JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.11
no.2
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pp.104-110
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2011
A CMOS Image Sensor (CIS) mounted on mobile appliances requires low power consumption due to limitations of the battery life cycle. In order to reduce the power consumption of CIS, we propose novel power reduction techniques such as a data flip-flop circuit with leakage current elimination and a low power single slope analog-to-digital (A/D) converter with a sleep-mode comparator. Based on 0.13 ${\mu}m$ CMOS process, the chip satisfies QVGA resolution (320 ${\times}$ 240 pixels) that the cell pitch is 2.25 um and the structure is a 4-Tr active pixel sensor. From the experimental results, the performance of the CIS has a 10-b resolution, the operating speed of the CIS is 16 frame/s, and the power dissipation is 25 mW at a 3.3 V(analog)/1.8 V(digital) power supply. When we compare the proposed CIS with conventional ones, the power consumption was reduced by approximately 22% in the sleep mode, and 20% in the active mode.
A discharge free Electro-Rheological Squeeze Film Damper (ER-SFD) with predetermined-clearances at leakage ends can inherently eliminate electric discharge problems while still supplying stable leakage control. Test results show that the damping force of the slotted-ring ER-SFD is mainly affected by electric voltage, oil supply pressure, position of the damper and ratio of effective surface area of slotted-rings. As the supply voltage is larger, the amplitudes of both slotted ER-SFD and rotor are decreased at first and second critical speeds. The influence of the oil supply pressure and the effective surface area ratio was shown mainly near the first critical speed. The effective surface area ratio of slotted-rings influences the reduction of flexible rotor vibration. As a result, experimental results confirm that the slotted-ring ER-SFD satisfactorily controls the flexible rotor vibration, while eliminates the inherent electric discharge problems in conventional ER-SFDs.
The spontaneous pneumothorax is the sudden collapse of the lung usually by air leakage from the ruptured sub-pleural bleb and has high recurrence rate. For prevention against recurrence, many drugs such as tetracycline, talcum powder, quinacrine, etc. have been used but the effects are not satisfactory. We reduced the recurrence rate successfully by the fibrin glue instillation through the chest tube. From the January 1989 to September 1990, we have managed 65 patients of spontaneous pneumothorax with closed thoracostomy and fibrin glue[fibrinogen 1gm/50ml with approtinin 3, 000kIU /ml, thrombin 5, 000IU /ml in 3% each 10ml] instillation through the chest tube. And we compared the results with those of 106 patients of spontaneous pneumothorax who were managed only by the closed thoracostomy from January 1985 to December 1988. Only the patients who visited our hospital with recurrence were considered as the recurred cases but the others were considered as not recurred. And the removal of chest tubes usually done 3 days after cessation of air leakage or 2 days after fibrin glue instillation Statistical analysis was done by X2-test. The results were as followings: 1. The recurrence rate of fibrin glue instillation group was lower than that of non-instillation group[1st attack: 15.1% versus 27.6% p<0, 05, the 2nd attack: 33.3% versus 73.7% p<0.01, the total 18.5% versus 35.8% p<0.01]. 2. The mean duration of chest tube drainage in the fibrin glue instillation group was shorter than non-instillation group[4.24$\pm$1.36 days versus 4.48$\pm$1.73 days p<0.05]. 3. The mean duration of hospitalization was shorter in the instillation group [8.12$\pm$3.5 days versus 10.8$\pm$3.8 days p<0.05] The complications were transient mild fever, chest pain, pleural effusion in 46 cases of 65 patients, but those didn`t make any problem. We concluded that the fibrin glue is effective in the reduction of recurrence rate, obliteration of air leakage and duration of hospitalization.
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.15
no.12
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pp.7283-7286
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2014
SiOC films were prepared as insulators for displays by sputtering at low temperatures, and the relationship with the electrical properties waaas examined. The electrical properties of SiOC films were affected by the annealing process, and SiOC films annealed at 100oC showed a significant increase in thickness and a decrease in the reflective index. XRD revealed an increase in the degree of the amorphous structure. Moreover, the capacitance and leakage current of the SiOC films annealed at 100oC decreased. These characteristics of SiOC films highlight their potential as ideal insulators. Amorphous SiOC films by the reduction of polarization are dependent on the elongation effect of the bonding lengths in the structure and the thickness. The properties of these SiOC films are suitable for low temperature displays.
