. The maximum output power of the solar cell on the ITO thickness variations of the ITO/AR/substrate glass/solar cell showed 460mW at $40{\AA}$ then decrease output power as ITO thickness increase. For environment tests, all samples are exposed UV light in the vacuum chanber. The output power degradation of AR(UVR)/substrate glass/solar cell stacking structure is small compared with ITO/AR(UVR)/substrate glass/solar cell stacking structure.
In photovoltaic power generation where minority carrier generation via light absorption is competing against minority carrier recombination, the substrate thickness and material quality are interdependent, and appropriate combination of the two variables is important in obtaining the maximum output power generation. Medici, a two-dimensional semiconductor device simulation tool, is used to investigate the interdependency in relation to the maximum power output in front-lit Si solar cells. Qualitatively, the results indicate that a high quality substrate must be thick and that a low quality substrate must be thin in order to achieve the maximum power generation in the respective materials. The dividing point is $70{\mu}m/5{\times}10^{-6}sec$. That is, for materials with a minority carrier recombination lifetime longer than $5{\times}10^{-6}sec$, the substrate must be thicker than $70{\mu}m$, while for materials with a lifetime shorter than $5{\times}10^{-6}sec$, the substrate must be thinner than $70{\mu}m$. In substrate fabrication, the thinner the wafer, the lower the cost of material, but the higher the cost of wafer fabrication. Thus, the optimum thickness/lifetime combinations are defined in this study along with the substrate cost considerations as part of the factors to be considered in material selection.
광중합형 복합레진은 일부 성분들이 강한 광학-전자기선에 노출됨으로써 경화된다. 최초의 제품들은 자외선을 이용하여 중합되었다. 초기의 이러한 제품들은 작업시간의 조절가능 기포 형성 감소, 색 안정성 향상으로 각광받았지만, 자외선의 위해 성과 얕은 중합깊이를 극복하지 못해 결국 가시광선 중합형으로 대체되었다. 가시광선 중합형 복합레진의 중합완성도는 단량체(monomer)에서 복합체(polymer)로의 변환율에 의해 결정된다. 결국 수복물의 성공여부는 조사된 가시광선의 중합능력과 밀접한 연관성을 갖는다. 이번 조사의 목적은 현재 임상(치과 병 의원)에서 사용되고 있는 광중합기의 광도를 여러 연구를 통하여 그 신뢰성이 입증된 digital radiometer를 이용해 평가하고, 3가지 기본부품의 결함을 검증해서 임상가들에게 유익한 정보를 주기 위함이다. 조사 결과, 조사 대상 광중합기 중 17.8%가 적절한 중합에 부적절한 상태에 있으며, 46.6%가 광 조사시간을 연장할 필요가 있는 것으로 드러나, 광조사기의 절반 이상이 수복물의 성공적인 중합을 위해서는, 중합시간의 연장을 필요로 하거나, 기계적 결함으로 점검을 필요로 하는 상태에 있었다. 이번 조사로, 현재 치과 병, 의원에서 사용중인 광조사기의 부품성능과 그 관리에 문제가 있음을 알 수 있다. 이러한 결과는, 최근에 이루어진 외국의 조사에서와 유사하였다. 광조사기를 이용한 수복치료의 성공과, 구입당시 수준의 적절한 품질(quality)을 유지하기 위해서는, 광조사기 관리와 부품 교체에 대한 임상가들의 이해가 필요할 것으로 보인다.
Using MBE growth method, GaAs/AlGaAs solar cell structure was grown. Deposited electrodes are Au/Ni/Ge for n-type and Au/Pt/Ti for p-type electrodes were deposited by E-beam evaporator. Indoor light concentrators were devised and fabricated in order to concentrate artificial solar rays. Also mirror and prism and Fresnel lens concentration system with solar simulator were devised and fabricated. Results of solar cell characteristics were measured with shutting system which can control the amount of light. Maximum power density was 2.13 W/$cm^2$ and maximum concentration was 124 sun, when mirror with Fresnel lens was used at $7854\;mm^2$ of shutter hole.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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