• Title/Summary/Keyword: LTPS

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열처리 온도 및 시간에 따른 ZTO TFT의 특성 변화

  • Han, Chang-Hun;Kim, Dong-Su;Choe, Byeong-Deok
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2011.08a
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    • pp.341-341
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    • 2011

  • 최근 AMOLED 구동이 가능한 소자에 대한 연구가 활발히 진행중이다. AMOLED구동 가능소자는 LTPS TFT, a-Si TFT, OTFT, Oxide TFT가 있으며 그 중에서 현재 대부분 LTPS TFT를 사용하고 있다. LTPS TFT는 높은 전자 이동도와 안정성을 가지고 있기 때문에 현재 각광 받는 AMOLED에 잘 맞는다. 하지만 LTPS TFT는 고비용, 250$^{\circ}C$ 이상의 공정온도, Substrate가 Glass, Metal로 제한 된다는 문제점이 있으며, 균일성이 낮고 현재 대면적 기술이 부족한 상태이다. 해결방안으로 AMOLED를 타겟으로 하는 Oxide TFT 기술이 떠오르고 있다. Oxide TFT는 이동도가 높고 저온공정이 가능하며 Substrate로 Plastic 기판을 사용할 수가 있어 차후에 Flexible 소자로서의 적용이 가능하다. 또한 기존의 진공장비 사용대신 용액공정이 가능하여 장비사용시간 및 절차를 단축시킬 수 있어 비용적인 유리함을 가지고 있다. Oxide TFT는 단결정 산화물과 다결정 복합 산화물 두 가지 범주를 가지고 있다. Oxide TFT의 재료물질은 ZnO, ZTO, IZO, SnO2, Ga2O3, IGO, In2O3, ITO, InGaO3(ZnO)5, a-IGZO이 있다. 본 연구에서는 산화물질 중 하나인 ZTO를 이용하여 TFT 소자를 제작하였다. 산화물 특성상 열처리 온도에 따라 형성되는 결정의 정도가 다르기 때문에 온도 및 시간 변수에 따른 ZTO의 특성변화에 초점을 맞추어 연구함으로서 최적화된 조건을 찾고자 실험을 진행하였다. 실험을 위한 기판으로 n-type wafer을 사용하였다. PE-CVD 장비를 이용하여 SiNx를 120 nm 증착하고, ZTO 용액을 spin-coating을 이용하여 channel layer을 형성하였다. 균일하게 형성된 ZTO의 결정을 위하여 200$^{\circ}C$, 300$^{\circ}C$, 400$^{\circ}C$, 500$^{\circ}C$에서 1시간, 3시간, 6시간, 10시간의 온도 및 시간 변수를 두어 공기 중에서 열처리 하였다. ZTO는 약 30 nm 두께로 형성되었다. Thermal evaporator를 이용하여 Source, Drain의 알루미늄 전극을 형성하고, wafer 뒷면에는 Silver paste를 이용하여 Gate전극을 만들었다. 제작된 소자를 dark room temperature에서 측정하였다.

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Design Method of Current Mode Logic Gates for High Performance LTPS TFT Digital Circuits (LTPS TFT 논리회로 성능향상을 위한 전류모드 논리게이트의 설계 방법)

  • Lee, J.C.;Jeong, J.Y.
    • Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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    • v.44 no.9
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    • pp.54-58
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    • 2007

  • Development of high performance LTPS TFTs contributed to open up new SOP technology with various digital circuits integrated in display panels. This work introduces the current mode logic(CML) gate design method with which one can replace slow CMOS logic gates. The CML inverter exhibited small logic swing, fast response with high power consumption. But the power consumption became compatible with CMOS gates at higher clock speed. Due to small current values in CML, layout area is smaller than the CMOS counterpart even though CML uses larger number of devices. CML exhibited higher noise immunity thanks to its non-inverting and inverting outputs. Multi-input NAND/AND and NOR/OR gates were implemented by the same circuit architecture with different input confirugation. Same holds for MUX and XNOR/XOR CML gates. We concluded that the CML gates can be designed with few simple circuits and they can improve power consumption, chip area, and speed of operation.

  • PDF KSCI

New Process Development for Hybrid Silicon Thin Film Transistor

  • Cho, Sung-Haeng;Choi, Yong-Mo;Jeong, Yu-Gwang;Kim, Hyung-Jun;Yang, Sung-Hoon;Song, Jun-Ho;Jeong, Chang-Oh;Kim, Shi-Yul
    • 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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    • 2008.10a
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    • pp.205-207
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    • 2008

  • The new process for hybrid silicon thin film transistor (TFT) using DPSS laser has been developed for realizing both low-temperature poly-Si (LTPS) TFT and a-Si:H TFT on the same substrate as a backplane of active matrix liquid crystal display. LTPS TFTs are integrated on the peripheral area of the panel for gate driver integrated circuit and a-Si:H TFTs are used as a switching device for pixel in the active area. The technology has been developed based on the current a-Si:H TFT fabrication process without introducing ion-doping and activation process and the field effect mobility of $4{\sim}5\;cm^2/V{\cdot}s$ and $0.5\;cm^2/V{\cdot}s$ for each TFT was obtained. The low power consumption, high reliability, and low photosensitivity are realized compared with amorphous silicon gate driver circuit and are demonstrated on the 14.1 inch WXGA+ ($1440{\times}900$) LCD Panel.

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Development of World's Largest 21.3' LTPS LCD Using Sequential Lateral Solidification (SLS) Technology

  • Kang, Myung-Koo;Kim, H.J.;Chung, J.K.;Kim, D.B.;Lee, S.K.;Kim, C.H.;Chung, W.S.;Hwang, J.W.;Joo, S.Y.;Maeng, H.S.;Song, S.C.;Kim, C.W.;Chung, Kyu-Ha
    • 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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    • 2003.07a
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    • pp.241-244
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    • 2003

  • The world largest 21.3" LTPS LCD has been successfully developed using SLS crystallization technology. Successful integration of gate circuit, transmission gate and level shifter was performed in a large area uniformly. Uniformity and high performance from high quality grains of SLS technology make it possible to come true a uniform large size LTPS TFT-LCD with half number of data driver IC's used in typical a-Si LCD. High aperture ratio of 65% was obtained using an organic inter insulating method, which lead a high brightness of 500cd/cm2.

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