• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2006년도 제31회 학술논문발표회 초록집
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• pp.123-123
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• 2006

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display
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• pp.544-547
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• 2006

In this study, the characteristics of large area internal linear ICP sources of $1,020mm{\times}920mm$ (substrate area is $880mm{\times}660mm$) were investigated using a multiple linear antennas with U-type parallel connection. Using the multiple linear antennas with U-type parallel connection, a high plasma density of $2{\times}10^{11}/cm^3$ and a high power transfer efficiency of about 88% could be obtained at 5kW of RF power and with 20mTorr Ar. A low plasma potential of less than 26V and a low electron temperature of $2.6{\sim}3.2eV$ could be also obtained. The measured plasma uniformity on the substrate size of 4th generation $(880mm{\times}660mm)$ was about 4%, therefore, it is believed that the multiple linear antennas with U-type parallel connection can be successfully applicable to the large area flat panel display processing.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2009년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.107-107
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• 2009

본 연구에서는 중성빔을 이용한 Atomic Layer Etching(ALET) system을 이용하여 $ZrO_2$의 atomic layer etching mechanism에 대하여 연구하였다. Ar neutral beam irradiation dose와 $BCl_3$ gas pressure의 변화에 따라 $ZrO_2$ etch rate와 RMS roughness를 관찰했을 때, Ar neutral beam irradiation dose이 $1.485{\times}10^{16}atoms/cm^2{\bullet}cycle$ 이상이고 $BCl_3$ gas pressure가 0.15mTorr 이상 일 때 $ZrO_2$ etch rate은 $1.07\;{\AA}/cycle$의 일정한 값에서 유지됨을 확인하였다. 그리고 ALET와 ICP Etcher을 통해 $ZnO_2$를 각각 식각하여 physically or chemically damage를 비교한 결과, ALET가 기존의 ICP Etcher system보다 $ZrO_2$ 식각공정에 대해 적은 damage를 받는 것을 ARXPS를 통해 관찰 하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.242-242
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• 2011

현재 반도체 및 디스플레이 장비들이 공정 매개변수 및 플라즈마 변수를 독립적으로 제어하기 위하여 전원 주파수를 다양하게 사용된다. 플라즈마의 상태나 에너지 전달 효율은 반도체 및 디스플레이 공정에 중요한 요소이다. 따라서 플라즈마 발생장치의 전원 주파수를 바꾸었을 때의 플라즈마 밀도와 에너지 전달 효율에 관하여 연구하였다. 공정용 유도 결합 플라즈마(ICP)를 발생시키기 위하여 신호 발생기에서 전력 증폭기와 임피던스 정합회로(Matcher)를 거쳐 반응 용기에서 플라즈마를 발생시켰다. 6 mTorr의 압력에서 주파수는 13.56 MHz에서부터 80 MHz까지, 15~60 W의 전력을 인가하였다. 플라즈마의 에너지 효율을 측정은 제작한 로고스키코일(Rogowski Coil)을 이용하여 시스템 전반을 등가회로로 계산하였으며, 플라즈마 밀도는 반응용기 중앙에서 부유 탐침법을 적용하여 도출하였다. 같은 전력 조건에서 주파수가 증가함에 따라 플라즈마 밀도가 증가함을 볼 수 있었다. 그러나 플라즈마 에너지 효율은 주파수가 높아짐에 따라 점점 커지다 작아지는 경향을 볼 수 있었다. 에너지 전달 효율의 변화는 정합회로의 표피효과(Skin effect)에 기인하며 플라즈마 밀도의 변화는 이온의 에너지 손실에 기인한다.

• 한국표면공학회지
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• 제44권1호
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• pp.26-31
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• 2011

Numerical modeling is used to investigate the perturbation of a single Langmuir probe (0.2 mm diameter shielded with 6 mm insulator) inserted along the center axis of a cylindrical inductively coupled plasma chamber filled with Ar at 10 mTorr and driven by 13 MHz. The probe was driven by a sine wave. When the probe tip is close to a substrate by 24.5 mm, the probe characteristics was unperturbed. At 10 mm above the substrate, the time averaged electric potential distribution around the tip was severly distorted making a normal probe analysis impossible.

• KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications
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• 제5C권3호
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• pp.124-130
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• 2005

In this paper, we designed a cylindrical type light source having an electromagnetic principle of inductively coupled plasma, and measured its electrical-optical properties. Using the transformer principle, an electrically equivalent circuit cylindrical type light source was analyzed. According to the parameters of electromagnetic induction, which were diameter of coil with cpO.3$\~$ 1.2mm, number of turns with 4$\~$ 12 turns, distance with 40$\~$ l20mm and RF power with 10$\~$ 150W, the electrical .md optical properties were measured. When the diameter of the coil was cp0.3mm, number of turns was 8 and distance was 40mm, and the maximum brightness of 29,730 cd/m$^{2}$ was shown with RF power l50W. The relationship between electromagnetic induction and plasma discharges was demonstrated using the mode transition from E-mode to H-mode

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2006년도 제37회 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1659-1660
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• 2006

After end of the 20th environmental problem was became issue. So about mercury free lighting sources are being studied very much. In this paper, a mercury and electrode free bulb was designed. in this bulb was injected mixed of Xe, Ne and Kr Gases. and then the bulb was discharged by 13.56MHz RF Power after spectrum, color coordinates and brightness were measured by spectrum meter CS-1000. Measured results were compared and analyzed, also analysis was able to do a characteristic of a gas defensive fight in proportion to a mixing ratio. Therefore the most of high brightness which was 4500cd/m2 was gained in 1:1 ratio of Xe:Ne at 60W input power.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2015년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.95-95
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• 2015

IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide) 물질은 기존에 사용되던 Amorphous Silicon에 비해 전자 이동도가 더욱 빠르기 때문에 차세대 디스플레이 재료로서 각광받고 있으며, 이러한 빠른 전자 이동도는 디스플레이 소자에 있어서 매우 중요한 요소 중 하나이다. 이를 향상시키기 위하여 본 연구에서는 ICP(inductively coupled plasma) antenna를 이용하여 rf power와 requency를 변화함으로써 박막 증착 시 발생되는 플라즈마의 특성을 조절하여, 박막의 특성을 조절하고자 했다. 이렇게 증착된 IGZO 박막은 Hall Effect Measurement를 이용하여 전기적 특성을 분석하였으며, XPS(x-ray photoelectron spectroscopy)를 이용하여 박막의 조성을 분석하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2005년도 하계학술대회 논문집 Vol.6
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• pp.168-169
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• 2005

실온에서 디스플레이 응용을 위하여 ICP CVD로 PET기판 위에 실리콘 산화 반사 방지막을 성장시키고, EDXA로 분석하였다. 분광 Ellipsometer, UV-V와 FTIR분광기를 이용하여 반사율을 3%이하까지 낮출 수 있다는 것을 확인하였고, SEM장비를 이용하여 표면 상태를 알아보았으며. Essential Macleod 광학디자인 프로그램을 이용한 시뮬레이션 결과와 일치함을 확인하였다. 본 연구결과를 이용하면 다층박막 대신 단층 반사방지막을 제작하여 경제적이고, 효과적인 반사방지막을 제작할 수 있다.

• 분석과학
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• 제24권2호
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• pp.61-68
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• 2011

알루미나에 니켈을 코팅하는 효율을 높이기 위하여 졸-겔법을 이용하여 비결정성 알루미나를 제조한 후, 음향화학법을 이용하여 니켈을 알루미나에 코팅하여 미립자를 제조하였다. 니켈을 코팅한 알루미나 미립자는 여러 가지 소성온도($500^{\circ}C$, $1,000^{\circ}C$), 니켈용액의 농도(0.01 M~0.2 M), 초음파반응시간 (30 min, 2 h)의 조건에서 제조하였다. 제조한 미분체는 X-Ray Diffractometer (XRD), Scanning Electron Microscope (SEM), Inductively Coupled Plasma Atomic Emission Spectroscopy (ICP-AES), Particle Size Analyzer (PSA)로 특성을 분석하였다. 니켈용액의 농도가 진해짐에 따라 그리고 초음파반응시간이 길수록 니켈의 코팅량이 증가하였다. 알루미나에 니켈을 코팅하는데 있어 $1000^{\circ}C$의 소성온도, 0.1 M의 니켈용액의 농도, 2시간의 초음파에 반응하였을 때 알루미나에 니켈이 가장 많이 코팅되었다. 그리고 평균입자의 크기는 835.9~986.7 nm였다.