• Title/Summary/Keyword: Light-emitting Diode

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A Luminance Compensation Method Using Optical Sensors with Optimized Memory Size for High Image Quality AMOLED Displays

  • Oh, Kyonghwan;Hong, Seong-Kwan;Kwon, Oh-Kyong
    • Journal of the Optical Society of Korea
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    • v.20 no.5
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    • pp.586-592
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    • 2016
  • This paper proposes a luminance compensation method using optical sensors to achieve high luminance uniformity of active matrix organic light-emitting diode (AMOLED) displays. The proposed method compensates for the non-uniformity of luminance by capturing the luminance of entire pixels and extracting the characteristic parameters. Data modulation using the extracted characteristic parameters is performed to improve luminance uniformity. In addition, memory size is optimized by selecting an optimal bit depth of the extracted characteristic parameters according to the trade-off between the required memory size and luminance uniformity. To verify the proposed compensation method with the optimized memory size, a 40-inch 1920×1080 AMOLED display with a target maximum luminance of 350 cd/m2 is used. The proposed compensation method considering a 4σ range of luminance reduces luminance error from ± 38.64%, ± 36.32%, and ± 43.12% to ± 2.68%, ± 2.64%, and ± 2.76% for red, green, and blue colors, respectively. The optimal bit depth of each characteristic parameter is 6-bit and the total required memory size to achieve high luminance uniformity is 74.6 Mbits.

Hole pattern 형성에 따른 금속/PET sheet의 인장 시 저항변화

  • Choe, Yeong-Jun;Gwon, Na-Hyeon;Jo, Yeong-Rae
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • 2009.05a
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    • pp.37.1-37.1
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    • 2009
  • 최근 휘어짐이 가능한 flexible display의 개발이 활발히 진행됨에 따라 OLED(organic light emitting diode)의 발전 가능성은 커지고 있다. 하지만 cathode 재료인 Cr, Al등은 tensile 또는 bending에 취약하다. 따라서 본 연구에서는, 인장시험용 아령모형의 PET($125\;{\mu}m$) 필름에 Al, Cr, Cr+Al을 각각 코팅하고 부분적으로 hole을 patterning함으로써 인장 시 미소크랙의 발생을 감소시켜 전기저항(R) 변화를 최소화하는 패턴형상을 design하고 세 가지 금속의 전기저항 변화를 통해 좀 더 우수한 flexible display용 금속을 찾는데 그 목적이 있다. 전극에 형성된 미세패턴의 영향과 패턴 된 hole size에 따른 전기저항의 변화를 알아보기 위해 hole size는 $50\;{\mu}m$, $30\;{\mu}m$, $10\;{\mu}m$로 제작하였고 각각의 금속막에 patterning하였다. 제작된 시편을 인장시험 장치에 설치 후 2mm/min의 속도로 인장응력을 가하면서 Load의 증가에 따른 금속막의 전기저항($\bigtriangleup$R)을 동시동작으로 측정하였다. 실험결과 인장시험 시 저항변화는 Cr이 짧은 시간에 가장 급격하게 변하였으며 다음으로 Cr+Al, Al순 이였다. 또한, hole size의 크기에 따른 전기저항의 변화는 $50\;{\mu}m$ size의 hole을 pattern한 시편이 가장 안정한 저항 변화를 보였다.

