We have synthesized a $Eu^{2+}-activated\;Sr_3MgSi_2O_8$ blue phosphor and $(Sr,Ba)_2SiO_4$ yellow phosphor and prepared white LEDs by combining these phosphors with a InGaN UV LED chip. Three distinct emission bands from the InGaN-based LED and the two phosphors are clearly observed at 405 nm, 460 nm and at around 560 nm, respectively. The 405 nm emission band is due to a radiative recombination from a InGaN active layer. This blue emission was used as an optical transition of the $Sr_3MgSi_2O_8:Eu$ blue phosphor and $(Sr,Ba)_2SiO_4:Eu$ yellow phosphor. The 460 nm and 560 nm emission band is ascribed to a radiative recombination of $Eu^{2+}$ impurity ions in the $Sr_3MgSi_2O_8:Eu$ and $(Sr,Ba)_2SiO_4$ host matrix. As a consequence of a preparation of UV White LED lamp using the $Sr_3MgSi_2O_8:Eu$ blue phosphor and $(Sr,Ba)_2SiO_4:Eu$ yellow phosphor, the highest luminescence efficiency was obtained at the ration of epoxy/two phosphor (1/0.2361). At this time, the CIE chromaticity was CIE x = 0.3140, CIE y = 0.3201 and CCT (6500 K).
고출력 LED 소자의 활용이 많아지면서, 온도상승 문제를 극복하고 신뢰성을 향상해야 하는 요구가 높아짐에 따라 광원 패키지의 방열이 매우 중요해졌다. 패키지에 칩을 접합하는 열전달 물질(TIM, Thermal Interface Material)은 열전도도가 높은 물질과 폴리머를 혼합하여 재료 자체의 열전달 특성을 향상시키는 방안이 사용되어 왔으나, 실제 패키지의 열 특성은 칩 부착계면의 높은 열저항으로 인해 기대에 미치지 못하고 있다. 본 연구는 diamond 분말과 epoxy의 혼합으로 열 특성을 개선함에 있어서, 과산화수소를 적용하면서도 기포를 효율적으로 제거하여, 각 계면의 친화성을 높이고 전체 점도를 낮추어 diamond 분말의 분산을 촉진하고, 결과적으로 대부분의 경우에 전체 열 저항을 약 30% 이상 개선하였다.
도서관 등에서의 책의 위생적 유통과 관리를 위한 방안을 찾기 위하여 보관되는 책 및 관련된 환경 오염원에서의 미생물 오염도를 측정하였고, 미생물 부하를 저감시키는 방안에 대하여 연구하였다. 일반적으로 책 내부 표면의 오염도는 매우 낮으며 부주의한 취급으로 침 등과 같은 액체에 의해서 오염되는 경우에 미생물 부하가 증가될 수 있었다. 그리고 책 내부 표면에 비해서 먼지가 축적되기 쉬운 옆끝면에서 미생물 오염부하가 높았다. 책에서의 미생물적 오염의 다양성을 고려할 때, 책의 청결도 유지를 위한 조작으로서는, 미생물 부하가 많은 먼지 등의 건조 분체 오염은 공기와류 장치를 사용하고, 습윤상태의 오염은 280 nm UV LED를 사용하는 것이 적절한 것으로 나타났다. UV LED에 의한 미생물 사멸에서는 2 cm 정도의 가까운 거리에서 약 5분 정도 이상의 조사가 효과적이었고, 공기 와류에 의한 건조 분체 오염부하을 저감시키는 조건으로는 풍속 5.5 m/s에서 30초~1분의 처리가 적절하였다.
The possibility of an improvement in heat dissipation performance of aluminum alloy heat sink for shipboard LED luminaries through plasma electrolytic oxidation (PEO) was investigated. Four different PEO coatings were produced on aluminum alloy 5052 in silicate based alkaline solution by varying current density ($50{\sim}200mA/cm^2$). On voltage-time response curves, three stages were clearly distinguished at all current densities, namely an initial linear increase, slowdown of increase rate, and steady state(constant voltage). It was found that the increase in current density caused the breakdown voltage to increase. Two different surface morphologies - coralline porous structure and pancake structure - were confirmed by SEM examination. The coralline porous structure was predominant in the coatings produced at lower current densities (50 and $100mA/cm^2$) while under high current densities(150 and $200mA/cm^2$) the pancake structure became dominant. The coating thickness was measured and found to be in a range between about $13{\mu}m$ and $44{\mu}m$, showing increasing thickness with increasing current density. As a result, $100mA/cm^2$ was proposed as an effective process parameter to improve the heat dissipation performance of aluminum alloy heat sink, which could lower the LED operating temperature by about 30%.
이 연구는 발광다이오드(LED)를 이용한 미디어 파사드의 시공 전 상황을 미리 재현하고 의사결정의 중요한 방법으로 사용되는 시뮬레이션 영상 제작 과정과 기술, 그리고 다양한 표현방법들의 장단점을 분석한 것이다. 슈퍼그래픽으로부터 출발된 건물 외관 치장은 야간활동이 많아진 요즘의 시대적 분위기를 타고 LED시공으로까지 이어졌다. 초기의 슈퍼그래픽은 단순히 캐드 도면을 보고 의사결정을 할 정도였지만 오늘날 미디어 파사드 시공은 그렇게 간단히 의사결정 할 수 있는 문제가 아니다. 이는 엄청난 시공비도 한 몫 하지만 건물의 아이덴티티와 주변 상황과의 어울림을 함께 고민해야하는 문제이기 때문에 더욱 그렇다. 연구 결과인 미디어 파사드 시공 시뮬레이션의 다양한 표현 방법과 과정 분석, 그리고 장단점 파악은 시공규모와 시뮬레이션 목적에 따라 선택을 달리 할 수 있는 기준을 제시하고, 클라이언트의 다양한 요구에 빠르게 대응할 수 있는 방안을 제시할 것이다.
