오늘날에는 HGP(Human Genome Project)로 인해 인간과 같은 고등생물은 높은 비율로, 단백질을 만들어낼 때 유전자 개수를 늘려 나가는 것이 아니라 유전자의 활용도를 높임으로써 다양한 단백질을 만들어낸다 새로운 사실이 밝혀졌다. 이로 인해 alternative splicing에 대한 관심이 높아지고 있다. Alternative splicing의 비중이 높아지며 이에 따라 이를 찾아내기 위한 다양한 방법들이 생겨나고, 이러한 방법 중 하나가 splice junction을 찾아내는 것이다. 본 논문에서는 splice junction 탐색을 위한 도구를 개발하기에 앞서 이미 기존에 존재하는 도구들을 조사하여 해당 도구들이 어떠한 사양과 알고리즘을 사용하는지를 분석 및 비교하였다.
In this paper, a novel ultraviolet sensor is presented based on a photoluminescent porous silicon. Porous silicon layer was formed by chemical etching of surface of pn junction in a $HF(48%)-HNO_3(60%)-H_20$ solution. Incident ultraviolet(UV) light is converted to visible light by photoluminescent porous silicon layer, and then this visible light generates electron-hole pairs in the pn junction, which produces a photocurrent flow through the device. In order to maximize detection efficiency, the peak sensitivity wavelength of the pn junction diode was matched with the peak wavelength of Photoluminescence from porous silicon layer. The porous silicon ultraviolet sensor showed a large output current as UV intensity increases and but very low sensitivity to visible light. The detection sensitivity of porous silicon sensor was calculated as 2.91mA/mW. These results are expected to open up a possibility that the present porous silicon sensor can be used for detecting UV light in a visible background, compared to silicon UV detectors which have an undesirable response to visible light.
We have fabricated and analyzed photodiodes for optical link with Si pin structures. As the results of experiment, the web patterned photodiode(type C) with $p^{+}$-guard ring showed low junction capacitance of 6~7 pF at $V_{R}$=-5V and high separation ability for optical signal(dark current : $\leq$ 5 nA, optical signal current : $\geq$ 340 nA) due to the small effective $p^{+}$-n junction area and the expanded electric field region. The fabricated Si pin photodiode can be applicable for detecting an optical signal with the wavelength of about 660~670 nm. It can also be integrated with the twin well CMOS structure to develope an one chip based optical receiver IC. IC.C.
We fabricated a large-scale photovoltaic device for detecting-3-5$\mu$m IR, by forming of n$^{+}$-p junction in the $Hg_{1-x}Cd_{x}$Te (MCT) layer which was grown by LPE on CdTe substrate. The composition x of the MCT epitaxial layer was 0.295 and the hole concentration was 1.3${\times}10^{13}/cm^{4}$. The n$^{+}$-p junction was formed by B+ implantation at 100 keV with a does 3${\times}10^{11}/cm^{2}. The n$^{+}$ region has a circular shape with 2.68mm diameter. The vacuum-evaporated ZnS with resistivity of 2${\times}10^{4}{\Omega}$cm is used as an insulating layer over the epitaxial layer. ZnS plays the role of the anti-reflection coating transmitting more than 90% of 3~5$\mu$m IR. For ohmic contacts, gole was used for p-MCT and indium was used for n$^{+}$-MCT. The fabrication took 5 photolithographic masks and all the processing temperatures of the MCT wafer were below 90$^{\circ}C$. The R,A of the fabricated devices was 7500${\Omega}cm^{2}$. The carrier lifetime of the devices was estimated 2.5ns. The junction was linearly-graded and the concentration slope was measured to be 1.7${\times}10^{17}/{\mu}m$. the normalized detectivity in 3~5$\mu$m IR was 1${\times}10^{11}cmHz^{12}$/W, which is sufficient for real application.
Reverse transcription (RT)-PCR and nested PCR methods (2-step PCR) were tested for their ability to detect marine birnavirus (MBV) in cultured rockfish, Sebastes schlegeli. One set of primers for RT-PCR was designed, based on a gene of infectious pancreatic necrosis virus (IPNV), and another set of primers for nested PCR was designed based on the VP2/NS junction region of MBV. This 2-step PCR method was specific for MBV and sensitivity was heightened when nested PCR was combined to RT-PCR. This 2-step PCR method was useful for detecting MBV not only in diseased fish, but also in asymptomatic fish. These results indicate that this 2-step PCR method is useful for detecting MBV in rockfish.
DaBin Na;JiMin Gu;JiMin Park;YunSeok Song;JiHun Moon;Sangyul Ha;SangJeen Hong
반도체디스플레이기술학회지
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제23권2호
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pp.135-142
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2024
Cu-Cu bonding, one of the key technologies in advanced packaging, enhances semiconductor chip performance, miniaturization, and energy efficiency by facilitating rapid data transfer and low power consumption. However, the quality of the interface bonding can significantly impact overall bond quality, necessitating strategies to quickly detect and classify in-process defects. This study presents a methodology for detecting defects in wafer junction areas from Scanning Acoustic Microscopy images using a ResNet-50 based deep learning model. Additionally, the use of the defect map is proposed to rapidly inspect and categorize defects occurring during the Cu-Cu bonding process, thereby improving yield and productivity in semiconductor manufacturing.
