• 제목/요약/키워드: MV processor

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Packet Switching에 의한 공중 Computer 통신망 개발 연구 -제2부: KORNET의 설계 및 Network Node Processor(NNP)의 개발 (Development of a Packet-Switched Public computer Communication Network -PART 2: KORNET Design and Development of Network Node Processor(NNP))

  • 조유제;김희동
    • 대한전자공학회논문지
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    • 제22권6호
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    • pp.114-123
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    • 1985
  • 이 논문은 packet switching 방식에 의한 공중 computer 통신망 개발에 관한 4편의 논문중 제 2부의 논문으로 제 1부의 KORNET의 개요 및 netwo.k managementcenter (NMC)개발에관한 논문에 이어 KO-RNET의 설계와 networhnode Processor(NNP)의 개발에 대해 기술한다. KORNET은 3개의 NNP와 하나의 NMC 로 일차 구성하였는데, NNP는 MC68000 microprocessor를 이용한 multiprocessor system으로 구현되었고, HMC는 중형 computer인 Mv/8000 system을 사용하여 개발하였다. KORNET에서의 packet service 방식은 virtual circuit(VC) 방식으로 하고 routing은 node나 선로의 상태변화에 쉽게 대처할 수 있는 분산적응방식(distributed adaptive routinB)을 사용하였다. 또한, buffo. management는 dy-namic sharing 방식을 채택하여 storage의 사용에 대한 효율성을 높였다. NNP system의 hardware는 modularity를 고려하여 확장이 용이하게 하였으며, software는 CCITT 권고사항 X.25, X.3, X.28, X.29등을 따라 구현하였다.

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급속열처리 방식을 이용한 다결정 실리콘 소자의 형성된 전기적 특성 (Improved Electrical Properties of Polysilicon TFT Using Rapid Thermal Processing)

  • 홍찬희;박창엽;이희국
    • 대한전자공학회논문지
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    • 제27권12호
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    • pp.1865-1869
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    • 1990
  • N-Channel polysilicon MOSFETs (W/L=20/1.5, 3, 5.10\ulcorner) were fabricated using RTP (Rapid Thermal Processor) and hydrogen passivation. The N+ source, drain and gate were annealed and recrystallized using RTP at temperature of 1000\ulcorner-1100\ulcorner. But the active areas were not specially crystallized before growing the gate oxide. Without the hydrogen passivarion, excellent transistor characteristics (ON/OFF=5.10**6, S=85MV/DEC, IL=51pA/\ulcorner) were obtained for 1.5\ulcorner MOSFET. Also the transistor characteristics were improved by hydrogen passivation.

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최소분산 프로세서를 사용한 정합장 처리에서 신호단편 수에 따른 바이어스의 영향 (Effect of Bias for Snapshots Using Minimum Variance Processor in MFP)

  • 박재은;신기철;김재수
    • 한국음향학회지
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    • 제20권7호
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    • pp.94-100
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    • 2001
  • 적응 정합장처리에서 어레이의 센서 수보다 부족한 신호단편 수로 표본 공분산행렬을 구성할 경우 행렬 계수의 부족으로 행렬의 역변환에 문제가 발생된다. 이를 해결하기 위해 표본 공분산행렬의 대각성분에 일정한 값을 더하거나 고유분해와 같은 기법을 사용하나, 그 결과로 프로세서 출력에서는 바이어스가 발생된다. 본 논문은 고정음원에서 신호단편의 수에 따른 적응 프로세서 출력의 바이어스와 음원 위치 추정 결과를 고찰하기 위해 표본 공분산행렬의 대각성분에 일정한 값을 첨가하는 방법으로 최소분산 기법을 사용하여 수치실험과 실측 자료를 분석하였다. 그 결과 센서 수보다 많은 신호단편을 사용하는 것이 바이어스가 적으며, 음원 위치 추정에서도 좋은 성능을 보였다.

