Choi, Jaecheol;Son, Bongki;Ryou, Myung-Hyun;Kim, Sang Hern;Ko, Jang Myoun;Lee, Yong Min
Journal of Electrochemical Science and Technology
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제4권1호
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pp.27-33
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2013
The consequences of electrode density and thickness for electrochemical performance of lithium-ion cells are investigated using 2032-type coin half cells. While the cathode composition is maintained by 90:5:5 (wt.%) with $LiCoO_2$ active material, Super-P electric conductor and polyvinylidene fluoride polymeric binder, its density and thickness are independently controlled to 20, 35, 50 um and 1.5, 2.0, 2.5, 3.0, 3.5 g $cm^{-3}$, respectively, which are based on commercial lithium-ion battery cathode system. As the cathode thickness is increased in all densities, the rate capability and cycle life of lithium-ion cells become significantly worse. On the other hand, even though the cathode density shows similar behavior, its effect is not as high as the thickness in our experimental range. This trend is also investigated by cross-sectional morphology, porosity and electric conductivity of cathodes with different densities and thicknesses. This work suggests that the electrode density and thickness should be chosen properly and mentioned in detail in any kinds of research works.
Ni alloy tape is electropolished to be used as a metal substrate for fabrication of IBAD (ion-Beam Assisted Deposition)-MgO texture template fur HTS coated conductor. Electropolishing is needed to obtain a very smooth surface of Ni alloy tape because the in-plane texture of templates is sensitive to the roughness of metal substrate. The critical current of YBCO coated conductor depends on the texture of YBCO that depends on the texture of the IBAD MgO layer. And so the smoothness of the metal substrate is directly related to the superconducting properties of the coated conductor. In this study, we have prepared a reel-to-reel electropolishing apparatus to polish the Ni alloy tapes for IBAD. Various electropolishing conditions were investigated to improve the surface roughness. Hastelloy tape is continuously electropolished with high polishing current density (0.5 ∼ 2 A/$\textrm{cm}^2$) and fast processing time (1 ∼ 3 min). Polished hastelloy tapes have surface roughness(RMS) of below 1 nm on a 5 ${\times}$ 5 $\mu\m^2$ from AFM and SEM.
Graphene has been considered as one of the potential post Si-materials due to its high mobility. [1] However, since graphene is semi-conductor with zero band gap, it is difficult to achieve high Ion/Ioff ratio, one of the most important requirements for commercial devices. There have been many attempts to open its band gap for high Ion/Ioff ratio, but most of them end up lowering the mobility. [2-5] Thus, we proposed and demonstrated a new device structure for graphene transistor based on one of the unique properties of graphene for high Ion/Ioff: using this approach, we were able to achieve the ratio over $10^5$. [6] Our device has several major advantages over previously proposed graphene based electronic devices. Since our device does not alter the given properties of graphene, such as opening the band gap, it has no fundamental issues on mobility degradations. In addition, our device is fully compatible with current Si technology and we were able to fabricate the devices with 6 inch wafer scale with CVD (Chemical Vapor Deposition) grown graphene. In this presentation, we will discuss about the details of our graphene device including the device structure and the detailed understanding of working mechanism. We will present device characteristics including I-V curves with $10^5$ on/off ratio. We will also present the performance of an inverter based on our devices. Finally, we will discuss the current issues and their potential solutions.
Recently a lots of problems have observed in high densified and high integrated electronic components. One of them is ion migration phenomena, which induce the electrical short of electrical circuit. Ion migration phenomena has been observed in the field of exposing the specific environment and using for a long time. Also as the RoHS restriction was started in July 1st, 2006, Pb-free solder was utilized in electronics assemblies. In this case, it is very important to compatible between components and printed circuit board(PCB), thus surface treatment materials of PCB was changed to Sn, Sn-3.0Ag-0.5Cu, Cu. Therefore these new application become to need to reevaluate the sensitivity about electrochemical ion migration. This study was evaluated the occurrence time of electrochemical ion migration using by water drop test. We utilized PCB(printed circuit board) having a comb pattern as follows 0.1, 0.318, 0.5, 1.0 mm pattern distance. Sn-3.0Ag-0.5Cu and Sn-37Pb were electroplated on the comb pattern. 6.5V and 15.0V were applied in the comb pattern and then we measured the electrical short time causing by occurring the ion migration. In these results, we evaluate the sensitivity and derived the prediction models of ion migration occurrence time depending on the pattern materials, applied voltage and pattern spacing of PCB conductor.
The grain boundary effect on the ionic conductivity was investigated using a.c. admittance analysis in (Bi2O3)0.715(CaO)0.285 oxygen-ion conducting solid electrolyte. As a separated arc representing grain boundary polarization was not observed in the admittance plane, bulk conductivity was measrued for samples with various grain sizes in the temperature range from 48$0^{\circ}C$ to 72$0^{\circ}C$ and the conductivity distribution between grain interior and grain boundary was determined by the reported analytical methods. In the above temperature range, grain boundary worked as a high conductive path instead of blocking layer and ionic conduction through grain boundary was significant. The activation energy for conduction through grain and grain boundary was 78 and 106 kJ/mol, respectively.
