• 대한전자공학회논문지TE
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• 제37권2호
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• pp.83-90
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• 2000

본 논문에서는 IMT2000 중계기용으로 1.88-1.98 ㎓ 대역 전력증폭기를 저 가격, 소형으로 개발하였다. 이 전력증폭기는 두 단으로 구성되어 있으며 초단은 P-HEMT (ATF-34143, 800 micron gate width, Agilent Technologies)를 사용하였으며, 종단은 GaAs FET(EFA240D-SOT89, 2400 micron gate width, Excelics Semiconductor)를 사용하였다. 개발된 전력 증폭기는 전체 주파수 대역인 1880-1980 ㎒에서 이득이 29.5㏈, 1㏈ gain compression point는 29.5dBm, 3rd order intercept point(OIP3)는 42dBm 그리고 입출력 return loss는 -10㏈/-l2㏈ 이다. 본 연구에서는 이 전력 증폭기를 설계하기 위하여 각 소자의 비선형 모델을 사용하여 전력증폭기의 여러 가지 비선형 특성을 설계할 수 있었으며, 이 전력 증폭기의 크기는 42(L) x 34(W) mm으로 소형화가 가능하였다.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제41권2호
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• pp.65-70
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• 2004

본 논문에서는 비선형 RF(Radio Frequency) 증폭기의 선형화를 위한 새로운 구조의 전치왜곡 선형화기를 제안한다. 전치 왜곡에 이용되는 3차 비선형 성분은 RF 신호의 포락선(envelope) 전력을 이용하여 발생시킨다. 3차 왜곡 성분 발생기(3rd order distortion generator)는 FET로 구성되었고, 왜곡 신호 발생 후 남아 있는 주 신호 성분 제거를 위해 평형 결합 구조를 제시하였다. 발생된 3차 혼변조 신호는 RF 대역에서 진폭과 위상을 조절함으로써 최적의 선형화 조건을 만족시킨다. 2-tone 실험결과 증폭기의3차 흔변조특성이 30～40㏈ 개선되었다. IS-95 CDMA 신호 실험 결과 인접 채널 전력 비(ACPR)가 약 l0㏈이상 개선됨을 확인하였다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제4권1호
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• pp.67-76
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• 2000

본 논문에서는 INMARSAT 수신주파수인 1525-1545 MHz와 전세계 측위 시스템 수신주파수 15751 MHz 대역에서 초고주파용 수신장치로 사용되는 L-BAND(1525-1575 MHz)용 저잡음증폭기를 저항 결합회로를 사용하여 구현하였다. 사용된 저항 결합회로는 반사되는 전력이 정합 회로내의 저항에서 소모되므로 반사계수가 작아지고, 안정도도 개선되며, 또한 저잡음증폭기의 설계시 입력단 정합이 용이하였다. 저잡음증폭기의 구현에는 GaAs FET인 ATF-10136과 내부정합된 MMIC인 VNA-25를 이용하였으며, 알루미늄 기구물 안에 초고주파 회로와 자기 바이어스 회로를 함께 장착시켰다. 이렇게 제작된 저잡음증폭기는 32 dB의 이득, 0.8 dB 이하의 잡음지수와 18.6 dBm의 P1dB 출력을 얻었다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2004년도 ICEIC The International Conference on Electronics Informations and Communications
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• pp.218-220
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• 2004

A new wide-band VCO topology using Miller capacitance is proposed. Contrary to conventional VCO using the Miller capacitance where the variable amplifier gain is negative, the proposed VCO uses both the negative and positive variable amplifier gain to enhance the frequency tuning range significantly. The proposed VCO is simulated using HSPICE. The simulations show that 410MHz and 220MHz frequency tuning range are obtained using the negative .and positive variable amplifier gain, respectively. The tuning range of the proposed VCO is $23\%$ of the center frequency(2.8GHz). The phase noise is -104dBc/Hz at 1MHz offset by simple model. The operating current is only 3.84mA at 2.5V power supply.

• 한국통신학회논문지
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• 제31권6A호
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• pp.547-555
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• 2006

본 논문에서는 고효율 증폭 기능을 가지는 이중경로증폭 구조의 고정이득 L-band EDFA를 구현하였다. 선형공진기로부터 생성된 발진광에 의해 신호채널들이 분기결합 되더라도 잔류채널의 요동을 줄일 수 있다. 잔류채널의 과도응답 특성에 대해 발진출력광 변화율이라는 정량적인 척도를 제시하였고 이를 이용해 발진파장 및 발진방향에 따른 과도응답 특성을 측정하였다. 결과적으로 단파장 및 펌프광의 반대 방향으로 전파하는 후방 발진광이 가장 양호한 것으로 판명되었다.

