최근 디스플레이 기기의 수요가 증대되면서 대면적 노광에 대한 요구가 증대되고 있는데, 내부전반사(total internal reflection: TIR)홀로그래픽 리소그라피는 대면적 노광을 위한 효과적인 방법으로 연구가 진행되고 있다. TIR 홀로그래피에서는 일반적으로 레이저를 이용하여 영상을 기록하고 재생한다. 그러나 자외선 램프와 같은 비가간섭광을 이용하여 재생한다면, 가간섭성에 의해 나타나는 영상잡음을 줄일 수 있고, 대면적 노광에도 보다 용이할 것이다. TIR 홀로그램의 재생을 위하여 자외선 램프를 이용할 때, 램프의 유한한 선폭과 확산각이 재생 영상에 미치는 영향을 분석하고, 재생패턴에 나타나는 선폭 확대 결과를 실험을 통하여 검증하였다. ${\mu}m$ 규모의 선폭을 갖는 대면적 패턴을 TIR 홀로그램으로부터 얻기 위한 재생 광원으로, 가간섭성 광원인 레이저 대신 저잡음성과 경제성을 갖춘 일반적인 자외선 램프의 사용이 가능할 것으로 기대된다.
최근 환경오염이 심각한 사회문제로 대두됨에 따라 환경오염원을 제거하기 위한 여러 가지의 집진장치가 개발되고 있는데 화력발전소에서는 건식정전집진장치(dry electrostatic precipitator)를 이용하고 있다. 건식정전집진장치는 햄머(hammer) 방식의 충격장치를 설치하여 집진극과 방전극에 충격을 가함으로써 충격력을 극대화시키고 높은 분진박리 효과를 꾀하고 있는데 환경오염원이 되고 있는 집진판의 분진의 분리율을 높이기 위해서는 집진판의 전체 영역에서 분진을 동일하게 떨어뜨릴 수 있는 충격장치가 설계되어야 하는데, 이를 위해서는 충격하중에 따른 집진판의 진동 형태를 정확하게 분석하여야 한다. 본 연구에서는 집진판의 충격하중에 따른 진동의 형태를 분석하기 위해 펄스 레이저를 이용한 2중 노출 홀로그래피 시스템을 구성하였다. 홀로그래픽 간섭계는 이미 오래 전에 개발된 레이저 응용 계측기법으로서 주로 정현적인 진동을 하는 진동체의 진동 현상을 연구하는 데에 많이 사용되어 왔는데 그 기술 개발은 상당한 수준에 있다. 그러나 종래의 기술들은 주로 헬륨-네온(He-Ne)레이저와 같은 연속 레이저(continuous wave laser)를 이용한 기술들인데 최근에는 루비(ruby) 레이저와 같은 펄스 레이저 (pulse laser)를 이용한 기술이 많이 응용되고 있다. 이 펄스 레이저 홀로그래픽 간섭계를 Gottenberg는 응력파에 의해서 발생된 변형을 측정하기 위해 사용하였고 Aprahamian등은 보(beam)와 평판의 굽힘파(bending wave)의 전파 특성 연구에 이용하였다. 그 실험적 결과는 수치적 해석 결과와 비교되어 매우 좋은 일치성을 보였는데 이러한 펄스 레이져 홀로그래픽 간섭계 기법의 주요 장점은 어떠한 특정한 순간에 관찰하고자 하는 시험편의 전체 영역의 파동 전파 형상을 관찰할 수 있다는 것이다. 따라서 본 연구에서는 펄스 레이저를 응용한 2중 노출 홀로그래피법(double exposure holography method)을 이용해서 집진판에 충격하중이 가해졌을 때 발생하는 진동이 발생과 전파 특성을 충격하중의 방향에 따라서 분석하였다.
Photploymer films are widely used in printing and electronic industries, and their usage is expanding to encompass holography, data storage and data processing, optical waveguides and compact disks, etc. One of widely used photoplymerization initiator, 20chloro-hexaarylbiimidazole (o-Cl-HABI), is studied by laser flash photolysis in dichloromethane solution in the absence and presence of the visible light photosensitizing dye, 2, 5-bis[(2, 3, 6, 7 -tetrahydro- 1H, 5H -benzo [i, j,] quinolizin -1-yl) methylene]-cyclopenta-none, (JAW). In the presence of JAW, an increase in triarylimidazolyl radicals L.formation is observed in relative to the absence of JAW. The mechanism of this photosensitizing dissociation is concluded as the dissociation of the o-Cl-HABI radical anion formed by the electron transfer from excited singlet state of JAW to o-Cl-HABI. The observed formation of L.radicals exhibits a linear dependence on o-Cl-HABI concentration. The rate constant of electron transfer obtained from this dependence is equal to (1.0$\pm$0.2) x $10^9 M^{-1}s^{-1}$. No reaction between the excited triplet state of JAW and o-Cl-HABI is found.
