A specific ammino auid in a mixture can be crystallized inside an ion exchange column when displacer concentration is high enough to concentrate the amino acid in a pure band beyond its solubility limit. Glutamic acid formpd a discrete crystal layer in a cation exchanger column by operating displacement development mode and using a high concentration of displacer NaOH. The glutamic acid crystal formed was eluded from the column with the effluent stream and collected in a fraction collector. When 1.0 M of NaOH was used as a displacer, more than 60% of the loaded glutamic acid was recovered as crystal. The continuous crystallization and dissolution of crystal occurred, resulting in apparent movement of the crystal along the column without clogging or pressure increase. NaOH was proved a better displacer than NaCl because hydroxide ions neutralized hydrogen ions released from the resin and thus reduced the number of hydrogen ion competing with sodium ion for re-adsorption. The displacement development process coupled with crystallization provided higher concentration and recovery of glutamic acrid than conventional chromatography.
The cationic isoperoxidases were isolated from oat root tips which had been grown in treatment with $1{\times}10^{-4}$ M alachlor and purified about 30-fold by treatment with ethylalchol and ion exchange chromatography on DEAF-celluose and CM-sephadex medium. The oat root was found to contain three isoperoxidase. The major activity peak (B) represented 65% of the total isoperoxidase activity. After purification, the major peak of isoperoxidase was purified about 37-fold from the oat root. Analysis of the major peroxidase peak(column fraction 58-78) by SDS revealed a single band which corresponed to a molecular mass of 42.5 kD. In vitro, isoperoxidase activies were inhibited by IAA. Isoperoxidase(50 unit) significantly inhibited 70.2% of cell division in oat root and 54.2% of cell elongation in oat coleoptile as compared with control.
The stoichiometric mixture of evaporating materials for the $CuInSe_2$ single crystal thin film was prepared from horizontal furnace. Using extrapolation method of X-ray diffraction patterns for the polycrystal $CuInSe_2$, it was found tetragonal structure whose lattice constant $a_0$ and $c_0$ were $5.783\;{\AA}$ and $11.621\;{\AA}$, respectively. To obtain the $CuInSe_2$ single crystal thin film, $CuInSe_2$ mixed crystal was deposited on throughly etched GaAs(100) by the HWE(Hot Wall Epitaxy) system. The source and substrate temperature were $620^{\circ}C$ and $410^{\circ}C$ respectively. The crystalline structure of $CuInSe_2$ single crystal thin film was investigated by the double crystal X-ray diffraction(DCXD). Hall effect on this sample was measured by the method of Van der Pauw and studied on carrier density and mobility depending on temperature. From Hall data, the mobility was likely to be decreased by impurity scattering in the temperature range 30 K to 100 K and by lattice scattering in the temperature range 100 K to 293 K. The temperature dependence of the energy band gap of the $CuInSe_2$ obtained from the absorption spectra was well described by the Varshni's relation, $E_g(T)=1.1851\;eV-(8.99{\times}10^{-4}\;eV/K)T^2/(T+153\;K)$. The open-circuit voltage, short current density, fill factor, and conversion efficiency of $n-CdS/p-CuGaSe_2$ heterojunction solar cells under $80\;mW/cm^2$ illumination were found to be 0.51V, $29.3\;mA/cm^2$, 0.76 and 14.3 %, respectively.
The stoichiometric mixture of evaporating materials for the $CaAl_2Se_4$: Co single crystal thin film was prepared from horizontal furnace. Using extrapolation method of X-ray diffraction patterns for the polycrystal $CaAl_2Se_4$, it was found orthorhomic structure whose lattice constant $a_0$, $b_0$ and $c_0$ were 6.4818, $11.1310{\AA}$ and $11.2443{\AA}$, respectively. To obtain the $CaAl_2Se_4$: Co single crystal thin film, $CaAl_2Se_4$: Co mixed crystal was deposited on throughly etched Si (100) by the HWE (Hot Wall Epitaxy) system. The source and substrate temperature were $600^{\circ}C$ and $440^{\circ}C$ respectively. The crystalline structure of $CaAl_2Se_4$: Co single crystal thin film was investigated by the double crystal X-ray diffraction (DCXD). Hall effect on this sample was measured by the method of Van der Pauw and studied on carrier density and mobility depending on temperature. From Hall data, the mobility was likely to be decreased by impurity scattering in the temperature range 30 K to 100 K and by lattice scattering in the temperature range 100 K to 293 K. The temperature dependence of the energy band gap of the $CaAl_2Se_4$: Co obtained from the absorption spectra was well described by the Varshni's relation, $E_g(T)=3.8239eV-(4.9823{\times}10^{-3}eV/K)T_2/(T+559K)$. The open-circuit voltage, short current density, fill factor, and conversion efficiency of $p-Si/p-CaAl_2Se_4$: Co heterojunction solar cells under $80mW/cm^2$ illumination were found to be 0.42 V, $25.3mA/cm^2$, 0.75 and 9.96%, respectively.