Recently, there is a need for research concerning the technologies and precaution methods against electronic bomb assaults. There lays perplex constitution and much coupling phenomenon in this type of system, and thus requires much time and memory in order to translate the system with the existing translation methods. Applying the EMT (Electromagnetic Topology) would prove much more efficient. In this paper, EMT has been applied to the circuit-like micro system, previously employed in micro systems. Also, each section has been interpreted using the BLT (Baum, Liu, Tesche) equation using the EMT, then reconstructed, consequentially interpreting an entire system. In this paper, a simple circuit containing active and passive elements based on a CPW has been interpreted employing the BLT equation, and has been proven by experiment using the circuit simulation, a simulation officially recognized for its accuracy in interpreting small structures. The interpretation results have been presented by an S-parameter, and by comparing the interpretation results attained through the BLT equation and that from common simulation to that from experimentation, that the BLT equation turned out to be the most reliable interpretation method could be found.
Head up display’s cooling system is auto-diagnosed resulting from the external environment. The quantity of heat depending on this Head up display’s cooling system layout determines the speed of FAN for system cooling. In other words, a system’s heat quantity is planned through the air density depending on altitude, the amount of wind in air depending on FAN control condition, and the algorithm that is proportional to delta temperature. To detect the altitude, we use the criteria of delta T, which is determined by the subtracted value of LED junction temperature, and atmospheric temperature that is recorded on the Head up display system. Depending on the classification of delta T value, the altitude section is determined. While we can use GPS as the tool to detect the altitude, we should predict the change of the air density as the altitude alters, and should not just measure the altitude. And the value of delta T is used as the criterion of detecting the altitude for increasing the cooling efficiency of the car’s inner Head up display system with reflecting the speed of the FAN dependent upon the air density. In our theory, altitude is depending on the value of delta T and stabilizing or maintaining the system’s temperature by changing FAN’s rpm depending on determined value of altitude.
서울시는 2001년부터 실시간 신호제어시스템(COSMOS)를 운영하고 있으며, 도시부 신호교차로의 신호운영 자료인 포화도 및 대기길이의 산출을 위하여 검지기를 설치해 차량으로부터 기초자료를 습득하고 있다. 현재 가장 보편적으로 사용하는 것은 유도성 루프검지기로 도로의 노면에 매설하는 방식이라 유지 보수가 용이하지 않고 비용이 많이 드는 단점이 있다. 또한 대기길이의 산정시 검지기를 통과하는 차량의 속도만으로 계산해야하기 때문에 속도측정 오차 발생시에 대기길이의 값에 영향을 미치게 된다. 제안하는 알고리즘은 카메라, 센서 및 이미지처리 장치와 같은 추가적인 장치 없이, VANETs(Vehicular Ad-hoc Networks)의 차량 간의 통신을 이용하고 각 방향별 그룹을 설정하여 교차로에서 원활한 교통 흐름을 가능케 하는 실시간 교통신호 제어 시스템을 제안한다. 본 연구에서 제안한 알고리즘은 GLD(Green Light District) Simulator를 기반으로 단일교차로 모델에서 AJWT(Average Junction Waiting Time)와 TQL(Total Queue Length) 에 대해서 확인하였으며 그 결과를 무작위(Random) 제어방식 및 최상우선(Best first) 제어방식과 비교하여 더 나은 결과를 보였다. 향후 VANETs를 활용한 실시간 제어방법이 보편화 될 경우 무선 통신기술을 이용한 교차로의 교통제어기술을 제안한 본 연구는 그 활용가치가 높을 것으로 판단된다.
새로운 구조의 APF optical link용 Si pin photodetector를 제작하고 그 특성을 분석하였다. 제작된 소자는 금속-반도체 접촉주위에 $p^{+}$-guard ring구조와 광이 입사되는 수광면에 그물망 모양의 얕은 $p^{+}$-확산영역을 갖는다. 제작된 소자의 전기.광학적 특성을 -5 V의 동작전압에서 측정한 결과, 접합 커패시턴스와 암전류는 각각 4 pF와 180 pA로 나타났으며 광신호 전류와 감도특성는 670 nm이 중심파장을 갖는 2.2 $\mu$W의 입사광 전력 아래에서 각각 1.22 $\mu$A와 0.55 A/W로 나타났다. 제작된 소자는 650~700 nm의 파장영역에서 최대 spectral response를 보이고 있으며 낮은 점한 커패시턴스와 우수한 신호분리능력으로 인해 red light optics응용에서 광신호 검출에 적합하게 사용될 수 있을 것으로 기대된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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