• 한국초지조사료학회지
• /
• 제19권4호
• /
• pp.333-338
• /
• 1999

본 시험은 사일리지용 옥수수와 수수 $\times$ 수단그라스에 대해서 젖소액비 시용방법에 따른 작물생산성과 토양변화에 미치는 영향을 구명코자, 1996년 3월부터 1997년 11월까지 2년동안 축산기술연구소 사료작물 포장에서 수행되었다. 간장에 있어서 두 작목 모두 기비로 화학비료, 추비로 액비를 시용한 구(T4)가 각각 260cm와 246cm로 가장 길었다. 반면 엽장과 엽폭은 사일리지용 옥수수의 화학비료 표준구(T1)가 각각 85cm와 10.9cm로 가장 높았고, 수수 $\times$ 수단그라스에서의 엽폭에서는 T1, 엽장에서는 전량 액비시용구(T2)에서 높았다. 조단백질 함량은 두 작목 모두 화학비료표준구(T1)가 각각 6.5%와 8.9%로 높았지만, 가소화양분비율에서는 두 작목 모두 T3구에서 각각 73.8%와 59.0%로 높게 나타났다. TDN 수량에서 사일리지 옥수수의 경우, 화학비료구(9.5톤/ha)와 액비시용구(8.4~9.3톤/ha) 사이에서는 유의적인 수량차이는 인정되지 않았지만, 수수 $\times$ 수단그라스 교잡종구에서는 화학비료구(T1)의 12.6톤/ha 보다 기비로 화학비료, 추비로 액비를 사용한 구(T4)가 13.3톤/ha로 유의성이 인정되었다(p<0.05). 한편 토양중 pH는 두 작목 모두 시험전이 시험 후 보다 높았으며 유기물 함량은 시험 후에서 높은 경향을 나타내었다. 유효인산 함량과 다른 양이온 함량은 액비 사용방법에 따라 일정한 경향이 나타나지 않았다. 결론적으로 토양적인 면과 영양수량적인 면을 고려할 때 사일리지 옥수수에서는 화학비료구와 액비사용형태멸로는 차이가 없었으며, 수수 $\times$ 수단그라스 교잡종에서는 기비로 화학비료, 추비로 액비를 사용한 구가 우수하였다.

• 한국초지조사료학회지
• /
• 제19권4호
• /
• pp.325-332
• /
• 1999

모든 낙농경영에 있어서 우분의 관리계획은 중요하다. 본 연구는 옥수수-연맥 작부조합에서 소 액상분뇨의 시용수준을 달리하였을 때 잔여효과로 인한 사료가치, 질소 회수율, 총사초수량 및 토양특성 변화를 구명하고자 1997년 4월부터 1997년 10일까지 축산기술연구소 사료포장에서 수행하였고, 8처리[무비구, 화학비료구(요소) $320kg\;N\;ha^{-1}$, 계속시용구 320, 640, $960kg\;N\;ha^{-1}$, 잔여효과구 200, 400, $600kg\;N\;ha^{-1}$]를 난괴법 3번복으로 설계배치 하였으며, 그 결과를 요약하면 다음과 같다. 수확 당시 추파 연맥의 평균 초고는 계속시용구가 70.2cm, 잔여효과구가 61.4cm였다. 평균 건물률은 잔여효과구가 계속시용구보다 0.9% 높았으나, 처리간의 유의성은 없었다. 계속시용구가 잔여효과구보다 조단백질 함량은 1.0%, ADF 함량은 1.6%, NDF 함량은 3.1% 높았으며 처리간 유의성도 인정되었다(P<0.05). 사초의 총건물수량은 11,365에서 $25,668kg\;ha^{-1}$ 범위로, $960kg\;N\;ha^{-1}$ > $600kg\;N\;ha^{-1}$ > $640kg\;N\;ha^{-1}$ > $400kg\;N\;ha^{-1}$ 순이었다(P<0.05). 대조구와 비교하여 비효가는 $960kg\;N\;ha^{-1}$가 158%였고, $600kg\;N\;ha^{-1}$는 139%였다. 질소회수율은 $200kg\;N\;ha^{-1}$가 50%로 제일 높았고, 그리고 $400kg\;N\;ha^{-1}$, $600kg\;N\;ha^{-1}$, $320kg\;N\;ha^{-1}$ 순으로 높았다. 토양중 치완성양이온함량은 잔여효과구가 계속시용구에 비해 높았다. 이상의 연구결과를 볼 때 옥수수-연맥 작부조합에서 총사초의 건물수량, 비효가, 질소 회수율 면에서 소액상분뇨 $600kg\;N\;ha^{-1}$가 가장 효과적인 것으로 나타났다.

