• 제목/요약/키워드: LD(Laser Diode)

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광 편향기 집적 레이저 다이오드의 제작 및 광의 편향 (Fabrication of deflector integrated laser diodes and light deflection)

  • 김강호;권오기;김종회;김현수;심은덕;오광룡;김석원
    • 한국광학회지
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    • 제15권2호
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    • pp.171-176
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    • 2004
  • 광 편향기가 집적된 레이저 다이오드를 제작하고 편향기 주입전류에 따른 레이저 다이오드의 특성 변화 및 출력광의 편향을 조사하였다. 레이저 다이오드와 집적된 수동 도파로의 상부 클래드 층의 일부분에 광 편향기를 집적하고, 편향기의 전류 주입에 따른 굴절률 변화를 유도하여 출력광의 편향이 발생하도록 하였다. 편향기의 전류 주입에 따른 출력광의 특성변화를 조사하기 위하여 편향기 주입 전류에 따른 레이저 다이오드의 문턱 전류(threshold current), 발진 효율(slope efficiency) 및 출력광 스펙트럼을 측정하였다. 측정 결과, 편향기 전류의 증가에 따라 출력광의 문턱 전류는 증가하고, 발진 효율은 감소하는 경향을 나타내었으나 출력광의 스펙트럼에는 영향을 주지 않는 특성을 나타내었다. 또한, 이론적 계산을 통해 광 편향기를 지나는 광이 편향됨을 확인하고, 편향기 집적 레이저 다이오드에서 출력되는 광의 far-field pattern을 측정하여 편향기 주입 전류에 따른 출력광의 편향을 실험적으로 확인하였다. 제작된 광 편향기 집적 레이저 다이오드에서 15 ㎃의 광 편향기 주입 전류 변화에 대해서 1.9$^{\circ}$의 편향각 변화를 측정 할 수 있었다.

GaN계 Laser Diode 개발 기술

  • 박용조
    • E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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    • 제13권1호
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    • pp.4-10
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    • 2000
  • 차세대 고집적 광기록 기기의 광원으로 사용될 GaN계 자색 LD의 개발은 괄목할만한 속도로 이루어지고 있으며, 이미 Pick-up용으로 사용될 수 있는 저출력 5 mW급 LD는 시제품이 나오고 있다. 2002년경에는 30 mW급 고출력 자색 LD를 장착한 DVDR이 시장에 출현할 것으로 예상되며, 이를 위해서는 저결함 박막성장이 절실하게 요구된다. 결정내결함을 감소시키기 위한 방법으로 ELOG 성장법이 보편적으로 사용되나 궁극적으로는 GaN 기판 개발이 필연적으로 뒤따라야할 것으로 판단된다.

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2.5 Gbps CMOS LD 구동기 설계 (Design of 2.5 Gbps CMOS LD driver)

  • 김경민;최진호;최영완;조원진
    • 한국정보통신설비학회:학술대회논문집
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    • 한국정보통신설비학회 2004년도 하계학술대회
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    • pp.37-40
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    • 2004
  • 본 논문에서는 $0.35{\mu}m$ CMOS공정을 이용하여 2.5 Gbps로 동작하는 LD(Laser Diode) 구동기를 설계하였다. 전기 신호를 광 신호로 변환시켜 주는 레이저 다이오드(LD)를 동작시키기 위해서는 LD 구동기가 필요하게 되며, LD 구동기는 크게 LD 문턱전류 이상의 전류를 공급하기 위한 바이어스부와 바이어스 전류를 기반으로 전기신호를 광신호로 변조하는 변조부로 나뉘어 진다. 설계한 LD 구동기는 LD의 등가회로를 이용하여 모의실험 과정을 거쳤으며, MOSFET의 GATE단에 안정된 입력전압을 인가함으로써 안정된 바이어스 전류의 공급을 꾀하였다. 디자인된 LD 구동기는 11 mA 정도의 바이어스 전류를 공급하여 주었으며, 4 mA 정도의 변조전류를 공급한다.