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.13
no.4
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pp.1789-1796
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2012
In this paper, a new high-efficiency CMOS bridge rectifier for driving RFID tag chips is designed and analyzed. The input stage of the proposed rectifier is designed as a cascade structure connected with two NMOSs for reducing the gate capacitance by circuitry method, which is the main path of the leakage current that is increased when the operating frequency is increased. This gate capacitance reduction technique using the cascade input stage for reducing the gate leakage current is presented theoretically. The output characteristics of the proposed rectifier are derived analytically using its high frequency small-signal equivalent circuit. For the general load resistance of $50K{\Omega}$, the proposed rectifier shows better power conversion efficiencies of 28.9% for 915MHz UHF (for ISO 18000 -6) and 15.3% for 2.45GHz microwave (for ISO 18000-4) than those of 26.3% and 26.8% for 915MHz, and 13.2% and 12.6% for 2.45GHz of compared other two existing rectifiers. Therefore, the proposed rectifier may be used as a general purpose rectifier to drive tag chips for various RFID systems.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers B
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v.40
no.10
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pp.645-651
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2016
Effects of pressure-side winglet width on the tip leakage flow and aerodynamic loss downstream of a turbine blade with a pressure-side squealer rim have been investigated for the tip gap-to-span ratio of h/s = 1.36%. The pressure-side squealer has a fixed height-to-span ratio of $h_p/s=3.75%$ and the pressure-side winglet, which is installed at an elevation of tip surface, has width-to-pitch ratios of w/p = 2.64%, 5.28%, 7.92% and 10.55%. The results show that with increasing w/p, aerodynamic loss in the passage vortex region decreases, whereas that in the leakage flow region increases. As a result, the mass-averaged loss coefficient all over the measurement plane tends to decrease minutely with the increment of w/p. It is concluded that the pressure-side winglet for the pressure-side squealer tip can hardly contribute to the tip-leakge loss reduction.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2002.11a
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pp.171-174
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2002
The barium strontium titannate (BST) thin films were etched in $CF_{4}/Ar$ inductively coupled plasma (ICP). The high etch rate obtained at a $CF_{4}(20%)/Ar(80%)$ and the etch rate in pure argon was twice higher than that in pure $CF_{4}$. This indicated that BST etching is sputter dominant process. It is impossible to avoid plasma-induced damages by the energetic particles in the plasma and the nonvolatile etch products. The plasma damages were evaluated in terms of leakage current density, residues on the etched sample, and the changes of roughness. After the BST thin films exposed in the plasma, the leakage current density and roughness increases. In addition, there are appeared a nonvolatile etch byproductsand from the result of X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). After annealing at ${600^{\circ}C}$ for 10 min in $O_{2}$ ambient, the increased leakage current density, roughness and nonvolatile etch byproducts reduced. From the this results, the plasma induced damage recovered by annealing process owing to the relaxation of lattice mismatches by Ar ions and the desorption of metal fluorides in high temperature.
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.41
no.1
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pp.1-5
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2008
In this work, improvement of mechanical and electrical properties of gate dielectric layer for flexible organic thin film transistor (OTFT) devices was investigated. In order to increase the mechanical flexibility of PVP (poly(4-vinyl phenol) organic gate dielectric, a very thin inorganic $HfO_2$ layers with the thickness of $5{\sim}20nm$ was inserted in between the spin-coated PVP layers. Insertion of the inorganic $HfO_2$ in the laminated organic/inorganic structure of PVP/$HfO_2$/PVP layer led to a dramatic reduction in the leakage current compared to the pure PVP layer. Under repetitive cyclic bending, the leakage current density of the laminated PVP/$HfO_2$/PVP layer with the thickness of 20-nm $HfO_2$ layer was not changed, while that of the single PVP layer was increased significantly. Mechanical flexibility tests of the OTFT devices by cyclic bending with 5 mm bending radius indicated that the leakage current of the laminated PVP/$HfO_2$(20 nm)/PVP gate dielectric in the device structure was also much smaller than that of the single PVP layer.
Efforts for reducing greenhouse gas emission coping with climate change have also been performed in the field of water and wastewater works. In particular, the technical development for reducing energy has been applied in operating water distribution system. The reduction of energy in water distribution system can be achieved by reducing structural loss induced by topographic variation and operational loss induced by leakage and friction. However, both analytical and numerical approaches for analyzing energy budget of water distribution system has been challengeable because energy components are affected by the complex interaction of affecting factors. This research drew mathematical equations for 5 types of state (hypothetical, ideal, leak-included ideal, leak-excluded real, and real), which depend on the assumptions of topographic variation, leakage, and friction. Furthermore, the derived equations are schematically illustrated and applied into simple water network. The suggested method makes water utilities quantify, classify, and evaluate the energy of water distribution system.
Purpose: Anastomotic leakage (AL) is associated with high morbidity and mortality, high reoperation rates, and increased hospital length of stay. Here we investigated the risk factors for AL after anterior resection for rectal cancer with a double stapling technique. Patients and Methods: Data for 460 patients who underwent primary anterior resection with a double stapling technique for rectal carcinoma at a single institution from 2003 to 2007 were prospectively collected. All patients experienced a total mesorectal excision (TME) operation. Clinical AL was defined as the presence of leakage signs and confirmed by diagnostic work-up according to ICD-9 codes 997.4, 567.22 (abdominopelvic abscess), and 569.81 (fistula of the intestine). Univariate and logistic regression analyses of 20 variables were undertaken to determine risk factors for AL. Survival was analysed using the Cox regression method. Results: AL was noted in 35 (7.6%) of 460 patients with rectal cancer. :Median age of the patients was 65 (50-74) and 161 (35%) were male. The diagnosis of AL was made between the 6th and 12th postoperative day (POD; mean 8th POD). After univariate and multivariate analysis, age (p=0.004), gender (p=0.007), tumor site (p<0.001), preoperative body mass index (EMI) (p<0.001), the reduction of TSGF on 5th POD less than 10U/ml (p=0.044) and the pH value of pelvic dranage less than or equal to 6.978 on 3rd POD (p<0.001) were selected as 6 independent risk factors for AL. It was shown that significant differences in survival of the patients were AL-related (p<0.001), high ASA score related (p=0.036), high-level EMI related (p=0.007) and advanced TNM stage related
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[게시일 2004년 10월 1일]
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