• 한국자기학회지
• /
• 제18권3호
• /
• pp.109-114
• /
• 2008

Solid State Reaction법으로 $Ti_{0.96}Co_{0.02}Fe_{0.02}O_2$ 시료를 제조하였다. 각각의 시료를 $870^{\circ}C$, $900^{\circ}C$, $930^{\circ}C$로 24시간 열처리하였다. 이 때 Ti-getter의 유무를 통해 각각의 온도에서 Ti-getter에 따라 시료의 특성이 어떻게 변화하는지 관찰하고자 한다. 제작된 시료의 구조분석을 위해 시료의 분말 회절실험을 실시하였다. VSM을 이용하여 시료의 자성을 측정하고, 금속이온의 형태와 시료 내에서 cluster로 존재하는지 여부를 조사하기 위해 TEM과 SEM, EDS실험을 하였다. XRD pattern 분석결과, 결정구조는 tetragonal구조로써, 순수한 Rutil-$TiO_2$상이 주를 이루며, 2차상으로는 getter가 없을 때는 $Fe_2TiO_5$, 있을 때는 Fe가 관측되었다. 시료의 자성을 측정한 결과, getter가 없을 때는 $870^{\circ}C$일 때 자화값은 약 $0.025{\mu}B$/CoFe 정도로 강자성을 보이지만, $900^{\circ}C$와 $930^{\circ}C$에서는 강자성을 보이지 않는다. Ti-getter가 있을 때의 자화값은 $870^{\circ}C$에서는 약 $1.1\;{\mu}B$/CoFe, $900^{\circ}C$와 $930^{\circ}C$일 때는 $1.5\;{\mu}B$/CoFe 정도로 강자성을 보인다. 이러한 자성의 차이는 Ti-getter의 유무에 따른 2차상의 차이로 결정된 것으로 보인다. Titanium이 고온에서 산소와 질소, 공기 속의 수분과 쉽게 결합하는 성질을 가지고 있기 때문에 이것을 이용하면 좀 더 낮은 산소분압을 얻을 수 있다. 시료의 산소분압에 따라 자화값이나 원자 구조의 변화에 상당한 영향을 받게 되어 시료의 특성이 다르게 나타나는 것을 확인 할 수 있다. TEM과 SEM, EDS실험결과에서는 Co와 Fe가 골고루 분포하는 영역이 있는가 하면 Ti만 관측되는 부분도 존재했다. 시료의 Co와 Fe가 시료전체에 골고루 퍼져있는 것이 아니라 부분적으로 분포하고 있음을 확인 할 수 있다.

