• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2011.10a
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• pp.41.1-41.1
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• 2011

본 연구에서는 MOCVD법으로 사파이어 기판위에 u-GaN를 성장한 후 Mg을 도핑시켜 p-GaN를 성장하고, RF 스퍼터를 이용하여 n-ZnO를 도포하여 n-ZnO/p-GaN 이종접합을 형성한 후 진공증착기를 이용하여 Au/Ni를 증착시켜 발광다이오드(LED)를 제작하고 전기 광학적 특성을 조사하였다. 두께가 500 nm인 u-GaN 위에 성장된 p-GaN의 운반자 농도는 $1.68{\times}10^{17}\;cm^{-3}$ 이었다. 그리고 150, 300 nm 두께의 p-GaN에 대하여 측정된 DXRD 반치폭은 각각 450 arcsec, 396 arcsec 이었고, 상온에서 2.8~3.0 eV 영역에서 Mg 억셉터와 관련된 광루미네센스가 검출되었다. RF 스퍼터링에 의해 0.7 nm/min의 속도로 증착된 n-ZnO 박막은 증착 두께에 따라 비저항이 27.7 $m{\Omega}{\cdot}cm$ 에서 6.85 $m{\Omega}{\cdot}cm$ 까지 감소하였다. 그리고 n-ZnO 박막은 (0002)면으로 우선 배향되었으며, 상온에서 에너지갭 관련된 광루미네센스가 3.25 eV 부근에서 주되게 검출되었다. n-ZnO/p-GaN 이종접합 LED의 전류전압 특성곡선은 다이오드 방정식에 만족하는 특성을 나타내었다. 다이오드 지수는 3 V 이하 영역에서 1.64, 3~5 V 영역에서 0.85이었다. 그리고 5 V 이상 영역에서 공간전하의 제한을 받았으며, 다이오드 지수는 3.36이었다. 한편, 역방향 전류전압 특성은 p-GaN 박막의 두께에 영향을 받았으며, p-GaN 박막의 두께가 150, 300 nm 일 때 각각의 누설 전류는 $1.3{\times}10^{-3}$ mA와 $8.6{\times}10^{-5}$ mA 이었다. 상온에서 측정된 EL 스펙트럼의 주된 발광피크는 430 nm이었고, 반치폭은 49.5 nm이었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.373-373
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• 2013

높은 효율의 InGaN/GaN 전광소자는 현대 조명 산업에 필수적인 역할을 하고 있다. 그러나 전광소자의 효율을 높이는 데에는 여러가지 한계들이 있다. 예를 들면 높은 전류에서의 효율저하, GaN 의 전위결함에 의한 비발광 재결합의 발생 등이 있다. 이러한 한계를 극복하고자 InGaN/GaN 전광소자의 효율을 높이기 위해 사파이어 기판의 표면을 거칠게 바꾸는 방법, 무분극 전광소자, 표면 플라즈몬 등 여러가지 많은 방법들이 개발되고 있다. c-plane InGaN/GaN LED 기반의 표면 플라즈몬 실험은 많은 연구가 수행되고 있으나, m-plane InGaN/GaN LED 기반의 표면 플라즈몬은 아직 연구가 진행되지 않았다. 본 실험의 목적은 표면 플라즈몬 효과를 이용하여 semi-polar InGaN/GaN LED의 광효율을 개선하는 것이다. 유기금속화학 증착 장비로 m-plane sapphire위에 $6{\mu}m$ 의 GaN 버퍼층을 증착하고 표면의 평탄화를 위해 $2{\mu}m$의 n-GaN을 증착하였다. 그 위에 3개의 다중양자우물 층을 증착하였고, 10 nm의 도핑이 되지않은 GaN를 증착하였다. 표면 플라즈몬 현상을 일으키기 위해 Ag박막을 10, 15, 20 nm 증착하여 급속 열처리 방법으로 $300^{\circ}C$에서 20분 열처리 하였다. 형성된 나노입자를 측정하기 위해 주사전자현미경으로 표면을 분석하였다. 표면플라즈몬에 의한 InGaN/GaN 광 세기를 측정하고자 여기 파장이 385 nm인 photoluminescence (PL) 를 사용하였다. 또한 내부양자효과의 증가를 확인하기 위해 PL을 이용하여 온도를 10~300 K까지 20 K 간격으로 광세기를 측정하였다. 향상된 내부 양자효과가 표면 플라즈몬에 의한 것임을 증명하기 위해 time-resolved PL을 이용하여 운반자 수명시간을 구하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of IIIuminating and Electrical Installation Engineers Conference
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• 2004.05a
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• pp.171-174
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• 2004

