• 한국자기학회지
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• 제12권5호
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• pp.163-167
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• 2002

LPE(liquid phase epitaxy)방법으로 제작한 YIG 단결정 박막의 정자파(MSW; magnetostatic wave) 모드의 온도의존성을 조사하기 위하여 온도를 -14$0^{\circ}C$에서 20$0^{\circ}C$까지 2$0^{\circ}C$간격으로 변화하면서 강자성공명 실험을 하였다. 시편면과 외부자기장을 평행하게 가할 때 모든 온도에서 주기적인 신호로 나타나는 정자표면파와 정자역체적파 모드를 관측하였다 온도가 감소함에 따라 정자파 모드들은 저자장쪽으로 이동하고 세기가 감소하였고, 각 모드들 사이의 간격은 증가하였다. 온도변화에 따른 정자파 모드를 Walker와 Damon-Eshbach 이론으로 분석한 결과 잘 일치하였다. 온도별로 계산한 포화자화값은 온도가 감소함에 따라 증가하였다. 관측된 정자파 모드의 선폭은 온돈가 감소함에 따라 다양하게 변화하였다.

• 한국결정성장학회:학술대회논문집
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• 한국결정성장학회 1999년도 PROCEEDINGS OF 99 INTERNATIONAL CONFERENCE OF THE KACG AND 6TH KOREA·JAPAN EMG SYMPOSIUM (ELECTRONIC MATERIALS GROWTH SYMPOSIUM), HANYANG UNIVERSITY, SEOUL, 06월 09일 JUNE 1999
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• pp.305-320
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• 1999

It was grown Er2O3 doped LiNbO3 single crystal thin films with high crystal quality by liquid phase epitaxial (LPE) method. Er2O3 was doped with a concentration of 1, 3, and 5 mol% respectively. After the growth of single crystal thin film, we examined the crystallinity and the lattice mismatch along the c-axis between the film and the substrate with the variation of Er2O3 dopant using X-ray double crystal technique. There were no lattice mismatches along the c-axis for the undoped and the films doped with 1 and 3 mol% of Er2O3. For 5 mol% of Er2O3 doped film, there was a lattice mismatch of 7.86x10-4nm along the c-axis.

• 한국결정성장학회지
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• 제9권3호
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• pp.299-302
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• 1999

$La_{2-x}Sr_{x}CuO_{4}$ single-crystalline films were prepared on bulk single crystals of Zn-doped $La_{2-x}Sr_{x}CuO_{4}$ as the substrates by LPE technique using two deferent methods. When prepared using an alumina crucible in normal electrical furnace, the $La_{2-x}Sr_{x}CuO_{4}$ films were contaminated with less than 3 at% aluminum from the alumina crucibles. Aluminum contamination either reduced or completely destroyed the superconductivity of the $La_{2-x}Sr_{x}CuO_{4}$ films, For LPE growth by modified TSFZ method using an infrared heating furnace without crucibles, the $La_{2-x}Sr_{x}CuO_{4}$ films of x=0.11 showed superconducting with $Tc_{onset}=36\;K$, which is 10 K higher than that in the $La_{2-x}Sr_{x}CuO_{4}$ bulk single crystals.

• 한국자기학회지
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• 제17권6호
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• pp.246-252
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• 2007

본 논문에서는 출발원료 배합비 및 육성 파라미터가 LPE(Liquid Phase Epitaxy)법으로 육성된 자성 가넷 막의 특성에 미치는 영향을 조사하며, 광 CT의 페러데이 회전자용으로서 적합한 막의 육성 조건을 제시한다. 막을 평가하기 위하여 조사한 특성은 막후, 표면 모폴로지, X선 회절, 격자상수, 막과 기판(단결정 비자성 가넷 웨이퍼)사이의 격자상수의 부정합, 페러데이 회전각 등이었다. 또한, 육성된 자성 가넷 막을 이용하여 광 CT를 제작하고, 성능을 평가했다.