최근 10년 동안 LED등의 인공광원을 사용하여 작물을 재배한 많은 연구들이 수행되었다. 인공광원 중 LED를 조사한 연구가 가장 많았고, 이는 LED의 에너지 효율성 및 광합성에 필요한 특정파장 비율을 디자인하여 조사할 수 있는 장점 때문이라 여겨진다. 광질이 작물 기능성 물질 생산에 큰 영향을 미쳤는데, 밀폐시설과 시설재배에서의 영향에 차이가 있었다. 밀폐시설에서 재배할 때 인공광의 광질에 따라 증가되는 기능성물질차이 외에도, 동일 광질을 사용하더라도 작물별로 증가되는 기능성물질이 달랐다. 자연광을 주광원으로 이용하고 인공광을 보광으로 사용한 연구에서, 밀폐시설에서의 연구와 동일한 광질을 보광으로 사용하더라도 기능성물질 생산 측면에서는 다른 결과를 보였다. 따라서, 밀폐시스템과 시설재배에 대한 보광연구 양쪽 모두 필요하다고 판단된다. 또한 광질에 의한 기능성물질 함량의 증가와 별도로 작물의 생산성이 고려된 기능성물질의 총생산량의 관점에서도 평가될 필요가 있다. 작물별, 광질별, 재배환경에 따라 작물의 기능성 물질이 차별적으로 증가할 수 있으므로, 기능성 물질 증진을 위한 작물 재배를 위해서는 환경제어-기능성물질-생산성이 종합적으로 평가되어야 할 것이다.
For the high-performance Quantum dots-Light Emitting Diodes in the near-infrared and visible spectrum, adequate electro- and hole-transporting layers are required. The operation lifetimes of typical materials used in OLEDs are very limited and degraded especially by the oxygen and humid atmosphere. In this work, NiO was selected as a possible hole-transporting layer replacing the TPD film used in QD-LEDs. About 40-nm-thick NiO films have been deposited by the rf-sputtering method on various technical substrates such as FTO/glass, ITO/glass, and ITO/PEN. For the balance of charge carriers and quenching consideration, the resistivity of the deposited NiO films was investigated controlling the oxygen in the sputtering gas. NiO films were fabricated at room temperature and about 6mTorr using pure Ar, 2.5%-, 5%-, and 10%-mixed $O_2$ in Ar respectively. We also investigated the rf-power dependence on NiO films in the range of 80 ~ 200 Watts. The resistivity of the samples was varied from highly conductive to resistive state. Also discussed are the surface roughness of NiO films to provide the smooth surface for the deposition of QDs.
In order to develop transparent electrodes for high efficiency GaN-based light emitting diodes (LEDs), the electrical and optical properties of the electron beam evaporated ITO contacts have been investigated as a function of the deposition temperature and flow rate of oxygen during the deposition. As the deposition temperature increases from $140^{\circ}C$ to $220^{\circ}C$, the resistivity of the ITO films decreases slightly from $4.0{\times}10^{-4}{\Omega}cm$ to $3.3{\times}10^{-4}{\Omega}cm$, meanwhile the transmittance of the ITO films significantly increases from 67% to 88% at the wavelength of 470 nm. When the flow rate of oxygen during the deposition increases from 2 sccm to 4 sccm, the resistivity of the ITO films increases from $3.6{\times}10^{-4}{\Omega}cm$ to $7.4{\times}10^{-4}{\Omega}cm$, meanwhile the transmittance of the ITO films increases from 86% to 99% at 470 nm. Blue LEDs fabricated with the electron beam evaporated ITO electrode show that the ITO films deposited at $200^{\circ}C$ and 3 sccm of the oxygen flow rate give a low forward-bias voltage of 3.55 V at injection current of 20 mA with a highest output power.
메밀 새싹 채소 재배 시 광 조건에 따른 생육 차이는 일반 메밀 새싹과 쓴 메밀 새싹의 품종에 관계없이 암 조건, 적색광, 청색광, 혼합광(청색 + 적색 + 백색), 자연광 순으로 나타났다. 루틴의 함량 차이는 메밀 새싹에서 루틴 함량차이는 일반 메밀 새싹 보다 쓴 메밀 새싹에서 더 높았다. 일반 메밀 새싹과 쓴 메밀 새싹 모두에서 자연광, 혼합광(청색 + 적색 + 백색), 청색광, 적색광, 암조건 순으로 나타났다. 자엽과 배축의 경우에는 자엽에서 배축보다 6배 가량 높게 나타났다. 퀘르세틴 함량은 일반 메밀 새싹에 비해 쓴 메밀 새싹의 함량이 10배 이상 높게 나타났다. 광 조건에 따른 함량 차이는 자연광에서 가장 높았고 다음 혼합광, 적색광, 청색광 순이고 암 조건에서 가장 낮게 나타났다. 자엽과 배축의 경우에는 자엽에서 배축보다 높은 함량을 나타내었다. 메밀 새싹 채소의 클로로겐산은 일반 메밀 새싹과 쓴 메밀 새싹의 함량 차이가 비교적 작았다. 광 조건에 따른 차이는 자연광에서가장 높았고 LED광에서는 혼합광, 청색광, 적색광 순으고 암 조건에서 가장 낮았다. 루틴과 퀘르세틴과는 다르게 클로로겐산의 경우에는 배축에서 더 많은 함량을 나타내었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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