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금속이 코팅된 PET필름의 수분침투 특성 평가

  • Choe, Yeong-Jun;Park, Gi-Jeong;Jo, Yeong-Rae
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • 2009.05a
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    • pp.36.1-36.1
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    • 2009
  • OLED(organic light emitting diode)는 차세대 평판 디스플레이로 전자종이, 입는 디스플레이 등 flexible한 디스플레이로도 주목받고 있다. 하지만, OLED의 가장 큰 단점 중의 하나가 수분과 산소에 매우 민감하다는 것으로 이것은 OLED의 lifetime과 연결된다. 따라서 이에 대한 mechanism의 확립이 필요하다. 따라서 본 연구에서는, flexible한 OLED에 적용되는 금속 코팅막의 적층구조 및 기판의 노출온도에 따른 금속 코팅막의 수분침투 특성에 대해 MOCON의 weight gain test (WGT)를 통해 barrier layer에 대해 평가하고 이에 대한 mechanism을 확립하는데 그 목적이 있다. 금속 코팅막은 OLED의 cathode와 anode 재료로 많이 사용되는 Al과 ITO를 sputter장비를 이용해 single layer와 multi-layer의 두 가지 구조로 PET기판에 증착하였다. 또한, 노출온도에 따른 특성을 알아보고자 bare PET / ITO coated PET(single layer $50{\mu}m$) / Al coated PET(single layer $200{\mu}m$)의 세 가지 시편을 제작하였다. 이 시편을 각각 $25^{\circ}C$, $37.8^{\circ}C$, $50^{\circ}C$의 온도에서 test를 진행하였고 이 과정을 100%RH, 70%RH, 40%RH조건의 수분조건에서 진행하여 각각의 수분조건에서 각각의 온도에 따른 금속 코팅막의 수분침투 특성에 대한 mechanism을 확립하였다. 적층구조에 따른 수분침투 특성 평가 결과 multi-layer가 single layer보다 더 우수한 수분침투의 barrier 특성을 나타냈었다. 그리고 각 온도에 따른 test결과 온도가 증가할수록 barrier의 특성이 나빠짐이 보였다.

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Photoluminescence analysis of patterned light emitting diode structure

  • Hong, Eun-Ju;Byeon, Gyeong-Jae;Park, Hyeong-Won;Lee, Heon
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • 2009.05a
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    • pp.21.2-21.2
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    • 2009
  • 발광다이오드는 에너지 변환 효율이 높고 친환경적인 장점으로 인하여 차세대 조명용 광원으로 각광받고 있다. 하지만 현재 발광다이오드는 낮은 광추출효율로 인하여 미래의 수요를 충족시킬 수 있을 만큼 충분한 성능의 효율을 나타내지 못하고 있다. 발광다이오드의 낮은 광추출효율은 반도체소재와 외부 공기와의 큰 굴절률 차이로 인하여 발생하는 전반사 현상에 기인한 것으로 이 문제를 해결하기 위하여 발광다이오드 소자의 발광면 및 기판을 텍스처링하는 방법이 중요하게 인식되고 있다. 하지만 현재까지 패턴의 구조에 따른 광추출 특성을 분석한 연구는 미진한 상황이다. 본 연구에서는 임프린팅 및 건식식각 공정을 이용하여 다양한 구조의 나노 및 micron 급 패턴을 발광다이오드의 p-GaN층에 형성하였다. 발광다이오드 기판 위에 하드마스크로 사용하기 위한 SiO2를 50nm 증착한 후 그 위에 UV 임프린팅 공정을 진행하여 폴리머 패턴을 형성시켰다. 임프린팅 공정으로 형성된 폴리머 패턴을 CF4CHF3 플라즈마를 이용하여 SiO2를 건식식각하였고, 이후에 SiCl4와 Ar 플라즈마를 이용한 ICP 식각 공정을 진행하여 p-GaN층을 100nm 식각하였다. 마지막으로 BOE를 이용한 습식식각 공정으로 p-GaN층에 남아있는 SiO2층을 제거하여 p-GaN층에 sub-micron에서 micron급의 홀 패턴을 형성하였다. Photoluminescence(PL) 측정을 통해서 발광다이오드 소자에 형성된 패턴의 구조에 따른 광추출 특성을 분석하였다.