Nanostructures of ZnO, such as nanowires, nanorods, nanorings, and nanobelts have been actively studied and applied in electronic or optical devices owing to the increased surface to volume ratio and quantum confinement that they provide. ZnO seed layer (about 40 nm thick) was deposited on Si(100) substrate by RF magnetron sputtering with power of 60 W for 5 min. ZnO nanorods were grown on ZnO seed layer/Si(100) substrate at $95^{\circ}C$ for 5 hr by hydrothermal method with concentrations of $Zn(NO_3)_2{\cdot}6H_2O$ [ZNH] and $(CH_2)_6N_4$ [HMT] precursors ranging from 0.02M to 0.1M. We observed the microstructure, crystal structure, and photoluminescence of the nanorods. The ZnO nanorods grew with hexahedron shape to the c-axis at (002), and increased their diameter and length with the increase of precursor concentration. In 0.06 M and 0.08 M precursors, the mean aspect ratio values of ZnO nanorods were 6.8 and 6.5; also, ZnO nanorods had good crystal quality. Near band edge emission (NBE) and a deep level emission (DLE) were observed in all ZnO nanorod samples. The highest peak of NBE and the lower DLE appeared in 0.06 M precursor; however, the highest peak of DLE and the lower peak of NBE appeared in the 0.02 M precursor. It is possible to explain these phenomena as results of the better crystal quality and homogeneous shape of the nanorods in the precursor solution of 0.06 M, and as resulting from the bed crystal quality and the formation of Zn vacancies in the nanorods due to the lack of $Zn^{++}$ in the 0.02 M precursor.
A two-dimensional (2-D) interpretation of MT data has been performed for the purpose of fracture detection for geothermal development. Remote stations have been operated in Kyushu, Japan (480 km apart) as well as in Korea (60 km and 165 km apart in 2002 and 2003 data set, respectively). Apparent resistivity and phase curves calculated by remote processing with the Japan remote data showed enough quality for 2-D inversion for the whole frequency range. Remote reference processing with Korea remote reference data also showed quite good continuity in apparent resistivity and phase curves except some noisy frequency bands; around the power frequency, 60 Hz, and around the dead band $10^{-1}Hz\;Hz\;\~1\;Hz$, where the natural EM signal is known to be very weak. Even though the subsurface showed severe three-dimensional (3-D) characteristics in the survey area so that 2-D inversion by itself could not give enough information for deep geological structures, the 2-D inversion for the 5 survey lines showed several common features. The conductive semi-consolidate mudstone layer is dipping from north to south (about 500 m depth on the south and 200 m on the north most part of the survey area). The boundary between the low (L-2) and high (H-2) resistivity anomalies can be thought as a major fault with strike $N15^{\circ}E$, passing through the sites 206, 112 and 414. The shallow (< 1 km) conductive anomalies (L-4) seem to be fracture zones having strike E-W (at site 105) and $N60^{\circ}W$ (at site 434). And there exists a conductive layer in the western and west-southern part of the survey area in the depth below $2\~3\;km$, for which further investigation is to be needed.