체적형 홀로그래픽 메모리는 고용량의 저장밀도와 빠른 전송속도를 가지는 장점을 가지고있다. 더 높은 저장밀도를 얻기 위해 다양한 다중화 기법들이 연구되고 있다. 일정한 공간에 여러 개의 정보를 한꺼번에 저장할 수 있는 다중화 기법에는 각도에 따른 다중화, 기록 위치에 따른 다중화, 위상 변화에 따른 다중화를 비롯한 여러 가지 방법이 있다. 대부분의 다중화 기법들은 홀로그램을 저장할 때 순차적으로 기록하게 된다. 하지만 포토폴리머에 한번 정보가 저장되면 그 위에 다시 기록이 되지 않는다. 그래서 한번에 여러 개의 데이터를 저장하고 재생하는 시스템의 필요성이 요구된다. 본 논문에서는 이러한 점을 고려하여 빛의 편광성분을 이용해 다중화 하는 방법을 연구하였다.
We have carried out two-beam interference experiment to form holographic grating on amorphous $As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}$ single-laver, $MgF_{2}/As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}$ muliti-layer. In this study holographic grating formed using He-Ne laser(632.8nm) under different polarization state(intensity, phase polarization holography). The diffraction efficiency was obtained by first order intensity. The maximum diffraction efficiency of $As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}$ single-laver was 0.8% and The maximum diffraction efficiency of $MgF_{2}/As_{40}Ge_{10}Se_{15}S_{35}$ multi-layer(multi-layer I, multi-layer II) were 1.4% and 3.1%.
The primary goal of this study is to define the future image of modern fashion. By review of many references, this study has examined predictable future in common, various researches on future, and futurism that appeared from art history. This study has also identified the trend of future image and the properties of the image in terms of fashion as well. The purpose of this study is defined as future image of modern fashion. First of all. through a large literature, this study is to examine general future and the study of future, to investigate futurism appears from art history. and to identify the trend of future image and the properties of the image in terms of fashion. The main results of this study include : 1) General future means forthcoming sometime or a state of life at that time, and future is not drawing near naturally in accordance with the passage of time. The future is developed according as which the owners of time have independent meaning and what they select. 2) The futurism had started with the background based on Darwins and Einsteins scientific theories and Bergsons and Nietzsches philosophical thoughts, which was then established by Marinettis Futurism Statement and Dynamism Theory of Umberto Boccionio, Giaomo Balla, Luigi Russolo and Gino Severini. As the purpose of futurism is to represent the dynamism of machinery and the beauty of speed, it has been developed toward op art and kinetic art including video art, laser art, and holography. 3) Fashion style and trend of futurism from the beginning of 20th century up to now can be defined as follows : Firstly futurism fashion represented by loud colors and geometric pattern appeared from 1910s to 1930s in the first place. Secondly, or art fashion and kinetic fashion appeared in 1960s due to the influence of op art and kinetic art which were developmental arts of futurism paintings. Space Look and Cosmo Corps Look that were designed by Andre Courreges, Pierre Cardin, Rudi Gernreich and Paco Rabanne, were also the trend of future image fashion. Thirdly, various materials and techniques developed this future image fashion in 1980s, and Glitter Look and Collage Look were its representative style. Fourthly, in 1990s, human beings dreamed the freedom of mind by human-oriented thought. and created the ecology of new concept mixed with technology due to anxiety on environmental destruction. which influenced on the advent of Zen style.
(In, Ga) N-based III-nitride semiconductor materials have been viewed as the most promising materials for the applications of blue and green light emitting devices such as light-emitting diodes (LEDs) and laser diodes. Although the InGaN alloy can have wide range of visible wavelength by changing the In composition, it is very hard to grow high quality epilayers of In-rich InGaN because of the thermal instability as well as the large lattice and thermal mismatches. In order to avoid phase separation of InGaN, various kinds of structures of InGaN have been studied. If high-quality In-rich InGaN/GaN multiple quantum well (MQW) structures are available, it is expected to achieve highly efficient phosphor-free white LEDs. In this study, we proposed a novel InGaN double hetero-structure grown on GaN nano-pyramids to generate broad-band red-color emission with high quantum efficiency. In this work, we systematically studied the optical properties of the InGaN pyramid structures. The nano-sized hexagonal pyramid structures were grown on the n-type GaN template by metalorganic chemical vapor deposition. SiNx mask was formed on the n-type GaN template with uniformly patterned circle pattern by laser holography. GaN pyramid structures were selectively grown on the opening area of mask by lateral over-growth followed by growth of InGaN/GaN double hetero-structure. The bird's eye-view scanning electron microscope (SEM) image shows that uniform hexagonal pyramid structures are well arranged. We showed that the pyramid structures have high crystal quality and the thickness of InGaN is varied along the height of pyramids via transmission electron microscope. Because the InGaN/GaN double hetero-structure was grown on the nano-pyramid GaN and on the planar GaN, simultaneously, we investigated the comparative study of the optical properties. Photoluminescence (PL) spectra of nano-pyramid sample and planar sample measured at 10 K. Although the growth condition were exactly the same for two samples, the nano-pyramid sample have much lower energy emission centered at 615 nm, compared to 438 nm for planar sample. Moreover, nano-pyramid sample shows broad-band spectrum, which is originate from structural properties of nano-pyramid structure. To study thermal activation energy and potential fluctuation, we measured PL with changing temperature from 10 K to 300 K. We also measured PL with changing the excitation power from 48 ${\mu}W$ to 48 mW. We can discriminate the origin of the broad-band spectra from the defect-related yellow luminescence of GaN by carrying out PL excitation experiments. The nano-pyramid structure provided highly efficient broad-band red-color emission for the future applications of phosphor-free white LEDs.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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