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Ta2O5/SiO2를 이용한 고출력 광섬유 레이저의 펌프 LD 보호기용 반사형 필터 설계 및 제작 (Design and Fabrication of Reflection-type Pump LD Protection Filters for High Power Fiber Lasers by Using Ta2O5/SiO2 Thin Films)

  • 성하민;김재헌;이석;전영민
    • 한국광학회지
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    • 제23권3호
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    • pp.124-127
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    • 2012
  • 본 논문에서는 고출력 광섬유 레이저에서 역입사되는 레이저 광으로부터 펌프 LD를 보호하기 위한 반사형 2색 필터를 설계하고 제작하였다. 펌프 LD 발진 파장인 905 nm~925 nm 대역에서 투과율은 0.1%이하, 광섬유 레이저 출력 반사광이나 브릴루앙 산란광 파장대역인 1020 nm~1100 nm 대역에서 투과율은 99.9% 이상이 되도록 필터를 설계하였다. 기판(Substrate)은 $SiO_2$로 사용하고 접착력이 우수한 Oxide 계열 물질인 $SiO_2/Ta_2O_5$를 박막 재료로 사용하였다. 최적화된 설계를 한 후 필터를 제작하였고, 그 특성을 비교하였다. 제작된 필터의 투과율이 905 nm ~ 925 nm 대역에선 0.1%이하, 1020 nm~1100 nm 대역에선 95.5%이상으로 측정되어 공정오차를 고려한 설계범위 안에 들어옴을 확인하였다. 제작된 필터는 레이저 출력 1W이상의 입력광에 대해서도 정상 동작함을 확인하였다.

Meltback을 이용한 mesa shape의 형성과 평면매립형 반도체레이저의 제작 (The mesa formation and fabrication of planar buried heterostructure laser diode by using meltback method)

  • 황상구;오수환;김정호;김운섭;김동욱;홍창희
    • 한국광학회지
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    • 제10권6호
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    • pp.518-523
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    • 1999
  • 본 연구에서는 meltback 방법으로 mesa 모양을 형성하기 위하여 여러 가지 농도의 용액으로 meltback을 하였으며 InP 기판위에 InGaAsP 활성층과 InP cap층을 가지는 웨이퍼에 mesa 모양을 형성하기 위해서는 성장온도에서 성장용액의 80%인 InGaAsP(1.55$\mu$m)용액이 가장 적합한 것으로 확인되었다. meltback 방법만으로 PBH-LD(planar buried heterosturcture laser diode)를 제작하기 위한 완전한 mesa를 형성하기는 어려우며, 따라서 본 연구에서는 화학에칭에 이어 Meltback 방법을 이용하여 mesa 모양을 형성하고 연속하여 전류 차단층을 형성시킨 PBH-LD(planar buried heterosturcture laser diode)를 제작하였다. 이렇게 제작된 MQW-PBH-LD의 전기 광학적 특성은 공진기 길이가 $300{\mu}m$일 때 임계전류는 10mA, 내부양자효율은 82%, 내부손실은 $9.2cm^{-1}$, 특성온도는 $25~45^{\circ}C$ 사이에서는 65K, $45~65^{\circ}C$사이에서는 42K이었다.

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LD의 자기혼합 효과를 이용한 LDF의 신호처리 알고리즘의 평가 (Evaluation of LDF Signal Processing Algorithms Using Self-mixing Effect of Laser Diode)

  • 고한우;김종원
    • 대한의용생체공학회:의공학회지
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    • 제19권4호
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    • pp.369-377
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    • 1998
  • 본 논문에서는 레이저 다이오드의 자기혼합 효과를 이용한 레이저 도플러 혈류계를 위한 신호처리 알고리즘들에 대한 in vitro적인 실험결과를 비교하였다. 단순하고 유연성있는 레이저 도플러 시스템을 구성함으로써 디지털 신호해석 방법에 의하여 여러 가지 신호처리 알고리즘들을 비교할 수 있도록 하였다. 이 시스템은 다양한 알고리즘을 퍼스널 컴퓨터를 사용하여 소프트웨어로 제어하므로써 다양한 알고리즘을 선택하여 비교 연구할 수 있도록 하였다. 또한, 유체 흐름의 재현성과 조직의 혈류 흐름을 모의하기 위하여 두 개의 실험적인 혈류모델을 제작하여 적용하였다. 광원은 파장 780nm의 레이저 다이오드를 사용하였으며, 3 종류의 입자 농도와 속도를 갖는 액체를 두 개의 실험모델에 흘리면서 측정된 결과들을 비교하였다. 그 결과 주파수로 가중되지 않은 알고리즘(0차 모멘트)이 속도와 농도변화를 잘 나타내는 반면에 주파수로 가중된 알고리즘들(1차와 2차 모멘트, 0차 모멘트와의 비)은 농도보다는 속도 변화를 잘 나타내었다.

