This paper describes the effects of applied bias conditions on electrochemical etch-stop characteristics. THere are a number of key issues such as diode leakage and ohmic losses which arise when applying the conventional 3-electrochemical etch-stop to fabricated some of he MEMS(microelectro mechanical system) and SOI(Si-on-insulator) structures which employ SDB(Si-wafer direct bonding). This work allows to perform anin situ diagnostic to predict whether or not an electrochemical etch-stop would fail due to diode-leakage-induced premature passivation. In addition, it presents technology which takes into account the effects of ohmic losses and allows to calculate the appropriate bias necessary to obtain a successful electrochemical etch-stop.
Properties of flashover in polymer insulators are very important under pollution environments. It is necessary to analyse flashover characteristics whether insulators are still safe or not. A lot of precious information can be got out of polluted polymer insulators through leakage current measurement. The behavior of partial arc discharge leads to flashover directly. It is possible to measure partial arc discharge as leakage current pulses analysis. The shape of histogram reflects degree of pollution, wetting and voltage stress level. It can be expressed by Weibull distribution function.
In this Paper, we investigate the electrical properties of ultra-thin(70${\AA}$) nitrided(NO) and reoxidized nitrided oxide(ONO) film that ale considered to be premising candidates for replacing conventional silicon dioxide film in ULSI level integration. we studied I$\sub$g/-V$\sub$g/ characteristics to know the effect of nitridation and reoxidation on the current conduction, leakage current time-dependent dielectric breakdown(TDDB) to evaluate charge-to-breakdown(Q$\sub$bd/), and the effect of stress temperature(25, 50, 75, 100$^{\circ}C$) and compared to those with thermal gate oxide(SiO$_2$) of identical thickness. From the measurement results, we find that reoxidized nitrided oxide(ONO) film shows superior dielectric characteristics, leakage current, and breakdown-to-charge(Qbd) performance over the NO film, while maintaining a similar electric field dependence compared to NO layer. Besides, ONO film has strong resistance against variation in temperature.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제4권6호
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pp.32-37
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2003
In this paper, the trap characteristics of thin silicon oxides is investigated in the ULSI implementation with nano structure transistors. The stress and transient currents associated with the on and off time of applied voltage were used to measure the distribution of high voltage stress induced traps in thin silicon oxide films. The stress and transient currents were due to the charging and discharging of traps generated by high stress voltage in the silicon oxides. The transient current was caused by the tunnel charging and discharging of the stress generated traps nearby two interfaces. The stress induced leakage current will affect data retention in electrically erasable programmable read only memories. The oxide current for the thickness dependence of stress current, transient current, and stress induced leakage currents has been measured in oxides with thicknesses between 113.4nm and 814nm, which have the gate area 10$\^$-3/ $\textrm{cm}^2$. The stress induced leakage currents will affect data retention, and the stress current and transient current is used to estimate to fundamental limitations on oxide thicknesses.
Early detection and precise location of leakage is of great importance for life-cycle maintenance and management of municipal pipeline system. In the past few years, acoustic emission (AE) techniques have demonstrated to be an excellent tool for on-line leakage detection. Regarding the multi-mode and frequency dispersion characteristics of AE signals propagating along a pipeline, the direct cross-correlation technique that assumes the constant AE propagation velocity does not perform well in practice for acoustic leak location. This paper presents an improved cross-correlation method based on wavelet transform, with due consideration of the frequency dispersion characteristics of AE wave and the contribution of different mode. Laboratory experiments conducted to simulate pipeline gas leakage and investigate the frequency spectrum signatures of AE leak signals. By comparing with the other methods for leak location identification, the feasibility and superiority of the proposed method are verified.
As leakage in nuclear power plants could cause a variety of problems, it is very critical to monitor leakage from the safety point of view. Accordingly, a new type of leak detection system is currently being developed and flow characteristics of the sampling and transportation system are investigated by using numerical analysis as a part of the development process in this study. The results showed that the steam mass fraction varied according to the effect of the gap between the insulation and piping component, transportation velocity, and material properties of porous media during the sampling and transportation process. The results of this study should be useful for understanding flow characteristics of the sampling and transportation system and its design and application.
