• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2005년도 춘계종합학술대회
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• pp.1157-1160
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• 2005

본 논문에서는 레이저 다이오드(Laser Diode, LD)를 배열시키고 회전 다면경(Polygon Mirror)의 반사각 및 회전다면경의 기하학적 프로젝션 시스템 설계를 통하여 2D-레이저 프로젝션 시스템을 구현하였다. 제안한 회전다면경과 레이저 다이오드 배열을 적용하석 영상 동기 시켜 레이저 배열을 적용한 레이저 디스플레이 시스템을 최종적으로 설계하고 실제 제작을 통해서 시스템을 검증하였다.

• ETRI Journal
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• 제32권2호
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• pp.339-341
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• 2010

The fundamental transverse mode lasing of a hybrid laser diode is a prerequisite for efficient coupling to a single-mode silicon waveguide, which is necessary for a wavelength-division multiplexing silicon interconnection. We investigate the lasing mode profile for a hybrid laser diode consisting of silicon slab and InP/InGaAsP deep ridge waveguides. When the thickness of the top silicon is 220 nm, the fundamental transverse mode is lasing in spite of the wide waveguide width of $3.7{\mu}m$. The threshold current is 40 mA, and the maximum output power is 5 mW under CW current operation. In the case of a thick top silicon layer (1 ${\mu}m$), the higher modes are lasing. There is no significant difference in the thermal resistance of the two devices.

• Applied Microscopy
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• 제27권3호
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• pp.257-263
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• 1997

Microstructural characterizations of II-VI blue laser diodes which consist of quaternary $Zn_{1-x}Mg_xS_ySe_{l-y}$ cladding layer, ternary $ZnS_ySe_{l-y}$ guiding layer and $Zn_{0.8}Cd_{0.2}Se$ quantum well as active layer were carried out using the transmission electron microscope working at 300 kV. Even though the entire structure is pseudomorphic to GaAs substrate, the structure had contained numerous extended stacking faults and dislocations which had created at ZnSe/GaAs interfaces and then further grown to the top of the epilayers. These faults might be expected to cause the degradation and shortening the lifetime of laser devices.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제19권1호
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• pp.49-54
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• 2020

The voltage drop due to the thin cathode film at the large size top emission OLED panel was successfully compensated with making electrical contact between thin cathode and anode auxiliary electrode by 355nm wavelength of laser. It was found that the luminance uniformity dramatically increased from around 15% to more than 80% through this electrical compensation between thin cathode and anode auxiliary electrode. Moreover, the removing process for EL materials on the anode auxiliary electrode process by laser was very reliable and stable. Therefore, it is thought that the EL removal method using laser to make electrical contacts is very appropriate to mass production for such a large size top emission OLEDs to obtain high uniformity of luminance.

• 한국광학회지
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• 제5권3호
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• pp.394-403
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• 1994

외부 광귀환이 있는 레이저 다이오드의 혼돈특성에 관해 고찰하였다. Fabry-Perot 공진기 형태의 레이저에 외부 거울에 의한 광귀환을 가정하였으며 파장 $1.3{\mu}m$의 "InGaAsP" buried-hetero structure 레이저에 $1.3J_{th}$의 전류가 인가되었을 때를 모의전산 하였다. 광귀환계수 K의 증가량에 따라 다음의 네단계로 진화현상을 보이고 있다. (1)광귀환계수 K가 아주 작을 때는 시간이 지남에 따라 이완발진은 감쇄되고, 정상 상태에 도달하여 안정된 동작특성을 보인다. (2)K가 조금 증가하면 이완발진은 감쇄되지 않고 주기적인 발진을 유지하기 시작한다. (3)K가 더욱 증가하면 발진의 폭은 증가하고 발진형태의 주기는 길어진다. (4)K가 매우 증가하면 발진형태는 안정을 잃고 coherence collapse 상태에 도달한다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2007년도 제32회 학술대회 초록집
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• pp.181-181
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• 2007

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2007년도 제32회 학술대회 초록집
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• pp.185-185
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• 2007

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1997년도 한국재료학회 추계학술발표회
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• pp.102-102
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• 1997

• 한국광학회지
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• 제15권5호
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• pp.469-474
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• 2004

본 논문에서는 저 전류 및 고 효율로 동작하는 planar buried heterostructure(PBH) 구조로 sampled grating(SG) distributed bragg reflector(DBR) laser diode(LD)를 처음으로 설계하고 제작하였다. 특히 활성층과 도파로층의 높은 결합 효율을 얻기 위해 건식 식각과 습식 식각을 같이 사용하여 결함이 거의 없는 butt-coupling(BT) 계면을 형성하였다. 제작된 파장 가변레이저의 평균 발진 임계전류는 약 12 mA로 ridged waveguide(RWG)와 buried ridge stripe(BRS) 구조로 제작된 결과 보다 두 배 정도 낮게 나타났으며, 광 출력은 200 mA에서 약 20 mW 정도로 RWG 와 BRS 보다 각각 9 mW, 13 mW 더 우수하게 나타났다. 그리고 파장 가변 영역을 측정한 결과 44 nm로 설계결과와 일치하였으며, 최대 파장 가변 영역 안에서 출력 변화 폭이 5 dB 이내로서 RWG 구조의 9 dB보다 출력변화 폭이 4 dB 적게 나타났다. 전체 파장 가변 영역에서 SMSR이 35 dB 이상으로 나타났다.

• 한국통신학회논문지
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• 제19권3호
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• pp.591-596
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• 1994

Gain-guided 구조를 갖는 단일양자우물 laser diode에서, stripe 폭에 따른 threshold의 변화를 복소수영역 유효굴적률방법을 이용하여 분석하였다. 분석결과 stripe 폭이 좁은 영역에서는, 측방향광집속률을 나타내기위하여 세롭게 도입된 변수 가 수직방향광집속률 가 감소함에따라 급격하게 감소하는 경향을 알아내었다. 따라서 일반적으로 매우작은 수직방향광집속률을 갖는 단일양자우물 laser diode에서는, stripe 폭의 크기에 따라서는 광집속률이 측방향은 물론 수직방향으로도 매우 나빠지게 됨으로 이득포와현상을 더욱 심하게시키게되며 경우에 따라서는 문턱전류가 비정상적으로 증가하는 현상으로 이어지게된다. 이와같은 문턱치의 stripe 폭에 대한 약간의 비정상적인 의존성을 이해하는 것은 양자우물 laser diode의 구조최적화에 있어서 매우 중요한 일이라고 판단된다.