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고출력 AlGaAs SCH-SQW 레이저 다이오드 개발 (Development of High-Power AlGaAs SCH-SQW Laser Diode)

  • 손진승;계용찬;권오대
    • 전자공학회논문지A
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    • 제30A권10호
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    • pp.27-32
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    • 1993
  • Separate-confinement hetero-structure (SCH) broad area Laser Diodes (LD's) were fabricated from $Al_{0.07}$Ga$_{0.93}$/. As single-quantum-well (SQW) grown by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD). Under pulsed operation, we obtained maximum output powers of about 0.8watt/facet and 1.83watt/facet from LD's with 60$\mu$m and 160$\mu$m channel width, respectively, without facet coatings. The differential quantum efficiency of the 60$\mu$m wide LD was about 21.7%/facet and its threshold current density was about 1k [A/cm$^{2}$]. The differential quantum efficiency of the 160$\mu$m wide LD was about 25.6%/facet and its threshold current density was about 1k[A/cm$^{2}$]. The minimum threshold current density of 60$\mu$m wide LD's was 620[A/cm$^{2}$] when the cavity length was 603$\mu$m and the minimum threshold current density of 160$\mu$m wide Ld's was 675[A/cm$^{2}$] when the cavity length was 752$\mu$m. The internal quantum efficienty and the internal loss of both LD's were 92.3% and 18.1cm$^{1}$, respectively.

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고출력 $Al_{0.07}$$Ga_{0.93}$As 레이저 다이오드 어레이 제작 (Fabrication of High Power $Al_{0.07}$$Ga_{0.93}$As Laser Diode Array))

  • 손노진;박성수;안정작;권오대;계용찬;정지채;최영수;강응철;김재기
    • 전자공학회논문지A
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    • 제32A권10호
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    • pp.43-50
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    • 1995
  • A laser diode(LD) structure consisting of a single 150$\AA$ $Al_{0.07}$Ga$_{0.93}$As quantum well active region operating at ${\lambda}$=809nm, cladded with an AlGaAs graded-index separate confinement heterostructure, has bes been grown by MOCVD. Temperature coefficient of wavelength is approximately 0.2nm $^{\circ}C$ for the diode. The active aperture consists of five emitters separated from each other by means of SiO$_{2}$ deposition and stripe formation, which creates insulating regions that channel the current to 100-$\mu$m-wide stripes placed on 450-$\mu$m centers. From a typical uncoated LD, the output power of 0.8W has been obtained at a 1$\mu$s, 1kHz pulsed current level of 2.0$\AA$, which results in about 64% external quantum efficiency. The threshold current density is 736A/cm$^{2}$ for the case of 500$\mu$m cavity length LD's. The measure of an internal quantum efficiency was 75.8% and the internal loss 4.83$cm^{-1}$ . Finally, 3.1W output power has been obtained at a 1$\mu$s, 1kHz pulsed current level of 9A from the 500$\mu$m-aperture LD array with 460-$\mu$m- cavity length.

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혈류 시뮬레이터와 LD의 자기혼합효과를 이용한 혈류계 프로브의 구현 (Implementation of a blood flow simulator and a blood flowmeter probe using self-mixing effect of the laser diode)

  • 김종원;고한우
    • 대한의용생체공학회:학술대회논문집
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    • 대한의용생체공학회 1998년도 추계학술대회
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    • pp.76-77
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    • 1998
  • In this paper, the authors have implemented a blood flow simulator and a blood flowmeter probe using self-mixing effect of the laser diode. The purpose of the blood simulator is to simulate microvascular blood flow in tissue. It consists of melinex film (thickness = $125{\mu}m$) which has similar optical characteristics to epidermis and porous polyethylene filter (Vyon, porosity 35%, mean pore size $50{\mu}m$, thickness=1 mm) which has similar optical characteristics to dermis. The blood flowmeter probe consists of laser diode(5 mW, 780 nm wavelength), CD lens(focal lenght 12 mm), current-to-voltage converter, highpass filter, and preamplifier. It doesn't need optical fiber, therefore, implementation of the probe is simpler than conventional probe using optical fiber.

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분광특성을 이용한 소형의 메탄 가스 감지 시스템 (Small Methane Detection System using Optical Spectrum Characteristics)

  • 조경화;류근준;김응수
    • 센서학회지
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    • 제20권1호
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    • pp.53-57
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    • 2011
  • We developed a small methane detection system because methane gas is used in many areas and is dangerous. The developed system consisted of LD(Laser Diode) tuned a wavelength of $1.65\;{\mu}m$, two mirrors to collect a laser beam, photo detector. It could detect methane gas at a long range and its sensitivity was 1.98 V/$CH_4%$.