Concerning Korean energy consumption, 20% of the total electrical energy (96% is now exported) is consumed in lighting area. Accordingly, it is one of the most important governmental policies to efficiently utilize electricity due to development and application of high-efficiency lighting equipment. In Korea, widely-built traffic signals employ an incandescent and are of 100W/300 mm, and 280,080set/801,932lamps have been installed and operated by 1999. Of them, 58%(161,181set), 25%(69,655set) and 18%(49,244set) correspond to traffic signals, pedestrian signals and other supplementary signals respectively. It was estimated that electrical energy consumed 28MW instantaneously, 245GWH annually. On the other hand, the LED traffic signal is expected to be a future traffic signal since if traffic signals are replaced by LEDs, energy saving effect of 85% and drop of 75% in maintenance fee will be obtained. In this paper, the performance and characteristics of many LED traffic signals made in Korea are summarized in order to reform Korean standard of LED traffic signals.

• Journal of Mushroom
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• v.15 no.4
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• pp.195-201
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• 2017

We measured the antioxidant activities of Oak mushroom (Lentinula edodes) in browned sawdust medium under conditions of varying LED sources and amounts of light. Consequently, exposure to 200Lx blue LED resulted in highly efficient browning; the most efficient browning was shown at 200Lx, regardless of the type of luminous source. We identified that quantities obtained with the blue luminous source increased compared to those in other treatment plots. The DPPH radical scavenging test conducted to examine antioxidant activity revealed that the red luminous source caused high radical scavenging compared to efficient browning. The fruiting body for Nongjin-go, as a treatment plot with the highest scavenging, under a 400Lx red luminous source was $34.3{\pm}1.80%$ and that for 'Sanjo 701' at a 300lx red luminous source was $32.99{\pm}1.58%$. The polyphenol content, reported to be correlated with DPPH radial scavenging, showed no similar correlation in the 'Nongjin-go' variety. By contrast, 'Sanjo 701' showed a similar association.

• International Journal of Quality Innovation
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• v.7 no.3
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• pp.58-69
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• 2006

This paper presents neural network-based recognition system for automatic light emitting diode (LED) inspection. The back-propagation neural network (BPNN) is proposed and tested. The current-voltage (I-V) characteristic data of LED from the inspection process is used for the network training and testing. This study selects 300 random samples as network training and employs 100 samples as network testing. The experimental results show that if the classification work is done well, the accuracy of recognition is 100%, and the testing speed of the proposed recognition system is almost one half faster than the traditional inspection system does. The proposed neural-network approach is successfully demonstrated by real data sets and can be effectively developed as a recognition system for a practical application purpose.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.593-593
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• 2013

나노패턴 제작은 차세대 초고밀도 반도체 메모리기술과 바이오칩 등 나노기술의 핵심 분야로, 나노패턴 구조를 나노-바이오 전자소자 및 반도체 산업분야에 적용할 경우 시장 선점 및 막대한 부가가치 창출 등을 통해 국가경쟁력 강화에 크게 기여할 것으로 기대된다. 하지만 대면적 패턴형성이 어려워 뿐만 아니라 $300^{\circ}$ 이상의 열처리 과정에 의한 생산성이 떨어진다. 또한 나노구조가 잘 이루어진 차원, 표면상태, 결정성, 화학적 조성을 갖도록 하는 합성 및 제조상의 어려움 때문이다. 이에 반해 자기정렬 ITO Dot 형성은 상기 기술한 1차원 나노구조형성을 하는 것에 비하여, 나노구조를 제작하기 위하여 공정이 단순하며, 비용 및 생산성 측면에서 유리 할 것으로 생각된다. 이에 본 연구는 E-beam을 이용하여 형성된 ITO 박막에 HCl solution을 이용하여 자기정렬 ITO Dot 형성 후 n-AlGaInP Vertical LED[VLED] 표면에 nano pillar의 두께에 각기 다르게 형성하였으며, 최종적으로 제작된 VLED의 전기적, 광학적 특성을 조사하였다.

