Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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v.26
no.4
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pp.1-5
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2012
By using LED optical devices and improving the efficiency of optical devices as well as lighting apparatus for humans, LED lighting industry puts the purpose of manufacturing the main products related with information, electric, large-sized LCD BLU, automobile, shipbuilding, agriculture, medical treatment, environment, and telecommunications, etc. Moreover, the main products and the industrial lighting products are manufactured with fusion, as the result, LED lighting industry provides various effects as well as sources of technology based on practical use of LED technology in order to develop the industry from the perspective of the lower price, the higher efficiency, the higher function, the deeper reliance. In the future, not only the development of new LED technology but also the fusion and combination of digital IT technologies using wire-wireless communication, sensor, controller, and artificial intelligence will be expected to create new industrial fields.
The efficiency of light-emitting diode (LED) devices is a significant factor that reflects the capability of these devices to convert electrical power into optical power. In this study, a method for estimating the efficiency of LED devices is proposed. An efficiency model and a heat power model are established as convenient tools for LED performance evaluation. Such models can aid in the design of LED drivers and in the reliability evaluation of LED devices. The proposed estimation method for the efficiency and heat power of LED devices is verified by experimentally testing two types of commercial LED devices.
대만은 광산업 분야를 OE(Optoelectronics Components, FPD(Flat Panel Display), Optical Storage, Optical Lens Components & Laser Applications, OFC(Optical Fiber Communications, Optical Input & Output Devices 등 6개 대분류로 나누고 있으며 수년간 중점적으로 육성해 온 분야는 OE 및 FPD와 관련이 큰 LED 분야이다.
The dependance of degradation on the blue-peak wavelength is investigated with the blue light-emitting diode (LED) of InGaN/GaN with respect to the optical and the electrical characteristics of the devices. The LED devices emitting the blue-peak wavelength ranging from 437 nm to 452 nm is prepared to be stressed for a long aging time with three different currents of 60 mA, 75 mA and 90 mA, respectively. The degradation of optical intensity is observed with and without phosphor in the devices. The device without phosphor has been degraded significantly as the wavelength of blue-peak is decreased while the optical intensity of LED device with phosphor become less sensitive than that of device without phosphor. The electrical property does not depend on the emission peak wavelength. However, the series-resistance of LED device is slowly increased as the aging time is increased. The deformation of device is observed severely the short wavelength of blue-peak even with the same current since the short wavelength is absorbed substantially at the materials of device during the aging time. Consequently, in order to enhance the lifetime of LED devices, it is important to understand the optical degradation property of the materials against the specific wavelengths emitted from the blue chip.
Since the coronavirus pandemic, research and application of space sterilization effects using UV light sources have been rapidly increasing. In this paper, the space-sterilization effect of UV LED light sources that can be built into indoor environmental systems or lighting devices is quantitatively analyzed through an illumination optical approach. Through this, it is possible to establish a foundation for optimizing the sterilization effect in indoor spaces in the 275±5 nm wavelength range, which is known to have excellent space-sterilization power.
The optical and electrical properties of High Power AlGaAs/AlGaAs Infrared LED with DDH( Double power Double Hetero Junction) structure are investigated. The high power LED is recently studied in order to apply to high speed communication devices. The power out of AlGaAs/AlGaAs with DDH structure is 13.0[mW], the forward voltage is 1.45[V], and the average decrease rate of power out is about 5[%] after aging test. The optical and electrical properties of DDH structure LED are superior than that of SH structured LED. The DDH structured LED is suitable to the high speed communication devices.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics D
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v.34D
no.9
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pp.64-71
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1997
A new etching technique of meltback was investigated for GaAs lensed optical devices with selective windows opending in the LPE (liquid phase epitaxy) system. In the meltback process, the etch depth and the etch shape were controlled by the degree of under-saturation, etch time and other parameters. A GaAs/AlGaAs DH layer was grown on the selectively etched hemispherical well for optical device application such as lensed surface emitting LED. The regrowth process were related with the coolin grate and the well to well spacing. A novel surface emitting LED with hemispherical AlGaAs lens was fabricated using the meltbakc and regrowth as the key process for AlaAs lens array. The light emitting efficiency of the LED was upto three times higher than the similar structure LED without lens. The meltback and regrowth technique was applicable to manufacture the optical device in LPE.
In this paper, we introduce a passive transponder in which an LED is used for both a light transmitter and a receiver, and a solar cell is used for supplying power to the all devices in the transponder. The LED in the transponder operates as a photodetector in the receiving mode, and acts as a light source in the transmitting mode. The current responsivity of the LED detector was measured to be in the order of $10^{-4}A/W$, and the receiving bandwidth with a load resistance of $10k{\Omega}$ was about 10 to 30 kHz. Using the LED for an optical transceiver in a VLID transponder, the detection range was about 70 cm when the transponder was illuminated by the visible light from a $3{\times}3$ LED array in a reader.
Jong-In Kim;Hyun-Sun Park;Pan-Ki Min;Myung-Jin Go;Young-Woo Kim;Jung-Hyun Kim
Journal of the Semiconductor & Display Technology
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v.22
no.2
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pp.1-5
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2023
In the past, display devices have undergone many changes, such as plasma TVs and LCDs, and have continued to develop. Recently, new display technologies, such as Organic Light Emitting Diode displays and Inorganic Light Emitting Diode displays, have been developed. Among them, Micro LED displays have the potential to improve performance more than LCDs and OLEDs, but a lot of effort and time are needed until the mass production technology (transfer and bonding) of Micro LED displays is developed. We have developed a new Micro LED display light source that can be produced using existing transfer and bonding process technologies to enable faster commercialization of Micro LED in the industry. This light source is TFT deposition on LED. TFT deposition on LED has the advantage of being able to produce displays using existing process technology, making early commercialization of display application products possible. In this study, we applied the Active Driving method to verify the performance of TFT deposition on LED as a display to determine its commercialization potential. Additionally, to facilitate faster application of Micro LED in the industry, we applied TFT deposition on LED to Optical Wireless Communication systems, which are widely used in application service areas such as safety/security and sensors, to verify its communication performance. The experimental results confirmed that TFT deposition on LED is not only capable of AM driving but can also be applied to OWC systems.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.26
no.12
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pp.920-923
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2013
In this paper, the characteristics of a carbon nanotube composite heat sink proposed to replace the advanced Al heat sinks for LED lighting devices were studied. Proposed CMP-PLA heat sink was made by mixing 20~70 wt% carbon nanotube, 20~70 wt% bio-degradable polymer of melt-blended PLA (poly lactic acid) and PBS (poly butylene succinate) and PLA nucleating agents composed of the mixture of soybean oil and biotites, at $150{\sim}220^{\circ}C$ with 1,000~1,500 rpm. Optical and electric characteristics of 7.5 W LED lighting devices using heat sinks with such prepared CMP-PLA were investigated. And, the properties of the heat, which was not released from the CMP-PLA type heat sinks, was also investigated. The color temperature of LED lighting devices using the CMP-PLA heat sinks was 5,956 K, which is x= 0.32 and y= 0.34 in the XY chromaticity, and the color rendering index was 75. The luminous flux and the luminous efficiency of LED lighting devices using the CMP-PLA heat sinks was 540.6 lm and 72.68 lm/W respectively. Measured initial temperature of the heat sinks was $27^{\circ}C$, and their temperature increased as time to be saturated at $52^{\circ}C$ after an hour.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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