• 한국토양비료학회지
• /
• 제12권2호
• /
• pp.99-107
• /
• 1979

청도군의 산록경사지중(山麓傾斜地中) 가장 큰 비중(比重)을 점(占)하고 있는 장원통의 특성(特性)과 토지이용(土地利用) 및 토양생성(土壤生成)에 대하여 조사연구한 결과(結果)는 다음과 같았다. 1. 장원통의 분포면적(分布面積)은 1,719ha로서 산록경사지중(山麓傾斜地中) 총 면적(面積)의 42.3%에 달(達)하였다. 2. 형태적(形態的) 특성(特性)을 보면 표토(表土)(A층)는 갈색(褐色)으로 푸슬푸슬한 반각괴상 내지(乃至) 입상이고 심토(心土)(B층)는 담황갈색(淡黃褐色)으로 매우 딱딱한 반층을 이룬 반각괴상 또는 판상으로 회갈색반문(灰褐色斑紋)이 있으며 기층(C층)도 매우 견밀(堅密)하나 구조(構造)는 없고 약간(若干)의 망강 결핵(結核)이 있다. 전(全) 단면에 20~30% 정도(程度)의 석력(石礫)이 함유(含有)되어 있다. 3. 전층의 토성(土性)은 양토(壤土) 또는 미사질양토(微沙質壤土)이고 점토함량(粘土含量)이 19~24% 범위로서 식양질계(fine loamy family)에 속하였다. 가비중(假比重)은 표토(表土)에서는 1.26으로 보통(普通)이나 경반층이 있는 심토(心土)에서는 1.45~1.55 로 높은 편(便)이었고 삼상비중(三相比中) 액상(液相)이 21.3~24.7%로 비교적(比較的) 높은 편(便)이었다. 4. 화학적 특성(特性)을보면 표토(表土)는 매우 강한 산성(酸性)이었고(pH4.9) 유기물함량(有機物含量)은 2.6% 정도(程度)이었다. 염기치환용량은 10.8~12.7m.e/100g로 보통(普通)이었고 표토(表土)의 치환침출염기중 석회(石灰)와 고토(苦土)가 부족(不足)한 편(便)이었다. 5. 총 분포면적(分布面積)의 34.6%(594ha)는 과수(果樹)나 상전(桑田) 등(等) 영년생작물(永年生作物)이 재배(栽培)되고 있으며 생산력(生産力)도 충적토(沖積土)와 대등하였는데 이는 고산악산록(高山岳山麓)에 분포(分布)되어 연중(年中) 수분공급(水分共給)이 충분(充分)한데 기인(起因)된 것으로 보였다. 6. 장원통의 경반층 생성원인(生成原因)은 갱신기말(更新期末)에 많이 일어났던것으로 믿어지는 액화(液化)와 solifluction 에 기인(起因)된것으로 보이며 미농무성(美農務省)의 토양신분류체계에 의(依)하면 Typic fragiochrepts에 속하고 F.A.O/UNESCO 분류안(分類案)에 따르면 Eutric planosols에 해당되었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
• /
• pp.137-137
• /
• 2009

Thin-film transistors (TFTs) that can be prepared at low temperatures have attracted much attention due to the great potential for flexible electronics. One of the mainstreams in this field is the use of organic semiconductors such as pentacene. But device performance of the organic TFTs is still limited by low field effect mobility or rapidly degraded after exposing to air in many cases. Another approach is amorphous oxide semiconductors. Amorphous oxide semiconductors (AOSs) have exactly attracted considerable attention because AOSs were fabricated at room temperature and used lots of application such as flexible display, electronic paper, large solar cells. Among the various AOSs, a-IGZO was considerable material because it has high mobility and uniform surface and good transparent. The high mobility is attributed to the result of the overlap of spherical s-orbital of the heavy pest-transition metal cations. This study is demonstrated the effect of thickness channel layer from 30nm to 200nm. when the thickness was increased, turn on voltage and subthreshold swing were decreased. a-IGZO TFTs have used a shadow mask to deposit channel and source/drain(S/D). a-IGZO were deposited on SiO2 wafer by rf magnetron sputtering. using power is 150W, working pressure is 3m Torr, and an O2/Ar(2/28 SCCM) atmosphere at room temperature. The electrodes were formed with Electron-beam evaporated Ti(30nm) and Au(70nm) structure. Finally, Al(150nm) as a gate metal was evaporated. TFT devices were heat treated in a furnace at $250^{\circ}C$ in nitrogen atmosphere for an hour. The electrical properties of the TFTs were measured using a probe-station to measure I-V characteristic. TFT whose thickness was 150nm exhibits a good subthreshold swing(S) of 0.72 V/decade and high on-off ratio of 1E+08. Field effect mobility, saturation effect mobility, and threshold voltage were evaluated 7.2, 5.8, 8V respectively.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
• /
• pp.327-327
• /
• 2009