$REBa_{2}Cu_{3}O_{7-d}$(REBCO) coated conductors(REBCO CCs) have been studied for electric power applications which require high current density wires. As long as the critical transition temperature(Tc) is concerned, REBCO CCs with large $RE^{3+}$ ions have been expected to have better current transport properties than those with smaller $RE^{3+}$ ions. For this reason, REBCO's with large $RE^{3+}$ ions which include GdBCO, NdBCO and SmBCO have been mainly considered as the superconducting layer of CCs. On the other hand, REBCO's with smaller $RE^{3+}$ions are expected to have advantages in the fabrication process of CCs because of the lower melting temperature. But it has not yet been made clear which REBCO is the most suitable for the superconducting layer of CCs. In this study, we investigated the current transport properties of REBCO CCs with small $RE^{3+}$ ion and advantages of using that in the CC fabrication process. Thin films of TmBCO, which has smaller $RE^{3+}$ion than most other $RE^{3+}$ ions, were fabricated on buffered metal substrate as the superconducting layer of CC by PLD process. TmBCO CC shows critical current density (Jc (77 K, sf) = $2.3\;MA/cm^2$) high enough to be utilized for application in electric power devices. Compared with previous experiments using the same PLD system, deposition temperature was approximately $20^{\circ}C$ lower than NdBCO thin films on buffered metal substrates.
본 연구에서는 에틸렌 옥사이드의 반복 단위 길이 (n=3, 7.3, 11.8, 그리고 16.3)가 다른 리튬 p-[메톡시 올리고(에틸렌옥시)]벤젠설폰산염 (LiEOnBS)을 합성하였다. 이 전해질 염을 이용하여 고분자 전해질을 제조하였으며, 에틸렌 옥사이드의 반복 단위 길이 및 농도에 따른 이온 전도도 그리고 리튬 이온의 운반율에 대해 조사하였다. 고분자 전해질의 이온 전도도는 3$0^{\circ}C$에서 4.89$\times$$10^{-4}$ S/cm (LiEO7.3BS, 0.5 M)로 최고 이온 전도도를 보였다. Dc분극과 ac 임피던스를 혼합하여 측정한 고분자 전해질의 리튬 이온의 운반율은 0.75~0.92 이였으며, 농도가 증가할수록 리튬 이온 운반율은 감소하였다. LiEO7.3BS의 전해질 염을 0.1 M로 사용한 고분자 전해질인 경우 0.92로 최고의 리튬 이온 운반율을 보였다. 이로부터 벤젠설포네이트에 치환된 에틸렌 옥사이드의 반복 단위가 3이상만 되어도 높은 리튬 이온 운반율을 가지는 단일 이온 전해질 특성을 보임을 알 수 있었다.
Ionic conduction mechanism of Mg-Al layered double hydroxides (LDHs) intercalated with CO32- (Mg-Al CO32- LDH) was studied. The electromotive force for the water vapor concentration cell using Mg-Al CO32- LDH as electrolyte showed water vapor partial pressure dependence and obeyed the Nernst equation, indicating that the hydroxide ion transport number of Mg-Al CO32- LDH is almost unity. The ionic conductivity of Mg(OH)2, MgCO3 and Al2(CO3)3 was also examined. Only Al2(CO3)3 showed high hydroxide ion conductivity of the order of 10-4 S cm-1 under 80% relative humidity, suggesting that Al2(CO3)3 is an ion conducting material and related to the generation of carrier by interaction with water. To discuss the ionic conduction mechanism, Mg-Al CO32- LDH having deuterium water as interlayer water (Mg-Al CO32- LDH(D2O)) was prepared. After the adsorbed water molecules on the surface of Mg-Al CO32- LDH(D2O) were removed by drying, DC polarization test for dried Mg-Al CO32- LDH(D2O) was examined. The absorbance attributed to O-D-stretching band for Mg-Al CO32- LDH(D2O) powder at around the positively charged electrode is larger than that before polarization, indicating that the interlayer in Mg-Al CO32- LDH is a hydroxide ion conduction channel.
A polymeric ionic liquid, poly(1-methyl 3-(2-acryloyloxypropyl) imidazolium iodide) (PMAPII), was synthesized as a single-iodide-ion-conducting polymer and employed in a gel polymer electrolyte. Gel polymer electrolytes prepared from iodine, 4-tert-butylpyridine, ${\gamma}$-butyrolactone, and PMAPII were applied in quasi-solid-state dye-sensitized solar cells (DSSCs). The addition of 16 wt.% PMAPII provided the most favorable environment, striking a compromise between the iodide ion concentration and the ionic mobility, which resulted in the highest conversion efficiency of the resulting DSSCs. The quasi-solid-state DSSC assembled with the optimized gel polymer electrolyte exhibited a relatively high conversion efficiency of 7.67% under AM 1.5 illumination at $100mA\;cm^{-2}$ and better stability than that of the DSSC with a liquid electrolyte.
This paper reviews recent progress in research and development (R&D) of reactive co-evaporation for high performance REBCO coated conductors in Korea. Two types of reactive co-evaporation methods were developed for the deposition of SmBCO and GdBCO superconducting layers respectively on the IBAD (Ion Beam Assisted Deposition)-MgO template in the Korean coated conductor project. Batch type reactive co-evaporation equipment and its processing were developed for SmBCO coated conductors at Korea Electrotechnology Research Institute (KERI) in conjunction with the Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), and a very high critical current exceeding 1,000 A/cm at 77 K in the self field was achieved through the optimization of deposition parameters. Reel-to-reel type reactive co-evaporation processing with a high conversion rate was also developed, while long length GdBCO coated conductors have been routinely produced by SuNAM Co. The minimum critical current of 422 A/cm-w at 77 K in self field was confirmed for 1 km-long GdBCO tape.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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