본 논문에서는 입력전력에 따라 드레인 바이어스를 조절하여 낮은 입력 전력에서도 고효율 동작이 가능한 무선전력전송용 고효율 class-E 전력증폭기를 설계하였다. 고효율 동작이 가능한 class-E 전력증폭기에 적응형 바이어스 조절회로를 추가하여 낮은 입력 전력에서 드레인 바이어스를 조절함으로써 전체적인 효율의 향상을 얻을 수 있다. 제안된 적응형 class-E 전력증폭기는 효율의 향상을 위해 직렬 공진회로와 입, 출력 정합회로를 이용하여 구현하였으며, 입력전력에 따라 드레인 바이어스를 조절하기 위해 방향성 결합기, 전력 검출기, 연산 증폭기를 이용하여 적응형 바이어스 조절회로를 구성하였다. 따라서 전력증폭기의 최대출력과 전력효율은 13.56 MHz에서 41.83 dBm, 85.67 %이고, 0 dBm ~ 6 dBm의 낮은 입력 전력에서 고정형 바이어스보다 평균 8 %의 효율의 증가를 확인하였다.
MBE법에 의해 성장된 AlxGa1-xAs 에피층의 특성을 photoreflectance(PR) 측정으로 분석하였다. Low power Franz Keldysh(LPFK)를 만족하는 GaAs 완충층에 의한 Frang-Keldysh Oscillation(FKO) 분석에서 띠간격에너지(E0) 값은 1.415eV, 계면 전기장(Ei) 은 1.05$\times$104V/cm, 운반자 농도(Ns)는 $1.3{\times}10^{15}\textrm{cm}^{-3}$이였다. PR상온 스펙트럼 분석에서 Eo(AlxGa1-xAs) 신호 아래 $A^*$피크는 시료 성장시 존재하는 불순물 carbon에 의한 것으로 완충층 GaAs보다 다소 PR신호 세기가 낮고 왜곡된 신호를 나타내었다. 또한, GaAs완충층 의 트랩 특성시간은 약0.086ms정도이며, 1.42eV 부근 두 개의 중첩된 PR신호는 화학적 식 각으로 GaAs의 기판에 의해 나타나는 3차 미분형 신호와 GaAs완충층에 의해 나타나는 FKO신호가 중첩되어 나타남을 알 수 있었다.
In this study, a new measurement method based on voltage transients in CdZnTe detectors response to low energy photon irradiations is applied to measure the electron mobility (${\mu}_e$) and electron mobility-lifetime product $({\mu}{\tau})_e$ in a CdZnTe detector. In the proposed method, the pulse rise times are derived from low energy photon response to 59.5 keV($^{241}Am$), 88 keV($^{109}Cd$) and 122 keV($^{57}Co$) ${\gamma}-rays$ for the irradiation of the cathode surface at each detector for different bias voltages. The electron $({\mu}{\tau})_e$ product was then determined by measuring the variation in the photopeak amplitude as a function of bias voltage at a given photon energy using a pulse-height analyzer. The $({\mu}{\tau})_e$ values were found to be $(9.6{\pm}1.4){\times}10^{-3}cm^2V^{-1}$ for $1000mm^3$, $(8.4{\pm}1.6){\times}10^{-3}cm^2V^{-1}$ for $1687.5mm^3$ and $(7.6{\pm}1.1){\times}10^{-3}cm^2V^{-1}$ for $2250mm^3$ CdZnTe detectors. Those results were then compared with the literature $({\mu}{\tau})_e$ values for CdZnTe detectors. The present results indicate that, the electron mobility ${\mu}_e$ and electron $({\mu}{\tau})_e$ values in CdZnTe detectors can be measured easily by applying voltage transients response to low energy photons, utilizing a fast signal acquisition and data reduction and evaluation.
본 논문에서는 전력증폭기의 입력신호의 크기에 따라 CMOS class-E 전력증폭기의 게이트와 드레인의 바이어스 전압을 조절함으로써 낮은 출력전력에서도 80% 이상의 고효율 특성을 갖는 CMOS class-E 전력증폭기를 설계하였다. 입력신호의 포락선을 검파하여 전력증폭기의 바이어스 전압을 조절하는 방법을 이용하였고, 동작주파수는 2.14GHz, 출력전력은 22dBm에서 25dBm, 전력부가효율은 모든 입력전력레벨에서 80.15%에서 82.96%의 특성을 얻을 수 있었다.
Recently, E-glass fiber is the one of most widely used ceramic fiber for aerospace fields. Recycling technology for waste of wind power blades is arising issue for reasons of low manageability and high cost of wastes. Though glass fiber is perfectly dissolved in hydrofluoric acid, low cost for recycling and harmless to human is important for recycling of blades. Chemically melted glass fiber will be used as different purpose like accelerator of hardening for shotcrete. In this study, dissolution process of glass fiber is tested in NaOH solution at low temperatures. In addition, difference in diameter reduction of glass fiber is observed by various alkali concentration and reaction times, treatment temperatures using FE-SEM.
