SHS 법으로 MoSi2 분말, (Mo1/2W1/2)Si2 분말 및 WSi2 분말을 합성하고 이 분말들을 500℃, 1,000℃, 1,200℃, 1,300℃, 1,400℃, 1,500℃ 및 1,600℃에서 열처리한 다음, 결정구조 및 열중량 변화 등을 관찰하였다. Mo-W-Si계의 silicide 분말은 500℃의 저온에서도 산화 반응이 일어나며, 저온 산화 및 분해로 생성되는 결정상은 MoO3이었다. 1,200℃ 이상에서 열처리를 한 경우에 분해반응으로 생성된 SiO2의 결정상은 상온에서 흔히 관찰되는 α-quartz가 아닌 α-cristobalite 상으로 생성되었다. W이 포함되면 저온과 고온에서 분해 반응이 더 많이 일어나는 것으로 나타났으며, 분말을 성형하여 소결한 시편의 경우에 MoSi2와 (Mo1/2W1/2)Si2는 저온이나 고온에서 1시간 열처리를 하더라도 저온산화에 의한 분해와 그에 따른 질량 변화 반응을 관찰하기 어려웠지만 WSi2는 저온 산화에 의하여 소결 자체가 어려웠다.
본 연구는 주요 봄배추 품종에 대하여 야간 저온처리가 생육 및 추대에 미치는 영향을 평가하여 봄배추 육묘 시 안정 환경관리의 기준을 설정하고자 수행하였다. 시험에는 '춘광' 등 주요 봄배추 7품종을 이용하였으며 생육상을 이용하여 야간에 $5^{\circ}C$ 및 $10^{\circ}C$의 저온처리를 실시하였다. 처리시점은 파종 후 5, 10 및 15일째부터, 처리기간은 각 처리시작 시점부터 5, 10 및 15일간으로 각각 조합 처리한 후 포장에서의 생육 및 추대 여부를 조사하였다. 시험에 사용한 모든 품종에 있어서 최대 $5^{\circ}C$에서 15일간의 야간 저온처리에 의하여 유묘생육은 크게 저하하였으나 재배기간 동안 추대는 일어나지 않았으며 정식 90일 후 정상적인 수확이 가능하였다. '춘광' 품종에 대한 육묘기 야간 저온처리 개시 시점과 처리기간의 복합 처리 결과, 낮은 온도조건으로 어린식물체의 상태에서 처리기간이 길어짐에 따라 묘 생체중이 대조구에 비해 최대 59.3%까지 크게 감소되었다. 반면 저온처리 후 생육이 극도로 억제된 묘는 정식 후 생육이 다시 회복되어 수확시 생체중은 대조구 대비 72.3~110%의 범위를 나타내어 모든 처리구에서 정상적인 수확이 가능하였다. 또한 $5^{\circ}C$ 또는 $10^{\circ}C$에서 최대 15일간의 육묘기 야간저온 처리에 의한 추대 현상은 관찰되지 않았다. 본 연구를 통해 봄배추 주요 품종에 대한 육묘기 야간 저온이 생육에 미치는 영향은 제한적으로 나타났다. 육묘기간 동안 단기간 $5^{\circ}C$ 이하의 저온에 노출된 경우에도 주간의 적정한 온도관리와 포장에서의 기후조건에 따라 추대를 지연시키거나 방지시킬 수 있을 것으로 생각된다.
$ZrOCl_2{\cdot}8H_2O$ 수용액과 $NH_4OH$ 수용액을 반응시켜 얻은 지르코니아 수화물을 반응조건으로 100∼250$^{\circ}$C, 1∼48시간과 1, 5 M NaOH 수용액에서 수열합성하여 결정형 나노크기의 지르코니아 분말을 제조하였다. 수열합성 온도가 낮을 경우 구형의 정방정상 나노입자가 합성되었으며, 합성온도가 증가하면서 입자크기의 증가 및 입자모양도 막대상으로 변하면서 결정상도 단사정상을 나타내었다. NaOH 용액의 몰 농도가 증가함에 따라 합성된 입자의 폭과 길가 크며 장단축비는 감소하였다. 반면에 NaOH 용액의 농도가 낮을 경우 입자 길이가 폭에 비해 상대적으로 크고, 이에 따라 장단축비가 큰 막대상 입자가 합성되었다.
양파의 인경 비대기인 3-5월에 급변 온도조건을 유도시켜 양파의 생육반응과 수량을 조사하였다. 시험품종은 중만생종인 선샤인을 2012년 9월 4일에 파종하여 10월 30일에 정식하였고 다음해 5월 30일에 수확하였다. 온도변화에 따른 처리구는 3-4-5월 평균온도(T0 대조구: $6.0-10.4-17.2^{\circ}C$, T1: $6.0-5.4(-5)-17.2^{\circ}C$, T2: $6.0-10.4-22.2(+5)^{\circ}C$, T3: $6.0-5.4(-5)-22.2(+5)^{\circ}C$)를 기준으로 4월과 5월에 ${\pm}5^{\circ}C$씩 온도차를 두었다. 그 결과, T2처리구가 T0 대조구에 비하여 양파 생육과 구의 수량이 증가하였으나 저온처리구인 T1에서는 감소하였다. 무기이온 함량에서는 3월보다는 5월에 다량원소의 감소가 있었고 고온보다 저온에서 함유량이 높았다. 호르몬의 변화는 구의 비대시기와 밀접하게 관련이 있었으며 ABA 함량의 증가는 구의 비대를 촉진하였다. 따라서 급변온도에 대한 비대기 양파의 생육과 수량은 고온보다는 저온기간이 길어질수록 수량지수가 감소됨을 확인하였다.