• 한국항해항만학회지
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• 제26권1호
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• pp.22-27
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• 2002

본 논문에서는 hybrid 기법을 이용하여 INMARSAT 위성의 상향 주파수인 L-HAND(1.6265∼1.6465 GHz)에서 동작하는 위성단말기용 25 Watt C급 고출력증폭기를 설계 ·제작하였다. 제작의 간편성을 위해서 전력증폭기를 크게 구동증폭단과 전력증폭단으로 나누어 구현하였으며, 전력증폭단을 구동하기 위한 구동단은 Motorola사의 MRF-640을 사용하여 2단으로 구성하였고, 전력증폭단은 MRF-16006과 MRF-16730을 사용하였다. 또 각 부에 직류 전원을 공급하기 위해 바이어스 회로부를 같은 하우징 내에 장착하여 무게 및 부피를 최소화하였다. 제작된 고출력증폭기는 20 MHz 대역폭 내에서 이득이 30 dB 이상, 입 ·출력 정재파비는 1.7 이하의 특성을 가졌다. 1.635 GHz 주파수에 대해 1 dB 압축점의 출력전력은 44 dBm 으로서 설계시 목표로 했던 출력전력 25 Watt를 상회하였다. 본 논문에서 제시한 SSPA(Solid State Power Amplifier) 제작 기법은 각종 Radar 및 SCPC(Signal Channel Per Carrier)용 전력증폭기 설계 및 제작에도 적용할 수 있다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2008년도 하계종합학술대회
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• pp.421-422
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• 2008

In this paper, CMOS RF front-end circuits for an L1/L5 dual-band global positioning system (GPS)/Galileo receiver are designed in $0.13\;{\mu}m$ CMOS technology. The RF front-end circuits are composed of an RF single-to-differential low noise amplifier, an RF polyphase filter, two down-conversion mixers, two transimpedance amplifiers, a IF polyphase filter, four de-coupling capacitors. The CMOS RF front-end circuits provide gains of 43 dB and 44 dB, noise figures of 4 dB and 3 dB and consume 3.6 mW and 4.8 mW from 1.2 V supply voltage for L1 and L5, respectively.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제7권1호
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• pp.114-121
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• 2003

본 연구에서는 ISM 밴드의 블루투스 응용을 위한 2단 CMOS E급 전력증폭기를 설계하였다. 제안된 전력증폭기는 2.4GHz의 주파수에서 동작하며 0.35um CMOS기술과 Hspice 툴을 이용하여 설계 및 시뮬레이션 되었고 Mentor 툴을 이용하여 레이아웃되었다. 전력증폭기의 구조는 간단한 2단으로 설계하였다. 첫단에는 입력매칭네트웍과 전압증폭단인 전치증폭기로, 둘째단은 최대효율과 최대전력을 위한 E급 전력증폭단과 출력 매칭네트웍으로 구성하였다 내부단은 가장 간단한 구조의 L구조의 매칭네트웍을 이용하여 제작될 전체칩의 크기를 최소화하였다. 본 연구에서 제안된 전력증폭기는 2.4GHz의 동작주파수와 2.5V의 낮은 공급전압에서 25.4dBm의 출력전력과 약 39%의 전력부가효율을 얻을 수 있었다. 패드를 제외한 칩의 크기는 약 0.9${\times}$0.8(mm2)였다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 1999년도 추계종합학술대회 논문집
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• pp.851-854
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• 1999

A high efficient, CMOS RF power amplifier at a 2.SV power supply for the band of 902-928MHz was designed and analyzed in 0.25${\mu}{\textrm}{m}$ standard CMOS technology. The output power of designed amplifier is being digitally controlled from a minimum of 2㎽ to a maximum of 21㎽, corresponding to a dynamic range of l0㏈ power control. The frequency response of this power amplifier is centered roughly at 915MHz. The power added efficiency of designed amplifer is almost 48% at maximum output power of 21㎽.

• 한국통신학회논문지
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• 제30권3A호
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• pp.160-167
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• 2005

WDM(Wavelength Division Multiplexing) 광통신망의 노드에서 신호채널들이 분기 결합될 때 잔류채널들의 이득을 일정하게 제어해 주기 위해 고정이득 EDFA를 사용한다. 본 논문에서는 양방향 펌프에 의해 고이득을 가지는 L-band EDFA에서 발진광에 의해 입력변화를 보상해주는 방식으로 고정이득 EDFA를 구현하였다. 여기서 발진방향 및 파장에 따른 잔류채널의 과도응답 특성에 있어서 단파장 후방발진의 경우가 최적임을 확인할 수 있었다.