Czochralski 단결정 성장계에서 유체동의 표면 복사열전달을 고려하여 온도분포를 모사하였다. 복사열전달 고려시 표면요소들의 view factor를 고려하였다. 고-액의 2상은 고상에 가상적으로 매우 큰 점성을 부여하여 연속의 단상으로 처리하였으며 응고시 잠열은 반복열량 방출법을 개발하여 처리하였다. 본 연구에서 개발한 응고 모델을 증명하기 위하여 Ca 금속의 용융에 적용하여 실험결과와 비교한 결과 잘 맞는다는 것을 알아낸 후 본 모사 프로그램을 Cz계에서 Al금속의 단결정 성장에 적용하였다.
한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display
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pp.776-779
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2006
The alignment of liquid crystal (LC) is one of the key issues of liquid crystal display (LCD) technologies. In this study, we aligned polyimide (as the LC alignment layer) by ALT plasma beam and to realize the stability and characteristics of this technology. The characteristics such as anchoring energy, pre-tilt angle, voltage holding ratio(VHR) and residual direct current(Rdc) were discussed. Besides, we applied it to the in plane switch (IPS) mode 23" WXGA real panel, the performance parameters and electrical properties were measured and compared with those of rubbing alignment. From the result, we demonstrated a successful LC alignment treatment process in real panel by ALT plasma beam.
Nam, Hyoung-Sik;Oh, Jae-Ho;Shin, Byung-Hyuk;Oh, Kwan-Young;Berkeley, Brian H.;Kim, Nam-Deog;Kim, Sang-Soo
Journal of Information Display
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제9권1호
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pp.1-5
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2008
Two new impulsive driving technologies for 120Hz liquid crystal display (LCD) panels are proposed to improve moving picture quality. One technology generates the dark frame using an adder and a shifter simply without using any look up tables (LUTs). It results in a cost effective impulsive scheme with motion picture quality comparable to that of high speed driving. The other is a backlight flashing method designed to avoid ghost images. The issue of ghost images caused by the slow response time of liquid crystal (LC) is solved by means of 120Hz overdriving and 120Hz backlight flashing. Using the perceived blur edge time (PBET) metric, measured moving picture response time (MPRT) values were 10.8ms and 4.4ms, respectively, while that of 120Hz high speed driving was 10.1ms.
올레오겔은 친유성의 액체와 고체의 혼합물로 정의할 수 있다. 고상의 지질 물질(올레오겔 형성제)은 10 wt.% 미만의 농도로 네크워크 형성에 의해 오일을 함유할 수 있다. 올레오겔 형성제는 자발적 회합계와 결정화 입자계의 두 가지 그룹으로 나눌 수 있다. 본 연구에서는 다양한 올레오겔 형성제를 이용한 올레오겔 형성에 관한 최근 연구 결과를 살펴보고자 한다. 지질 네트워크 형성의 기본적인 양상을 올레오겔을 기본으로 한 결정화 입자와 관련하여 논의하고자 한다. 또한 올레오겔의 화장품에의 응용 사례에 대해 기술하고자 한다.
한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
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pp.107-108
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2008
The spectacular development of AMLCDs, been made possible by a-Si:H technology, still faces two major drawbacks due to the intrinsic structure of a-Si:H, namely a low mobility and most important a shift of the transfer characteristics of the TFTs when submitted to bias stress. This has lead to strong research in the crystallization of a-Si:H films by laser and furnace annealing to produce polycrystalline silicon TFTs. While these devices show improved mobility and stability, they suffer from uniformity over large areas and increased cost. In the last decade we have focused on microcrystalline silicon (${\mu}c$-Si:H) for bottom gate TFTs, which can hopefully meet all the requirements for mass production of large area AMOLED displays [1,2]. In this presentation we will focus on the transfer of a deposition process based on the use of $SiF_4$-Ar-$H_2$ mixtures from a small area research laboratory reactor into an industrial gen 1 AKT reactor. We will first discuss on the optimization of the process conditions leading to fully crystallized films without any amorphous incubation layer, suitable for bottom gate TFTS, as well as on the use of plasma diagnostics to increase the deposition rate up to 0.5 nm/s [3]. The use of silicon nanocrystals appears as an elegant way to circumvent the opposite requirements of a high deposition rate and a fully crystallized interface [4]. The optimized process conditions are transferred to large area substrates in an industrial environment, on which some process adjustment was required to reproduce the material properties achieved in the laboratory scale reactor. For optimized process conditions, the homogeneity of the optical and electronic properties of the ${\mu}c$-Si:H films deposited on $300{\times}400\;mm$ substrates was checked by a set of complementary techniques. Spectroscopic ellipsometry, Raman spectroscopy, dark conductivity, time resolved microwave conductivity and hydrogen evolution measurements allowed demonstrating an excellent homogeneity in the structure and transport properties of the films. On the basis of these results, optimized process conditions were applied to TFTs, for which both bottom gate and top gate structures were studied aiming to achieve characteristics suitable for driving AMOLED displays. Results on the homogeneity of the TFT characteristics over the large area substrates and stability will be presented, as well as their application as a backplane for an AMOLED display.
Zhang, Baolong;Li, K. K.;Huang, H. C.;Chigrinov, V.;Kwok, H. S.