• 한국자기학회지
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• 제9권2호
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• pp.85-90
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• 1999

LPE(liquid phase epitaxy)방법으로 제작한 YIG박막의 정자파 모드를 연구하기 위해서 강자성공명 실험을 하였다. 시편면과 오부자기장이 평행할 때 주기적인 신호로 나타나는 정자표면파와 정자역체적파 모드를 관측하였으나 서로 수직할 때는 복잡한 신호를 관측하였다. 평행할 때 관측한 정자파 모드를 Walker와 Damon-Eshbach이론으로 분석한 결과 잘 설명되었다. 관측된 정자파 모드의 선폭은 0.4Oe이었고, 이론으로 분석할 때 구한 포화자화는 137emu/㎤이었다. 또한 시편의 포화자화 값의 변화와 두께의 변화에 따른 모드들의 변화를 알아보기 위하여 정자역체적파의 (1, 1)과 (3, 1)모드를 계산하고 서로 비교하였다.

• 한국세라믹학회지
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• 제40권9호
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• pp.855-858
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• 2003

Liquid Phase Epitaxy (LPE)법으로 Yttrium Iron Garnet (YIG:Y$_3$Fe$_{5}$O$_{12}$) 단결정 후막을 성장시킬 때 PbO계 응제에서는 Pb 이온이 성장되는 결정내로 혼입되어 성장된 막의 격자상수를 증가시키고, 일축 자기이방성 상수값(Ku)을 변화시키거나 전기 전도도를 변화시킨다. 또한 광 흡수율을 증가시키는 등의 성장된 막의 물성에 악영향을 미친다. 열처리 후 Pb 이온의 휘발로 인한 결정내의 농도감소로 성장된 단결정 후막의 격자상수가 평균 0.0115$\AA$ 감소하였다.

• 한국광학회지
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• 제7권2호
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• pp.150-156
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• 1996

본 연구에서는 RWG MQW-LD가 weakly index-guided LD로 동작하기 위한 최적 걸게조건으로부터, 수직형 LPE장치를 사용하여 RWG MQW-LD를 제작하였다. 먼저 수회의 실험을 통해 MQW-DH웨이퍼를 photolithofraphy공정을 통해 폭이 4.mu.m인 ridge 패턴을 형성시켜 RWG MQW-LD를 제작하였으며 전기광학적 특성을 조사한 결과 I=2.7I$_{th}$ 이상에서도 측방향 단일모드 동작함을 알 수 있었다.

• 한국결정성장학회지
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• 제27권6호
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• pp.282-288
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• 2017

본 논문에서는 광전 음극 이미지 센서로 사용될 수 있는 광소자용 재료로 III-V 족 화합물 반도체인 GaAs/AlGaAs 다층 구조를 LPE(Liquid Phase Epitaxy) 방법에 의해 성장하였다. n형 GaAs 기판 위에 수십 nm의 GaAs 완충층을 형성 한 후 Zn가 도핑된 p-AlGaAs 에칭 정지 층(etching stop layer)과 Zn가 도핑된 p-GaAs 층 그리고 Zn가 도핑된 p-AlGaAs 층을 성장하였다. 성장된 시료의 특성을 조사하기 위하여 주사전자현미경(SEM)과 이차이온질량분석기(SIMS) 그리고 홀(Hall) 측정 장치 등을 이용하여 GaAs/AlGaAs 다층 구조를 분석하였다. 그 결과 $1.25mm{\times}25mm$의 성장 기판에서 거울면(mirror surface)을 가지는 p-AlGaAs/p-GaAs/p-AlGaAs 다층 구조를 확인할 수 있었으며, Al 조성은 80 %로 측정 되었다. 또한 p-GaAs층의 캐리어 농도는 $8{\times}10^{18}/cm^2$ 범위까지 조절할 수 있음을 확인하였다. 이 결과로부터 LPE 방법에 의해 성장된 p-AlGaAs/p-GaAs/AlGaAs 다층 구조는 광전 음극 이미지 센서의 소자로서 이용될 수 있을 것으로 기대한다.

• 한국초전도학회:학술대회논문집
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• 한국초전도학회 2002년도 High Temperature Superconductivity Vol.XII
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• pp.8-8
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• 2002

• 한국항해학회지
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• 제14권2호
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• pp.77-82
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• 1990

In this paper the results for thin multi-layer InGaAsP($1.3{\mu}m$)/InP crystal growth by vertical liquid epitaxial growing furnance have been presented. The growth rates of InGaAsP layer and InP layer at cooling rate of $0.3^{\circ}C$/min and the growing temperature of $630^{\circ}C$ were obtained as $0.11 {\mu}m$/min and $0.06 {\mu}m$/min, respectively, by the uniform cooling with two phase solution technique.