• The Optical Journal
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• s.139
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• pp.56-57
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• 2012

인쇄회로기판과 표면실장기술, LED, 인쇄전자, 기능성 필름, 광학 및 레이저기기 등 전자 제조산업 전반에 걸친 기술들을 총집결한 국내 최대 산업전문전시회인 'Electronics Manufacturing Korea 2012(이하 EMK2012)'가 지난 4월 11일부터 13일까지 코엑스 Hall C, D에서 펼쳐졌다. EMK2012는 SMT/PCB & NEPCON KOREA, LED Packaging EXPO, Film Technology Show와 함께 올해부터 Printed Electronics & Electronic Materials Show과 Photonics Seoul(포토닉스 서울)이 추가돼 총 5개의 전시회가 동시에 열렸다. 약 25개국 300업체가 1000부스 규모로 참가한 이번 전시회는 기존의 SMT, PCB, 전자부품, FPD 생산기자재와 더불어 LED 생산기자재, 광학기기, 레이저 산업 등 전자산업 관련 각종 생산기자재와 제품 등을 선보이며 최신 기술을 교류하는 기회였다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2010.11a
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• pp.300-301
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• 2010

최근 반도체 산업의 비약적 발전으로 고출력 LED 광원 시스템 개발이 확대되고 있다. 그 중 무대조명 분야는 색 연출의 필요성으로 넓은 조도제어(Dimming) 범위가 필수적이다. 본 논문에서는 방송장비의 높은 센싱 속도로 인하여 화면에 생기는 빛의 떨림 현상 제거와 0~100%의 넓은 조도제어 범위를 구현하기 위해 Analog 조도제어와 PWM 조도제어를 결합한 조도제어 방법을 제안하였으며, 이를 위한 회로를 설계하고, 이를 실험적으로 검증하였다.

• Journal of Korean Ophthalmic Optics Society
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• v.20 no.3
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• pp.293-300
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• 2015

Purpose: To evaluate blue light hazards of LED lightings in an optical store with blue light radiance used as the quantitative indicators of photobiological hazard. Methods: The spectral radiance of each LED lightings was measured, and blue-light radiance and the corresponding maximum exposure time were calculated. Then each LED lighting was classified according to the risk group from IEC 62471 standard. Results: The yellow LED lightings used in showcases and white LED lightings used on ceilings and logo were classified into risk group RG0. But the white LED lightings used on showcases were classified into risk group RG1. The blue light radiances of white LED lightings used in showcases are dozens of times larger than that of fluorescent lamp. Conclusions: Using the value of the blue light radiance could quantitatively express the blue light hazard to various lightings. It was confirmed that white LED lightings for the showcases had high blue light hazards because of their high luminance and color temperature. Therefore, when replacing lightings in optical shop it is necessary to select the appropriate brightness and color temperature for eye health in the long term.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2010.06a
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• pp.160-160
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• 2010

In this work, we investigate ohmic contacts to p-type GaN using a Pt/Cu/Au metallization scheme in order to achieve low resistance and thermally stable ohmic contact on p-GaN. An ohmic contact formed by a metal electrode deposited on a highly doped InGaN/GaN superlattice sturucture on p-GaN layer. The specific contact resistance is $1.56{\times}10^{-6}{\Omega}cm^2$ for the as-deposited sample, $1.35{\times}10^{-4}{\Omega}cm^2$ for the sample annealed at $250^{\circ}C$ and $6.88{\times}10^{-3}{\Omega}cm^2$ for the sample annealed at $300^{\circ}C$.