• 한국진공학회지
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• 제3권3호
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• pp.280-285
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• 1994

본 연구에서는 Al 금속 표면에 CW CO2 레이저 빔의 조사시 표면 온도의 증가에 따른 표면과 기체 분자의 계면사이에서 발생하는 다양한 물리적 현상을 측정하였다. 온도 증가에 따른 계면에서의 물리적 현상은 Al 표면에 힘의 변화를 초래하는데 이 힘의 변화를 시간에 따라 정확학게 측정하고 측정 한 힘을 온도와 연계하여 분석하면 계면의 상호작용에 의한 물리적 현상을 설명할 수 있다. 즉 레이저 와 표면의 상호 작용은 레이저 강도에 따라 기체와 표면사이의 에너지 및 선운동량의 전달, 표면 흡착 원자의 방출 및 표면물질의 증발 등으로 구분되는데, 이러한 상호 작용시 수반되는 힘의 변화를 이용하 여 Al 금속 표면에 대한 기체 종류별 Momentum Accommodation Coefficient (MAC)를 계산하였고, Al 표에 흡착된 원자의 종류,갯수 및 결합에너지를 구하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2000년도 추계학술대회 논문집 학회본부 C
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• pp.419-421
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• 2000

In this study, we observed the photoinduced birefringence of Ag polarized-photodoping in chalcogenide thin film and the double-layer of Ag doped chalcogenide thin film using the irradiation with the polarized He-Ne laser light. The photoinduced birefringence of Ag polarized-photodoping results in increasing the sensitivity of linearly anisotropy intensity and birefringence(${\Delta}n$). The Ag polarized-photodoping shows improvement of the photoinduced anisotropy property, in polarized photodoping of the chalcogenide thin film. It will offer lots of information for the photodoping mechanism and analysis of chalcogenide thin film.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2000년도 추계학술대회 논문집 학회본부 C
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• pp.461-463
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• 2000

This paper presents a low temperature excimer-laser-crystallization that produces directionally solidified microstructure in Si thin films. The process involves (1) a complete melting of selected area via irradiation through a patterned mask. and (2) a precisely controlled pulse translation of the sample with respect to the mask over a distance shorter than the superlateral growth(SLG) distance. (3) lateral growth extended over a number of iterative steps. Grains that grow continuously to the vertical direction were demonstrated. We discuss sequential lateral solidification principle, experiment.

• 한국마이크로전자및패키징학회:학술대회논문집
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• 한국마이크로전자및패키징학회 2002년도 춘계 기술심포지움 논문집
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• pp.177-179
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• 2002

본 연구는 Ag와 Ce이 함유된 유리를 용융법에 의해 제조하였으며, 355nm Nd:YAG 펄스 레이저를 조사하였을 때의 광학적 특성과 열처리과정에서 발생하는 결정화의 변화과정에 대해 평가하였다. Ce이 함유된 유리는 환원 분위기에서 제조되었으며, Optical Absorption을 통하여 Ce$^{3+}$ 이온이 존재하는 유리의 흡수대역을 관찰하고자 하였다. Photo Luminescence(PL) 측정을 통해 Ce$^{3+}$ 이 존재하고 있음을 확인하였으며, Ce$^{3+}$ 이온의 5d$\longrightarrow$4f 전이를 관찰하였다. 이와같이 Ce$^{3+}$ 가 함유된 유리는 레이저를 조사하였을 경우 PL의 강도가 저하됨을 확인하였다. 열처리과정에서 발생하는 결정화현상을 고찰하기 위해 열분석을 실시하였으며, 레이저조사된 유리에서 최대결정화온도가 감소함을 관찰하였다.

• 한국광학회지
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• 제11권1호
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• pp.33-36
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• 2000

일반적으로 광섬유 격자에 사용되고 있는 KrF 엑시머 레이저를 광출력 스펙트럼 파장천이용으로 이용하였다. 실험 결과, FHD에 의해서 제작된 PLC형 WDM 방향성결합기에서는 UV에 의한 파장천이효과가 비교적 큼을 알 수 있었다. UV 노출량에 의한 파장천이량을 측정하여 UV 노출량에 따른 실리카 광도파로의 유효굴절률 변화량을 계산하였다.

• KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications
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• 제11C권3호
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• pp.75-80
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• 2001

Holographic polymer dispersed liquid crystals (HPDLCs) have fabricated by irradiating an Ar-ion laser ( ${\lambda}$=514nm) at various intensity on LC/acrylate monomer mixtures which were sandwitched between two ITO coated glass plates. Monomer systems were composed of dipentaerythritol-hydroxy penta acrylate (DPHPA, f=5)/monofunctional acrylate monofunctional monomers. The LC used in this system was E7 (BL001, Merck). Gratings were fabricated by periodic interference of twobeams. Reflection efficiency-irradiation intensity-monomer type relationships were obtained from the UV-visible spectra of the HPDLC films. Peaks were found at a bit smaller wavelength than 514nm, due to the shrinkage of mixture volume upon polymerization. Real time measurements of diffraction efficiency have been obtained according to monomer types and LC contents.

• KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications
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• 제11C권3호
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• pp.91-95
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• 2001

Reflective holographic polymer dispersed liquid crystal(HPDLC) device has a multilayer structure consisting of alternate layers of polymer and liquid crystal droplets. Periodic modulation of a refractive index reflects light of a specific wavelength in accordance with Braggs law. Samples cured isotropically were illuminated with an Argon-ion lase at 514nm. We optimized the reflcetion efficiency of HPDLC as a function of monomer functionality, LC composition and irradiation intensity. The properties of the HPDLC films were observed by UV-visible spectroscopy. We found that the maximum reflection efficiency depends on the monomer functionality, LC composition, and laser intensity. We expect these films could be used in full-color reflective display by stacking them to obtain a mixture of colors.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집
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• pp.362-365
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• 2001

The chalcogenide glasses of thin films have the superior property of photoinduced anisotrophy(PA). In this study, we observed the linear dichroism(D) using the irradiation with polarized He-Ne laser light, in the Ag/As$\sub$40/Ge$\sub$10/Se$\sub$15/S$\sub$35/ multi-layer. Mutilayer structures farmed by alternating metal(Ag) a chalcogenide(As$\sub$40/Ge$\sub$10/Se$\sub$15/S$\sub$35/). Such multilayer structures have a greater sensitivity to illumination and larger dichroism in comparison the conventional double layer structure. Also new phenomena are discovered. These results will be show a capability of new method that suggested more improvement of photoinduced anisotropy property.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2007년도 제38회 하계학술대회
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• pp.1379-1380
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• 2007

본 연구에서는 XeCl 엑시머 레이저를 통해서 GaN를 선별적으로 고농도 도핑 할 수 있는 새로운 방법을 제안했으며, 제안된 방법에 의해 제작된 소자는 낮은 ohmic contact 저항을 나타내었다. 증착된 실리콘 film에 XeCl 엑시머 레이저를 사용하여 GaN 위에 sputtering 함으로써 조사하였으며 레이저에 의해 조사된 영역에는 ohmic contact을 형성하였다. 기존 방법에 의한 ohmic contact 저항이 0.66 ohm-mm이었던 반면, 레이저 도핑 공정에 의한 ohmic contact 저항은 0.27 ohm-mm로 효과적으로 감소되었다. SIMS 분석을 통해 레이저 조사를 하는 동안 높은 에너지에 의해 실리콘이 GaN로 확산되었으며, ohmic contact 저항이 ohmic contact 영역 아래의 도핑 농도 증가로 인해 감소한 것을 확인했다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1999년도 추계학술대회 논문집
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• pp.574-577
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• 1999

The chalcogenide glasses of thin films have superior property of the photoinduced anisotrophy(PA). In this study, we observed the phenomenon of Ag polarized photodoping using the irradiation with polarized He-Ne laser light, in the thin film of chalcogenide As/sub 40//Ge/sub 10//Se/sub 15//S/sub 35/ and the double-layer of Ag doped As/sub 40//Ge/sub 10//Se/sub 15//S/sub 35/. The Ag polarized photodoping result in reducing time of saturation anisotrophy and increasing sensitivity of linearly anisotrophy intensity, up to maximum 220%. In the thin films of chalcogenide, the Ag polarized photodoping will be show a capability of new method that suggested more improvement of photoinduced anisotrophy property