In this paper, we study about reflectance photometer for measuring teflectance changes on reagent strip material after applying of a liguid sample. To obtain more accurate reflectance parameter, the strip loader and cassette is designed. The system is designed to work with IBM personal computer. As the experimental results, reflectance level measured of korean standard color paper and shows a exponentially proportion to brightness of paper. A diagnostic strip for total protein is applied to our system and shows a good correlation in a physically protein concentration range.(up to 500 mg/dl).
한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
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pp.530-532
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2008
Inorganic metal multi-layer(IMML) consisting of Al/Al:SiO/Al was developed as a cathode for OLED to reduce the reflectance generated from ambient light. Device structure of green OLED was ITO/2-TNATA/$\alpha$-NPD/$Alq_3$:C545T/Balq/$Alq_3$/LiF/IMML and IMML was composed of three different layers: thin aluminum layer, aluminum layer doped with silicon monoxide and thick aluminum layer. Average reflectance of green OLED was 9.63% while that of conventional OLED with or without polarizer showed the average reflectance of 8.54% and 66% respectively at visible range from 380 nm to 780 nm.
Zonal cavity method, which is a kind of the lumen method, is used the calculation of the average illuminance on the workplane in an interior. Important factors of the method are cavity ratio, coefficient of utilization, and light loss factor. A Coefficient of Utilization varies with a kind of luminaires and is affected by surface reflectance of space. For this, the data from Coefficient of Utilization computation were analyzed with the same lumens and different photometry. This paper analyzes the changes of Coefficients of Utilization on the photometry of luminaires and surface reflectance of space.
Light was of electric lamp was reflected by bulb reflector. In order to improve the efficiency of the electric lamp. it is inevitable that lamp, it is inevitable that improve the reflectance of bulb reflector. Important factors that affect the reflectance of bulb reflector is working pressure, distance between evaporation source to substrate, the situation of surface of glass. etch rate of glass, etc. In this paper. confirmed the effect of etching, working pressure etc. , and its effect for the reflectance of bulb reflector. Especially, concentration of HF in the etching solution and etching time is to be importnace for characteristic of bulb reflector.
Thin films of silver with high reflectance of 95% and above were fabricated successfully on polyester substrate by using e-beam evaporation processes. The optimum process condition was investigated by varying the current values applied while keeping the substrate temperature at room temperature by circulating the cooling water around it during deposition. Thin films of silver deposited with 30 mA as current revealed the highest reflectance of 96.4%, while being illuminated with a light of 700nm wave-length. But their adhesion showed unsatisfactory results. Though the films showed a condensation type in the cross-sectional views, they revealed crystallinity in the planes of (111) and (200) and growth orientation in <100> direction.
가시광 LED 빛에 반응하는 페로브스이트형 bismuth ferrite (BFO) 광촉매 제조방법과 가시광 광촉매 반응 특성을 조사하였다. BFO는 졸-겔법에 따라 제조하였다. 제조된 BFO는 주로 BiFeO3 구조로 이루어져 있으며 Bi24Fe2O39 구조도 포함한 나노 크기의 결정을 이루고 있었다. BFO 나노 결정은 약 600 nm까지 자외선과 가시광선을 흡수하는 것을 UV-visible 확산 반사 스펙트럼으로부터 확인하였다. 확산 반사 스펙트럼으로부터 구한 BFO의 밴드갭은 약 2.2 eV로 나타났다. 포름알데히드는 585 nm와 613 nm 파장의 가시광 LED 램프의 빛과 BFO 광촉매와의 광반응에 의하여 분해되어 제거되었다. BFO의 가시광 LED 빛에서 광촉매 활성은 BFO의 좁은 밴드갭에서 기인하는 것으로 보인다.
CMOS 이미지 센서의 수광 효율을 높이기 위해서 픽셀의 광 통로 벽에 광학 박막의 도입을 제안하고자 한다. Essential Macleod를 이용하여 시뮬레이션해 본 결과, 전반사가 일어나는 범위가 현저히 증가하였다. 특히 공기 박막을 도입할 경우에, 그 효과가 가장 현저하여, 광 통로 벽에서의 전반사 임계각이 50도로까지 확대되었다.
Anti-reflection film was coated by using spherical silica nano colloidal particles and fumed silica particles. Silica colloid sol was reserved between two inclined slide glasses by capillary force, and particles were stacked to form a film onto the substrate as the upper glass was sliding. The deposition processes were studied to enhance the wavelength dependency of the light transmittance and to control the effective refractive index of the film. Both of the spherical and fumed silica particles showed an enhancement of $4.0-4.4\%$ in light transmittance by one step coating. The dependence of the transmittance on wavelength was largely improved at the longer wavelength by partial coating of fumed particles on the film of spherical particles. The effective refractive index of the film was controlled by removing latex particles that were co-deposited with silica particles. Using this process the light reflectance from one side of the glass substrate could be reduced from $4.2\%$ to $0.6\%$ although zero reflectance was not achieved due to the agglomeration of the latex particles.
Normalized Difference Vegetation Index (NDVI) has played an important role in assessing green plant biomass through remote sensing on global scale since the early 1970s. The concept of NDVI is based on the fact that green plants show higher reflection in near-infrared region than in visible region of the electromagnetic spectrum. However, it is well known that the relocation of chloroplasts in plant leaf cells may dramatically change the optical properties of plant leaves. In this study I traced the changes in the reflectance and transmittance properties of Tobacco leaves at the wavelengths of 660 and 800 nm after a sudden increase in light intensity. The results showed that NDVI of leaves gradually decreased from 72.7% to 69.9% when exposed to a sudden increase in light intensity from 30 to $1,200{\mu}mol/m^2{\cdot}s$. This means that the error resulting from the physiological status of the plant should be accounted for a more precise understanding of ground truth corresponding to the data from the remotely acquired images.
Recently, anti-reflective films (AR) are one of the most studied parts of a solar cell since these films improve the efficiency of photovoltaic devices. Also, anti-reflection films on the textured silicon solar cells reduce the amount of reflection of the incident light, which improves the device performance due to light trapping of incident light into the cell. Therefore, we preformed two step processes to get textured Si (100) substrate in this experiment. Pyramid size of textured silicon had approximately $2{\sim}9\;{\mu}m$. A well-textured silicon surface can lower the reflectance to 10%. For more reduced reflection, TiO2 anti-reflection films on the textured silicon were deposited at $600^{\circ}C$ using titanium tetra-isopropoxide (TTIP) as a precursor by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD), and the deposited TiO2 layers were then treated by annealing for 2 h in air at 600 and $1000^{\circ}C$, respectively. In this process, the treated samples by annealing showed anatase and rutile phases, respectively. The thickness of TiO2 films was about $75{\pm}5\;nm$. The reflectance at specific wavelength can be reduced to 3% in optimum layer.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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