• 한국광학회지
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• 제7권2호
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• pp.150-156
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• 1996

본 연구에서는 RWG MQW-LD가 weakly index-guided LD로 동작하기 위한 최적 걸게조건으로부터, 수직형 LPE장치를 사용하여 RWG MQW-LD를 제작하였다. 먼저 수회의 실험을 통해 MQW-DH웨이퍼를 photolithofraphy공정을 통해 폭이 4.mu.m인 ridge 패턴을 형성시켜 RWG MQW-LD를 제작하였으며 전기광학적 특성을 조사한 결과 I=2.7I$_{th}$ 이상에서도 측방향 단일모드 동작함을 알 수 있었다.

• 전자공학회논문지A
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• 제32A권8호
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• pp.86-93
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• 1995

Linwidth enhancement factor .alpha., linwidth, chirping and differential gain characteristics were measured and compared for each DFB-LDs containing active layers composed of bulk, MQW, and S-MQW, respectively. .alpha. of 6, 4 and 3.2 and chirping measured under 2.5Gbps modulation of 1.29nm, 0.67nm and 0.48nm were given for DFB-LDs of bulk, MQW and S-MQW active layers, respectively. And S-MQW has the largest differential gin of 2.4*10$^{-15}$ cm$^{2}$ (S-MQW) compared to the of 5.4*10$^{-16}$ cm$^{2}$(bulk) and 8.6*10$^{-16}$ cm$^{2}$(MQW). Linewidth enhancement facter .alpha. of less than 2 is expected with p-type modulation doped S-MQW DFB-LD.

• 한국광학회지
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• 제7권4호
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• pp.375-385
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• 1996

본 연구에서는 InGaAsP/InP RWG MQW-LD를 제작하기 앞서 이론해석으로부터 RWG MQW-LD의 도파로규격에 따른 측방향 유효굴절율차와 index-guided LD로 동작하는 임계 유효굴절율차의 값, 그리고 이러한 굴절율차에 따른 측방향에서의 단일모드 발진조건과 임계전류를 최소로 하기 위한 ridge 폭을 구하여 도파로를 설계하였다. 이론해석으로 부터는 순수한 index-guided LD로 동작하기 위한 측방향 임계 유효굴절율차 값은 일반적인 bulk층 보다는 약 2배 정도 큰 값인 약 0.015이었으며 도파로 설계에 있어서는 유효굴절율차가 0.015이며 측방향단일모드로 동작하기 위해서는 ridge 폭은 약 4.mu.m이하가 되어야 함을 알 수 있었다. 그리고 이때 임계전류값이 최소가 됨을 지적하였다.

• 한국광학회지
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• 제3권4호
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• pp.252-257
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• 1992

본 연구에서는 수직형 LPE 장치를 이용하여 InGaAsP/InP MQW-DH웨이퍼를 성장하고 10$\mu$m stripe MQW-LD를 제작하였다. 공진기 길이 470$\mu$m LD의 경우 이득스펙트럼 중심파장은 1.32$\mu$m였다. 발전파장은 1.302$\mu$m로써 양자우물두께 300$\AA$의 이득중심에 해당한다는 사실을 알 수 있었다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제25권3호
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• pp.1-5
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• 2018

본 연구에서는 InGaN/GaN multi quantum well (MQW)에서 Indium (In) 도핑효과에 따른 광전기화학적 특성을 관찰하였다. 기판으로는 Sapphire을 사용하였고, 각 Quantum well (QW)을 구성하고 있는 InGaN의 조성을 다르게 하였다. 투과도 측정 결과 일정한 In 조성을 가진 InGaN/GaN MQW에 비해 각 QW의 In 조성을 다르게 한 InGaN/GaN MQW에서 흡수도가 향상되는 것을 확인할 수 있었다. 이는 각각 다른 In 조성을 가진 InGaN 층이 더 넓은 영역의 스펙트럼 에너지를 가지는 빛을 흡수하기 때문인 것으로 생각된다. 광학적 특성을 평가하기 위해 진행한 상온 photoluminescence (PL) 실험을 진행한 결과, 역시 다양한 In 조성을 가진 InGaN/GaN MQW이 더 넓은 파장에서 발광이 나타나는 것을 확인할 수 있었다. 이들 샘플에 대한 광전기화학적 특성평가를 통하여, gradation In 조성을 가지고 있는 InGaN/GaN MQW이 일정한 In 조성을 가지는 InGaN/GaN MQW에 비해 광전기화학적 물분해 능력이 월등히 향상됨을 확인하였다.