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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한국정보디스플레이학회 2003년도 International Meeting on Information Display
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pp.295-298
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2003
Reflective mode liquid crystal on silicon (LCoS) microdisplay is the major technology that can produce extremely high-resolution displays. A very large number of pixels can be packed onto the CMOS circuit with integrated drivers that can be projected to any size screen. Large size direct-view thin film transistor (TFT) LCDs becomes very difficult to make and to drive as the information content increases. However, the existing LC alignment technology for the LCoS cell fabrication is still the mechanical rubbing method, which is prone to have minor defects that are not visible normally but can be detrimental if projected to a large screen. In this paper, application of photo-alignment to LCoS fabrication is presented. The alignment is done by three-step exposure process. A MTN $90^{\circ}$ mode is chose as to evaluate the performance of this technique. The comparison with rubbing mode shows the performance of photo-alignment is comparable and even better in some aspect, such as sharper RVC curve and higher contrast ratio.
$YBa_2Cu_3O_x$ 고온 초전도체 상을 MgO 단결정위에 증착시키기 위하여 액상의 에어로 졸 입자를 저온 플라즈마의 화학증기 증착로안에 유입하였다. 플라즈마의 분포를 조절하기 위한 반응로의 설계에 따라 초전도체상의 미세구조가 변화하는 양상을 관찰하였으며, 이때 증착 기판 위에서 관찰되는 입자들의 생성원인에 대하여 고찰하였다. 입자생성의 주된 원인으로는 불안정한 플라즈마의 분포와 출발원료의 낮은 기화속도에 기인하는 것으로 나타났다. 또한 증착속도는 출발원료가 기화되는 곳으로부터 멀어질수록 급격히 감소하는 것으로 밝혀졌다.
자기 조립성 염료인 Sunset Yellow-FCF 수용액은 상온에서 농도 25 wt%부터 schlieren 구조의 액정상을 보이기 시작하여, 28 wt% 이상이면 완전한 네마틱 액정상으로 관찰되었다. 전단배향에 의한 코팅으로 광학적 이방성 필름을 제조하기 위해서는 30 wt% 이상의 농도가 필요하였다. 액정 색소의 농도, 코팅속도, 건조 온도, 상대습도 등 코팅 변수가 최종 박막필름의 두께, 투과도에 미치는 영향 분석에 의하면, 최종 필름의 두께에는 용액의 농도가 가장 큰 영향을 주었으며, 평행방향의 투과도에는 건조 온도와 농도의 영향이 가장 컸다. 특히 Sunset Yellow-FCF의 농도 증가로 전단코팅에 의한 배향성이 개선되고 높은 편광도를 갖는 필름제조가 가능하였다. 본 실험에서는 33 wt%의 Sunset Yellow-FCF 수용액을 사용하면, 89.7~98.7%의 편광도를 갖는 광학적 이방성 필름이 제조되었다.
디스플레이는 브라운관을 시작으로 PDP(Plasma Display Panel), LCD(Liquid Crystal Display) 이후 AMOLED(Active Marix Organic Light Emitting Diode) 순으로 시장을 형성하고 있다. 유기발광다이오드 OLED는 4차 산업혁명을 준비하는 각 국가들의 발전을 위한 핵심 분야로 인정받고 있는 기술이며, 특히 국내 최고업계 삼성 디스플레이, LG디스플레이는 OLED의 90%이상의 점유율로 시장을 주도하고 있다. 현재 AMOLED는 접거나 휠 수 있는 영역으로 옮겨왔으며, 이와 같은 기술이 가능한 이유는 플렉서블 기판상에 TFT(Thin Film Transistor)와 OLED가 형성가능하기 때문이다. 향후 스트레처블 디스플레이로 그 기술은 이동할 것이며, 이를 위해서는 늘어나는 기판 소재 개발이 우선 진행되고, 다음으로 TFT, OLED 소자 역시 늘어날 수 있는 재료로 구현되어야 할 것이다.
본 논문에서는 액정디스플레이 산업에서 러빙공정의 대안으로 브러시 모(brush hair)를 이용한 편리한 액정분자 정렬 방식을 제시합니다. 졸겔 공정을 이용해서 타이타늄 스트론튬 이트륨 지르코늄 산화물(TiSrYZrO) 용액을 제조하였고, 원스텝(one-step) 브러시 코팅 공정을 통해 TiSrYZrO 배향막 제조와 액정분자 배향을 통합하였다. 경화온도가 높아짐에 따라 액정 셀의 액정분자 정렬 상태가 향상되었고, 코팅 표면의 brush hair 움직임에 의한 전단 응력에 기인하는 물리적 표면 이방성 구조 형성으로 인해 균일한 액정분자 정렬을 유도하였다. 균일하고 균질한 액정분자 정렬은 편광 광학 현미경과 선경사 각 측정을 통해 확인하였다. X-선 광전자 분광법으로 열산화를 통해 금속산화물로 잘 형성된 TiSrYZrO 박막을 확인하였고, 우수한 광학 투명성이 있음을 검증하였다. 이러한 결과로부터 러빙공정의 대안으로 brush hair를 이용한 편리한 액정분자 정렬 방식이 실행 가능한 차세대 기술이 될 것이라고 기대된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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