ZnO with a large band gap (~3.37 eV) and exciton binding energy (~60 meV), is suitable for optoelectronic applications such as ultraviolet (UV) light emitting diodes (LEDs) and detectors. However, the ZnO-based p-n homojunction is not readily available because it is difficult to fabricate reproducible p-type ZnO with high hall concentration and mobility. In order to solve this problem, there have been numerous attempts to develop p-n heterojunction LEDs with ZnO as the n-type layer. The n-ZnO/p-GaN heterostructure is a good candidate for ZnO-based heterojunction LEDs because of their similar physical properties and the reproducible availability of p-type GaN. Especially, the reduced lattice mismatch (~1.8 %) and similar crystal structure result in the advantage of acquiring high performance LED devices. In particular, a number of ZnO films show UV band-edge emission with visible deep-level emission, which is originated from point defects such as oxygen vacancy, oxygen interstitial, zinc interstitial[1]. Thus, defect-related peak positions can be controlled by variation of growth or annealing conditions. In this work, the undoped ZnO film was grown on the p-GaN:Mg film using RF magnetron sputtering method. The undoped ZnO/p-GaN:Mg heterojunctions were annealed in a horizontal tube furnace. The annealing process was performed at $800^{\circ}C$ during 30 to 90 min in air ambient to observe the variation of the defect states in the ZnO film. Photoluminescence measurements were performed in order to confirm the deep-level position of the ZnO film. As a result, the deep-level emission showed orange-red color in the as-deposited film, while the defect-related peak positions of annealed films were shifted to greenish side as increasing annealing time. Furthermore, the electrical resistivity of the ZnO film was decreased after annealing process. The I-V characteristic of the LEDs showed nonlinear and rectifying behavior. The room-temperature electroluminescence (EL) was observed under forward bias. The EL showed a weak white and strong yellowish emission colors (~575 nm) in the undoped ZnO/p-GaN:Mg heterojunctions before and after annealing process, respectively.

• 통상정보연구
• /
• 제19권3호
• /
• pp.153-174
• /
• 2017

시대환경변화에 따라 각국의 젊은이들은 다양한 문화를 습득하기 때문에 공통적인 문화를 형성하며, 타국의 문화를 쉽게 수용할 수 있다. 이에 기존의 선행연구 즉, E. T. Hall(1959)의 고배경문화와 저배경문화 그리고 Hofstede(1991)의 5개 차원(권력거리, 불확실성회피, 개인 또는 집단주의, 남성성 또는 여성성, 장기적지향성)을 기본으로 하여 한국의 젊은 청년들은 이문화변화가 어떻게 형성되고 있는지 그리고 이들 이문화 형성에 따른 협상이 어떻게 진행될 것인지 예측모형을 도출하여 미래의 한국 통상협상 모형을 재정립하고자 하는데 연구의 목적을 두고 있다. 한국인 젊은이는 집단주의 문화권을 가지고 있는 것으로 나타났으며, 불확실성 회피 성향이 있다는 기존의 선행연구와 일치하는 것으로 분석되었다. 반면 한국인은 장지지향성이 있으며, 권력간격이 매우 높으며, 남성주의가 강할 것이라는 실증분석 결과 반대의 경향이 나타나고 있다. 대체적으로 한국 젊은이의 이문화 변화 유형은 남성주의보다는 여성주의 경향이 강하며, 가부장적이고 권위적인 측면보다는 가정적인 측면으로 변화함에 따라 권력간격이 낮은 유형으로 변모하고 있다. 또한 장기지향적인 성향이 아니며, 즉각적인 어떠한 사안에 즉각적인 반응과 해결하고 하는 유형으로 변화하고 있다.