• Journal of the Optical Society of Korea
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• 제1권1호
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• pp.44-47
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• 1997

The integration of a GaAs/AlGaAs multi-quantum well electroabsorption modulator and a tapered waveguide vertical direction optical interconnect has been performed without the complicated regrowth process. Zn impurity-induced layer disordering of MQW layer is used to achieve the energy transfer between SQW and MQW regions. Light coupled into a SQW region was transferred to an MQW region and an intensity modulation of 10 dB extinction ratio was demonstrated.

• 한국광학회지
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• 제5권3호
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• pp.418-422
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• 1994

본 연구에서는 MOVPE를 이용한 MQW활성층을 DFB-LD 구조에 도입함으로서 2.5Gbps 광전송용 광원으로 사용된 $ 1.55.\mu$m 파장의 MQW-PBH-DFB-LD를 제작하였다. 활성층으로는 MOVPE를 이용하여 8쌍의 InGaAs/InGaAsP MQW층을 성장하였으며 2차 및 3차 결정성장은 LPE를 사용하였고 발진파장을 결정하는 회절격자 주기는 238nm로 하였다. MQW-PBH-DFB-LD의 평균 임계전류는 13.81mA, Slope efficiency는 0.137mW/mA이었고 발진파장은 1548.6nm의 특성을 얻었다. 그리고 2.5Gbps 대신호 변조시의 chirping특성을 조사하여 본 결과 0.55nm임을 확인할 수가 있었다.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제20권3호
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• pp.167-171
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• 2021

The core-shell InGaN/GaN Multi Quantum Well-Nanowires (MQW-NWs) that were selectively grown on oxide templates with perfectly circular hole patterns were highly crystalline and were shaped as high-aspect-ratio pyramids with semi-polar facets, indicating hexagonal symmetry. The formation of the InGaN active layer was characterized at its various locations for two types of the substrates, one containing defect-free MQW-NWs with GQDs and the other containing MQW-NWs with defects by using HRTEM. The TEM of the defect-free NW showed a typical diode behavior, much larger than that of the NW with defects, resulting in stronger EL from the former device, which holds promise for the realization of high-performance nonpolar core-shell InGaN/GaN MQW-NW substrates. These results suggest that well-defined nonpolar InGaN/GaN MQW-NWs can be utilized for the realization of high-performance LEDs.

• 한국광학회지
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• 제7권3호
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• pp.266-271
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• 1996

본 연구에서는 수직형 LPE방법으로 제작된 InGaAsP/ImP RWG(Ridge Waveguide) MQW(Mutiple Quantum Well)-LD(Laser diode)의 광학적 특성을 조사하여 제작된 LD의 특성과 설계결과를 비교 분석하였다. 광학적 특성 분석결과 제작된 LD가 설계된 데로 측방향 단일모드로 동작하였으며 내부양자효율은 77%, 내부손실은 18$cm^{-1}$ /, 발진파장의 온도특성은 5.5.angs./C.deg.로 나타났다. 이러한 결과들로부터 수직형 LPE방법으로 성장된 에피층의 특성과 MQW의 계면특성이 아주 양호하다는 것을 알 수 있었으며 제작된 RWG MQW-LD의 특성도 양호함을 알 수 있었다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제37권4호
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• pp.45-52
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• 2000

본 논문에서는 직사각형 다중 양자 우물 광 도파관의 간단하고 효율적인 분석을 위한 새로운 모의 실험방법을 제시한다. 우선적으로 2 차원 도파관 구조는 유효 굴절률 법을 사용하여 1 차원 도파관 구조로 변형되고 이렇게 얻어진 등가의 평면 다중 양자 우물 도파관의 도파 특성 행렬은 새롭게 제시된 각도 스캔법(scanning angle method)에 의하여 분석된다. 직사각형 다중 양자 우물 도파관의 유효 굴절률, 모드 전장세기, 광 구속 인자는 이 방법을 사용하여 효율적으로 얻을 수 있다. 모의 실험결과는 유한 요소 법에 기초된 해와 거의 정확한 일치를 보인다. 또한 직사각형 다중 양자 우물 도파관의 분석을 위한 두 가지의 근사 해석 방식을 새롭게 도입하고 그 방식들의 유효성을 검증하였다. 퍼터베이션 분석(perturbation analysis)을 사용하여 직사각형 다중양자 우물 도파관에서 전송되는 모드의 전력 손실 계수를 새롭게 유도하고 평면 다중 양자 우물 도파관 근사를 사용한 전형적인 방법의 결과와 비교하였다.