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The Comparison of the Application of Two Different Color Quality Evaluation Methods

  • Jeong, Hee-Suk;Ryeom, Jeongduk
    • Journal of Electrical Engineering and Technology
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    • v.13 no.4
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    • pp.1673-1681
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    • 2018
  • In this paper, the fabrication of a white light-emitting diode (WLED) package capable of producing different color rendering indexes (CRI ($R_a$)) using different types of phosphors (YAG:Ce, Silicate, Nitride, LuAG) for the LEDs is presented. The color quality is evaluated based on the current and temperature variation conditions. The evaluation method for color quality compares the existing CIE 13.3 method and the new IES TM-30-15 method. The CRI ($R_a$) defined in the conventional CIE 13.3 has the disadvantage. This cannot offer any information relevant to the user's preference. However, the newly proposed IES TM-30-15 method suggests the additional measure related to user's preference such as Color Gamut ($R_g$). The present experimental results obtained using the IES TM-30-15 show that the color quality of the WLEDs using green and red phosphors are better than that of the WLEDs using yellow phosphor, but their luminous efficacies are lower. The color quality of WLEDs using green and red phosphors are more stable than that of the WLEDs using yellow phosphor, for current and temperature variations, and it is verified that the phosphor causes this change. The evaluation method for color quality, based on IES TM-30-15, is proved to be capable of overcoming the problems of the existing evaluation methods by this study.

Sterilization Analysis of Harmful Microbes in LED Plant Factory using UV LED (UV LED를 이용한 LED식물공장 유해미생물 살균 분석)

  • Jang, Jun-Chul;Her, In-Sung;Lee, Se-Il;Yu, Young-Moon
    • Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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    • v.28 no.6
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    • pp.15-20
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    • 2014
  • Recently, LED (Light Emitting Diode) application research is studying by using a specific wavelength. LED plant factory produced a lot of green plants in a closed spaces, so it should be taken to guard against harmful microbes. Until today, a lot of studies for green plant production in plant factory is proceed but there were no study on harmful microbes in plant factory. Thus, the analysis on sterilization for harmful microbes in plant factory were experimented using UV (Ultra Violet) LED with 282nm of wavelength. As a results on sterilization of three harmful microbes, 50% of sterilization efficiency was achieved after 2.5 hours, 97% was achieved after 12 hours of UV LED irradiation, respectively.

Anti-corrosion Properties of SiOxCy(-H) thin Films Synthesized and Oxidized by Atmospheric Pressure Dielectric Barrier Discharge (대기압 유전체배리어방전으로 합성 및 산화 처리된 SiOxCy(-H) 박막의 부식방지 특성)

  • Kim, Gi-Taek;Kim, Yoon Kee
    • Journal of Surface Science and Engineering
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    • v.53 no.5
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    • pp.201-206
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    • 2020
  • A SiOxCy(-H) thin film was synthesized by atmospheric pressure dielectric barrier discharge(APDBD), and a SiO2-like layer was formed on the surface of the film by oxidation treatment using oxygen plasma. Hexamethylcyclotrisiloxane was used as a precursor for the SiOxCy(-H) synthesis, and He gas was used for stabilizing APDBD. Oxygen permeability was evaluated by forming an oxidized SiOxCy(-H) thin film on a PET film. When the single-layer oxidized SiOxCy(-H) film was coated on the PET, the oxygen gas permeability decreased by 46% compared with bare PET. In case of three-layer oxidized SiOxCy(-H) film, the oxygen gas permeability decreased by 73%. The oxygen permeability was affected by the thickness of the SiO2-like layer formed by oxidation treatment rather than the thickness of the SiOxCy(-H) film. The excellent corrosion resistance was demonstrated by coating an oxidized SiOxCy(-H) thin film on the silver-coated aluminum PCB for light emitting diode (LED).