Stoichiometric, uniform, amorphous ZrO$_2$ films with an equivalent oxide thickness of ∼1.5nm and a dielectric constant of ∼18 were deposited by an atomic layer controlled deposition process on silicon for potential application in meta-oxide-semiconductor(MOS) devices. The conduction mechanism is identified as Schottky emission at low electric fields and as Poole-Frenkel emission at high electric fields. the MOS devices showed low leakage current, small hysteresis(〈50mV), and low interface state density(∼2*10e11/cm2eV). Microdiffraction and high-resolution transmission electron microscopy showed a localized monoclinic phase of ${\alpha}$-ZrO$_2$ and an amorphous interfacial ZrSi$\_$x/O$\_$y/ layer which has a correspondign dielectric constant of 11
This paper proposes the Low Cost Class-E Converter with Power Conversion Operation of Piezoelectric Transformer. The Power Piezoelectric transformer capacity used in the proposed circuit is 15W and the electric equivalent circuit is presented. Class E type converter has some merits such as small component count, small size, and low cost. The topology has also ZVS conditions for main switch, thus in efficiency aspect, it is also competitive for commercial feasibility. The analysis and design guideline are suggested and also they are verified by experimental results.
Metallicity is one of the most important properties in understanding galaxy evolution. However, measuring metallicity is limited to low redshift (z<3.5) due to the faintness of the metallicity indicators in normal galaxies. For high redshift universe, active galactic nuclei (AGN) can be used to constrain the host galaxy metallicity. Previous studies investigated AGN metallicity using emission line flux ratios (i.e., NV/CIV and FeII/MgII), finding no evolution up to z~6. Those results might be due to selection effect since previous studies are based on very luminous AGNs. The observed luminosity-metallicity relation of AGNs (e.g., Nagao et al. 2006) suggests that luminous AGNs may be already matured at the observed epoch. Considering the luminosity-metallicty relation, we focused on low luminosity AGNs to find young AGNs (i.e., low metallicity). Through the Gemini/GNIRS observation in 2012A and 2015A (K-GMT GN-2015A-Q-203 PI: Shin, J.), we obtained the Gemini/GNIRS data for 7 high redshift AGNs (3.0
In the high oil prices age, intensification of energy efficiency promotion in the building sector is required. Windows are dominating large percentage whole building loads, and are regarding as the primary target of energy efficiency. The purpose of this study is to draw up a technical counterplan for the intensification of windows energy efficiency and spread promotion by quantitative thermal performance with KS test method for a comparison between the general Pair glass windows and the Low-e pair glass windows.
염농도에 따른 E. tarda CK41의 운동성을 알아보기 위하여 1.0%와 3.5%의 염농도를 가지는 운동성 측정 배지에서 집락의 변화를 관찰한 결과, 3.5% 염농도 조건에서 운동성이 감소하는 것을 확인할 수 있었다. 1.0%과 3.5% 염농도 조건에서의 생육도를 측정해본 결과 각 염농도 조건에 따른 생균수의 차이는 매우 적은 것으로 보아, 높은 염농도에서의 운동성의 감소는 생육정체가 아닌 실질적인 운동성의 차이에 의함을 알 수 있었다. 이러한 염농도에 의한 운동성의 차이가 편모에 의한 것인지를 알아보기 위하여 투과 전자 현미경으로 형태학적 관찰을 해본 결과, 3.5% 염농도에서는 편모의 형성이 되지 않음을 확인하였다. E. tarda는 PFAD와 FDP 두개의 편모 유전자를 가지며 이들간의 아미노산 상동률은 93%로 높은 편이다. 편모의 발현양의 확인을 위하여 PFAD 특이적인 다클론성 항체를 제작하기 위하여, PFAD를 과발현시키는 재조합 플라스미드 pBP793을 구축하여 대장균 발현시스템으로 발현시켜 정제한 후, 토끼에서 면역반응을 유도하여 특이 항체를 제작하였다. PFAD 특이적인 다클론성 항체를 이용한 immunoblot assay 결과, 3.5% 염농도 조건에서 배양한 E. tarda CK41의 경우 1.0% 염농도에서 보다 반응하는 면역 활성 단백질 밴드가 낮은 것으로 측정되었다. 이러한 결과를 종합하여 볼 때, 염농도가 높은 해수환경에서의 운동성의 감소는 E. tarda CK41의 편모 단백질이 제대로 발현되지 않아 기능적인 편모의 형성이 이루어지지 않는다는 것을 예증하고 있다. 향후 연구에서 어떠한 메카니즘에 의해 염농도가 flagellin의 발현을 조절하는지를 밝힐 필요가 있다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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