Mechanical face seal installed in boiler feedwater pump prevents leakage of working fluid using thin fluid film between stator and rotor. If the leakage of working fluid exceeds the allowable volume, serious malfunction of boiler feedwater pump will be happen. The thinner fluid film exists between stator and rotor, the less working fluid leaks out. However, if the thickness of fluid film is not enough, the wear of seal face will be increased. And it causes the decrease in life of mechanical face seal. Therefore appropriate design is necessary to maximize the performance and life of mechanical face seal. In this study, numerical analysis using finite volume method was conducted to investigate the static characteristics of wavy mechanical face seals which have 4 different wavy surface profiles on rotor. As a result, opening force, leakage volume of working fluid and friction torque were obtained. For the same minimum film thickness, the static characteristics of mechanical face seal were affected by the wavy surface profile which can change the thickness of working fluid film and pressure distribution.
이 논문에는 교류전압에서 ZnO 피뢰기 소자의 열적 전기적 특성을 기술하였다. ZnO 피뢰기 소자의 누설전류는 시간의 변화에 따라 측정하였다. ZnO 피뢰기 소자의 온도분포를 열화상카메라에 의해 관측하였다. ZnO 피뢰기 소자의 열화 및 열폭주 현상은 열발생과 열방산을 결정짓는 ZnO 피뢰기 소자의 온도한계와 밀접한 관계가 있다. ZnO 피뢰기 소자의 저항은 ZnO 피뢰기 소자의 온도와 누설전류에 의해 민감하게 변화한다. 결론적으로 ZnO 피뢰기 소자의 열화 및 열폭주 현상은 ZnO 피뢰기 소자의 온도와 소자를 통해 흐르는 누설전류에 상당히 의존적인 것으로 나타났다.
Kim, You-Seong;Won, Myoung-Soo;Song, Young-Chul;Yoon, Deok-Joong
한국지반공학회:학술대회논문집
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한국지반공학회 2007년 가을학술발표회
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pp.528-541
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2007
To get the possible for management and maintenance, it was analyzed the deformation characteristics, such as crest of embankment and concrete face slab, and leakage of concrete faced rockfill dams (CFRD). There are trends that embankment deformation depends on intact strength used rockfills rather than dam height, deformation normal to concrete face slab during the first reservoir filling is occurred more than 80% of the total deformation in general, and the magnitude and trend of concrete face slab deformation is similar to post-construction crest settlement. The results showed that the range of post-construction crest settlement suggested by Sherard and Cooke (1987), and Clements (1984) had a good agreement in the cases using rockfill with very high intact strength, but it had a trend which underestimated crest settlement in the cases using rockfill with medium to high intact strength. The maximum leakage rate in general was observed during the first reservoir filling and long-term leakage rate was rapidly increased when the dam height exceeds approximately 120m.
Phase transition, dielectric properties, and leakage current characteristics of Ta2O5 thin film fabricated by sol-gel process with tantalum penta-n-butoxide were studied as a function of annealing temperature in O2 atmoshpere. Although Ta2O5 thin film annealed at temperatures below 700$^{\circ}C$ for 1 hr was amorphous, it was crystallized to ${\beta}$-Ta2O5 of orthorhombic phase by annealing at temperatures higher than 750$^{\circ}C$. With increasing annealing temperature from 500$^{\circ}C$ to 900$^{\circ}C$, dielectric constant of sol-gel processed Ta2O5 thin film was changed from 17.6 to 15.3 due to the increase of SiO2 thickness at Ta2O5/Si interface. For Ta2O5 thin film annealed at 500$^{\circ}C$ to 800$^{\circ}C$ for 1 hr in O2 atmosphere, leakage current was remarkably reduced and breakdown strength was increased with higher annealing temperature. For Ta2O5 film annealed at 800$^{\circ}C$, breakdown did not occur even at electric field strength of 30${\times}$105V/cm and leakage current was maintained lower than 10-8A/$\textrm{cm}^2$.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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