The Study of White uniformity improvement in TFT LCD using LED (LED적용 TFT-LCD 외관 백색 균일도 향상을 위한 광선 추적 시뮬레이션 연구)

  • Lee, San-Hwan;Yi, Jun-Sin;Lee, Seung-Jae
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2006.07c
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    • pp.1665-1666
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    • 2006
  • TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display)는 표시장치로서 실용화된 후 많은 상품에 적용중이다. 그러나, LCD는 자체 발광능력이 없으므로 그후면에서 LCD 화면을 밝혀주는 BLU(Backlight Unit)를 필요로 한다. BLU는 내부 광원으로 밝기가 균일한 평면광을 만들어 LCD 화면을 균일하게 면조사하는 역할을 한다. LCD가 적용되는 분야중 Note PC에는 광원으로 CCFL(Cold Cathode Fluorescent Lamp)가 적용되어 왔지만, 최근 고휘도, 박형화, 저소비 전력을 달성하기 위해 CCFL로는 한계가 있어 LED(Light Emitting Diode)를 적용한 BLU를 제작하기 위한 연구가 진행되고 있다. 본 연구에서는 점광원인 LED 적용한 LED에 있어서 요구되는 휘도 균일성을 향상시키기 위해서는 LED광원이 적용된 BLU의 외관 품질 향상을 위한 도광판 입광부 구조 최적화를 광추적 Simulation을 통해 예측하고 향상시킬 수 있는 구조를 제안한다. Simulation결과, 외관품질 개선을 위해 도광판 입광면에 130도의 Serration과 휘도를 향상하기 위해 도광판 밑면에 렌즈 형상의 바 구조를 도출해 적용한 결과 외관품질향상과 휘도향상을 얻었다.

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Temperature Control for LED Lamps Using RF Communication (RF통신을 이용한 LED 조명의 온도제어)

  • Choi, Hyeung-Sik;Shin, Hee-Young;Oh, Ji-Youn;Lee, Sang-Seop
    • Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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    • v.25 no.10
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    • pp.759-765
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    • 2012
  • In this paper, a temperature control for LED (light emitting diode) lamp using a cooling fan is studied. An efficient temperature control scheme for the LED lamp using the fan wind at the lowest sound noise is studied. For the study, after measurement of the minimum sound noise of the fan and related temperature of the LED lamp through tests, experiments on temperature control of the LED lamp using the fan with various size of heat sinks was performed. To reduce the fan sound noise, a method of reducing the operation time with optimal size of the heat sink was studied. Also, a control of LED lamps using RF communication was studied.

Polarity-Balanced Driving to Reduce $V_{TH}$ Shift in a-Si for Active-Matrix OLEDs (문턱전압 열화를 최소화하는 비정질 실리콘 TFT 유기 EL 용 화소 회로)

  • Lee, Hye-Jin;You, Bong-Hyun;Lee, Jae-Hoon;Nam, Woo-Jin;Han, Min-Koo
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2004.11a
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    • pp.20-22
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    • 2004
  • 유기 EL(Organic Light Emitting diode : OLED)은 자체발광 소자로서 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display)에 비해 빠른 응답속도, 넓은 시야각 등의 뛰어난 화질 표현이 가능하다. 구동 박막 트랜지스터(TFT)의 전류가 OLED의 휘도를 결정하므로, 고품질의 영상을 위해 미세한 TFT 전류 조절 능력이 매우 중요하다. 비정질 실리콘(a-Si) TFT는 그레인 구조를 갖는 다결정 실리콘(poly-Si) TFT에 비해 균일한 전기적 특성을 나타내지만, 장시간 구동에 따른 문턱전압의 열화가 발생한다. 본 논문에서는 상기의 문제점을 최소화하기 위하여 positive bias에 의한 열화를 negative bias로 어닐링하는 구동방법을 제안하였다. 본 회로는 2개의 게이트 선택 신호와 6개의 a-Si TFT로 이루어져 있다. 실험 결과를 통해 추출된 소자 parameter를 바탕으로 제안된 회로의 simulation을 수행 및 검증하였다. 본 회로는 a-Si TFT에서 발생하는 문턱전압 열화 등의 신뢰성 문제를 감소시킨다.

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