본 연구는 천마의 종자생산을 위한 수확시기별 처리 방법에 따른 자마 생산 효과를 구명하고자 수행하였다. 봄수확 천마는 괴경의 무게를 60-99 g, 100-139 g, 140-179 g, 180 g 이상으로 처리하였고, 가을수확 천마는 $5{\pm}1^{\circ}C$의 저온을 2, 4, 6, 8, 10주 처리하였다. 그 결과, 봄수확 천마는 괴경의 무게가 100 g 이상일 경우, 인공수정률이 90.9%-94.8%, 원괴체 형성률이 3.1%-5.4%, 자마 형성률이 10.1%-15.3%로 나타났다. 가을수확 천마는 4주 이상의 저온처리 시 인공수정률이 70.4%-87.6%, 원괴체 형성률이 2.2%-2.6%, 자마 형성률이 8.7%-9.5%로 나타났다. 따라서, 종자 및 자마 생산을 위해서는 봄수확 천마는 100 g 이상의 괴경을 사용해야 하고, 가을수확 천마는 저온에서 4주 이상의 휴면타파가 필요했다. 가을수확 천마를 이용할 경우 봄수확 천마에 비해 인공수정률, 원괴체 및 자마 형성률이 낮았지만, 자연 발아 상태보다 월등히 높았다. 따라서 일정한 괴경의 무게와 저온처리 휴면타파를 이용하면 천마의 종자와 자마가 확보됨으로써 천마의 연중생산이 가능할 것으로 판단되었다.
This study is intended to make defect-free region, denuded zone at the silicon wafer surface for semiconductor device substrates. In this experiment, initial oxygen concentration of starting material CZ-grown silicon wafer, various heat treatment combinations, denuding ambient and the amounts of oxygen reduction were measured, and then denuded zone (DZ) formation and depth were investigated. In Low/High anneal (DZ formation could be achieved), the optimum temperature for Low anneal was 700$^{\circ}C$∼750$^{\circ}C$. In case of High anneal, with the time increased, DZ depth was increased at 1000$^{\circ}C$, 1150$^{\circ}C$ respectively, but on the contrary, DZ depth was decreased at low temperature 900$^{\circ}C$. As well, out-diffusion time below 2 hours was unsuitable for effective Gettering technique even though the temperature was high, and DZ formation could be achieved when initial oxygen concentration was only above 14 ppm in silicon wafer.
Previous investigation results revealed that after the Low Temperature Plasma (LTP) treatment, the hydrophilicity of wool fiber was improved significantly. Such improvement enhances the wool dyeing and finishing processes which might be due to the changes of the wool surface to a more reactive one. In this paper, wool fibers were treated with LTP with different gases, namely, oxygen, nitrogen and gas mixture (25 % hydrogen/75 % nitrogen). Investigations showed that chemical composition of wool fiber surface varied differently with the different plasma gas used. The surface chemical composition of the different LTP-treated wool fibers was evaluated with different characterization methods, namely FTIR-ATR, XPS and saturated adsorption value. The experimental results were thoroughly discussed.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제15권2호
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pp.249-254
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2015
Solution-derived amorphous indium-gallium-zinc oxide (a-IGZO) thin-film-transistor (TFTs) were developed using a microwave irradiation treatment at low process temperature below $300^{\circ}C$. Compared to conventional furnace-annealing, the a-IGZO TFTs annealed by microwave irradiation exhibited better electrical characteristics in terms of field effect mobility, SS, and on/off current ratio, although the annealing temperature of microwave irradiation is much lower than that of furnace annealing. The microwave irradiated TFTs showed a smaller $V_{th}$ shift under the positive gate bias stress (PGBS) and negative gate bias stress (NGBS) tests owing to a lower ratio of oxygen vacancies, surface absorbed oxygen molecules, and reduced interface trapping in a-IGZO. Therefore, microwave irradiation is very promising to low-temperature process.
For the modification of wool surface, wool fabrics treated with oxygen low-temperature plasma(LTP) and dichloroisocyanuric acid(DCCA) were dyed with milling type acid dye. The difference of dyeing properties on modified and control wool fabric were investigated. DCCA treated wool showed that saturation dye uptake and dyeing desorption ratio were higher than LTP treated wool. Dyeing transition temperatures of DCCA and LTP treated wool fabrics were 20$^{\circ}C$ degree lower than control wool fabric. In light color fastness test, DCCA treated wool fabric was 1 grade lower than LTP or control wool fabric.
Fundamental studies at the CSIRO division of Wool technology and ICI on the diffusion of dyes into wool〔1,2〕have let to development of a new approach to wool dyeing. In this method, the cell membrane complex of wool is modified before dyeing by treatment under mildly alkaline conditions with a special chemicals. Wool pretreated with ethoxylated quaternary ammonium salt has an increased rate of dyebath exhaustion and dye penetration early in the dyeing cycle. This enables the treated material to be dyed below the boil for a similar time to the conventional cycle. This technique can be used on untreated and shrinkresist-treated wool and wool/nylon blends. In addition to good macro-levelness and excellent coverage of tippiness, the low temperature dyeing process give higher exhaustion levels of dyestuffs and insect-resist agent and hence cleaner effluent liquors, compared with conventional dyeing process. Low Temperature Dyeing process cause significantly less fiber damage than conventional way. The reduction in damage is reflected in improved processing performance of the dyed wool.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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