Protoplasts isolated from leaf mesophyll tissues of Populus koreana ${\times}$ P. nigra var. italica were fused with those of P. euramericana cv. Guardi. Well expended healthy leaves of 5 to 7 week-old-plantlet grown in vitro were used as source materials. Leaves from P. koreana ${\times}$ P. nigra var. italica and P. euramericana cv. Guardi were digested in enzyme solution I (2.0% Cellulase, 1.2% Hemicellulase, 0.4% Macrozyme, 2.0% Driselase, 0.05% Pectolyase ; w/v) and enzyme solution II (1.0% Cellulase, 1.2% Hemicellulase, 0.4% Macrozyme, 2.0% Driselase, 0.05% Pectolyase ; w/v), respectively, The highest frequency of fusion among the protoplasts originated from the two source materials was approximately 21% using 40% PEG or 15% dextran. In addition, fusion frequency was enhanced by incorporating 30mM of $Ca^{2+}$ in eluting solution at pH 10.5. Dividing cells and/or mint-calli were obtained by culturing the fusion products in a liquid 8p-KM medium supplemented with 0.6M sucrose, $0.45{\mu}M$ 2, 4-D, and $0.5{\mu}M$ BA. Shoots were regenerated from the fusion product-derived calli after culture on MS medium containing $5.0{\mu}M$ zeatin. To verify the putative hybrid or cybrid, SDS-PAGE was carried out. From the 24 regenerants, just two plants showed intermediate protein band patterns compared with those of the original source plants.
Park, Chan-Yong;Kim, Dug-Bong;Kim, Chung-Hwan;Kwon, Yongjoon;Kang, EungCheol;Lee, Changjae;Choi, Soon-Gyu;La, Jongpil;Ko, Jin Sin
Korean Journal of Optics and Photonics
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v.24
no.1
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pp.1-8
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2013
In this paper, we report design, fabrication and characterization of the WBRM (Wide Band Receiver Module) for LADAR (LAser Detection And Ranging) application. The WBRM has been designed and fabricated using self-made APD (Avalanche Photodiode) and TIA (Trans-impedance Amplifier). The APD and TIA chips have been integrated on 12-pin TO8 header using self-made ceramic submount and circuit. The WBRM module showed 450 ps of rise time, and corresponding 780 MHz bandwidth. Furthermore, it showed very low output noise less than 0.8 mV, and higher SNR than 15 for 150 nW of MDS(Minimum Detectable Signal). To the author's knowledge, this is the best performance of an optical receiver module for LIDAR fabricated by 200 um InGaAs APD.
Journal of the Korean Institute of Intelligent Systems
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v.18
no.5
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pp.724-729
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2008
This paper presents the calculation of the required bandwidth of common frequency bandwidth applying queueing theory for maximizing the efficiency of frequency resource of WPAN(Wireless Personal Area Network) based Digital acoustic and communication devices. It assumed that LBT device(ZigBee) and FH devices (DCP, RFID and Bluetooth) coexist in the common frequency band for WPAN based Digital acoustic and communication devices. Frequency hopping (FH) and listen before talk (LBT) have been used for interference avoidance in the short range device (SRD). The LBT system transmits data after searching for usable frequency bandwidth in the radio wave environment. However, the FH system transmits data without searching for usable frequency bandwidth. The queuing theory is employed to model the FH and LBT system, respectively. As a result, the throughput for each channel was analyzed by processing the usage frequency and the interval of service time for each channel statistically. When common frequency bandwidth is shared with SRD using 250mW, it was known that about 35 channels were required at the condition of throughput 84%, which was determined with the input condition of Gaussian distribution implying safety communication. Therefore, the common frequency bandwidth is estimated with multiplying the number of channel by the bandwidth per channel. These methodology will be useful for the efficient usage of frequency bandwidth.
AlN thin films were fabricated by reactive sputtering for the application of MIS devices with Al/AlN/Si structure. It has investigated the surface morphology change, I-V characteristics, C-V characteristics, and chemical composition of AlN films with the intriducing time of hydrogen on the fixed deposition condition(RF power: 150W, sputtering pressure: 5mTorr, flow rate ratio of $Ar/N_2=1$, hydrogen concentration: 5%). By addition of the hydrogen the deposition rate decreased drastically whereas the surface morphology changed little. It has been found from the analysis of I-V and C-V characteristics curves that the films deposited with hydrogen addition in initial stage had lower leakage current density, lower flat band voltage and hystersis profile when compared with those with hydrogen addition in last stage. The oxygen concentration in AlN films decreased with addition of hydrogen gas, which suggesting a profitable role in the insulation and C-V characteristics of AlN films.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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