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단순 전력분석 공격에 대처하는 타원곡선 암호프로세서의 하드웨어 설계 (Hardware Design of Elliptic Curve processor Resistant against Simple Power Analysis Attack)

  • 최병윤
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제16권1호
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    • pp.143-152
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    • 2012
  • 본 논문은 스칼라 곱셈, Menezes-Vanstone 타원곡선 암호 및 복호 알고리즘, 점-덧셈, 점-2배 연산, 유한체상 곱셈, 나눗셈 등의 7가지 동작을 수행하는 GF($2^{191}$) 타원곡선 암호프로세서를 하드웨어로 설계하였다. 단순 전력 분석에 대비하기 위해 타원곡선 암호프로세서는 주된 반복 동작이 키 값에 무관하게 동일한 연산 동작으로 구성되는 몽고메리 스칼라 곱셈 기법을 사용하며, GF($2^m$)의 유한체에서 각각 1, (m/8), (m-1)개의 고정된 사이클에 완료되는 GF-ALU, GF-MUL, GF-DIV 연산장치가 병렬적으로 수행되는 동작 특성을 갖는다. 설계된 프로세서는 0.35um CMOS 공정에서 약 68,000개의 게이트로 구성되며, 시뮬레이션을 통한 최악 지연시간은 7.8 ns로 약 125 MHz의 동작속도를 갖는다. 설계된 프로세서는 320 kps의 암호율, 640 kbps을 복호율 갖고 7개의 유한체 연산을 지원하므로 다양한 암호와 통신 분야에 적용할 수 있다.

수직선배열센서를 이용한 정합장처리에서 음속분포 오정합에 의한 음원 위치추정에 관한 연구 (A Study on the Mismatch of Sound Speed Profile in Source Localization Based on MFP)

  • 변양헌;박재은;김재수
    • 한국음향학회:학술대회논문집
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    • 한국음향학회 1999년도 학술발표대회 논문집 제18권 1호
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    • pp.210-213
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    • 1999
  • 수동소나체계에서 음원의 위치와 관련된 매개변수를 산출하기 위해 정합장처리(Matched Field Processing)가 이용된다 본 연구에서는 수직선배열센서를 이용한 정합장처리에서 음원 위치추정에 영향을 미치는 다양한 요인 중, 수직음속분포 오정합(mismatch)에 의한 영향을 MV 프로세서 (Minimum Variance Processor)를 이용하여 모의실험함으로써 그 결과를 분석하였다. 천해 모의환경에서 동일한 기울기로 증감하는 수직음속분포 오정합은 음원 위치추정에서 거리성분의 오차를 가지며, 상이한 기울기를 갖는 수직음속분포 오정합은 거리와 수심 성분의 오차가 유발됨을 확인할 수 있었다. 심해 모의 환경에서 수직음속분포 오정합은 거리와 수심 성분의 오차가 유발되고, 거리추정의 전반적인 경향은 천해의 동일한 기울기를 가지는 경우와 유사함을 확인할 수 있었다.

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어닐링 온도 변화에 따른 다결정 MOSFET의 Subthreshold 특성 (Subthreshold characteristics of polysilicon MOSFETs depending on Annealing Temperature)

  • 홍찬희;백동수;홍재일;유주현;박창엽
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 1990년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.55-59
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    • 1990
  • N-Channel polysilicon MOSFETs (W/L=20/1.5, 3, 5.10$\mu\textrm{m}$) were fabricated using RTP(Rapid Thermal Processor) and hydrogen passivation. The N+ Source, drain and gate were annealed and recrystallized using RTP at temperature of 1000$^{\circ}C$-1100$^{\circ}C$. But the active areas were now specially crystallized before growing the gate oxide. Without the hydrogen passivation, excellent transistor characteristics (ON/OFF=5${\times}$10$\^$6/, s=85mv/dec, I$\_$L/=51pA/$\mu\textrm{m}$) were obtained for 1.5$\mu\textrm{m}$ MOSFET. Also the transistor characteristics were improved by hydrogen passivation.