• Journal of Welding and Joining
• /
• 제15권1호
• /
• pp.92-100
• /
• 1997

손상된 ASTM A-470 class 8 고압 증기 터어빈 로터강의 수명 연장을 위해 보수 용접이 행하여졌다. SAW 용접부의 미세경도 측정결과 모재의 경도는 VHN 253이었으나 모재에 근접한 열영향부의 경도는 VHN 227로 떨어졌다. 이와 같이 경도가 떨어진 영역을 "연화층"이라 정의하였으며 약 0.5-0.6mm의 크기를 나타내었다. 한편 크립 파단 시험시 파괴는 연화층 부근에서 일어났으며 593.deg. C와 19Ksi(132 Mpa)에서 파단시간은 772.4hr이었다. 연화층의 크기를 줄이기 위해서 MIG 및 TIG 용접이 행하여졌는데 연화층 크기는 MIG의 경우 0.3-0.4mm이고, TIG의 경우에는 입열량의 크기에 따라 0부터 0.4mm의 크기를 나타내었다. 그러나 크립 파단시간은 연화층 크기가 작아질수록 감소하였다. 특히 TIG 용접부의 경우 크립 파단시간은 입열량과 밀접한 관계를 나타내었는데 입열량이 클수록 파단시간은 길어졌다. 대부분의 파괴는 ICHAZ에서 발생되었으나 입열량이 감소함에 따라 파단부는 CGHAZ으로 이동하였다. 파단면은 tearing과 dimple을 갖는 입내파괴를 나타내었다.파괴를 나타내었다.

• 한국결정성장학회지
• /
• 제19권1호
• /
• pp.1-5
• /
• 2009

본 연구에서는 metal organic vapor phase epitaxy(MOVPF) 방법으로 $8^{\circ}$-off (100) Si 기판 위에 분극이 완화된(1-101) GaN를 성장한 후 광소자로서의 가능성을 확인하고자 (1-101) GaN 위에 InGaN/GaN MQW 구조를 제작하였으며 암모니아 유량, TMI 유랑 그리고 성장 온도 등 다양한 성장 조건에 따른 구조적, 광학적인 특성을 scanning electron microscopy(SEM)와 cathodoluminescence(CL)을 통하여 관찰하였다. (1-101) GaN 성장시 암모니아 유량이 적을수록 관통전위가 현저히 줄어드는 것을 확인하였다. (1-101) GaN stripe 위에 성장 시킨 InGaN/GaN MQW 구조를 이용하여 성장조건에 따라서 391.5nm부터 541.2nm에 이르는 넓은 영역의 범위에서 발광 스펙트럼을 조절할 수 있음을 확인하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 1993년도 춘계학술대회 논문집
• /
• pp.79-84
• /
• 1993

This paper describes the development of lithium rechargeable cell. $LiCoO_2$ is recently recognized as a suitable cathode active material of a high voltage, high energy lithium rechargeable batteries because $Li^+$ ion can be electrochemically deintercalated/intercalated from/to $Li_xCoO_2$. The transition metal oxide of $LiCoO_2$ was investigated for using as a cathode active material of 4V class Li rechargeable cell. $LiCoO_2$ cathode was prepared by using a active material of 85 wt%, graphite powder of 12 wt% as a conductor and poly-vinylidene fluoride of 3 wt% as a binder. The electrochemical and charge/discharge properties of $LiCoO_2$ were investigated by cyclic voltammetry and galvanostatic charge/discharge. The open circuit voltage of prepared $LiCoO_2$ electrode exhibited approximately. potential range between 3.32V and 3.42V. During the galvanostatic charge/discharge, $LiCoO_2/Li$ cell showed stable cycling behavior at scan rate of 1mV/sec and potential range between 3.6V and 4.2V. Also its coulombic efficiency as function of cycling was 81%~102%. In this study the $LiCoO_2/Li$ cell showed the available discharge capacity of 90.1 mAh/g at current density of $1mA/cm^2$ and cell discharge voltage range between 3.6V~4.2V.