• 제목/요약/키워드: Interdigital Capacitance

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강유전체 박막을 이용한 마이크로파 Tunable 소자 설계 (A Design of Microwave Tunable Device using Ferroelectric Thin Film)

  • 박정흠
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2006년도 하계학술대회 논문집 Vol.7
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    • pp.362-363
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    • 2006
  • In this study, the filter was designed for tuning center frequency and fabricated using ($Sr,Ba)TiO_3$ ferroelectrics and $YBa_2CuO_7$ high temperature superconductor thin film. The best result in figure of merit was 35 when the $Ba_{0.5}Sr_{0.5}TiO_3$ thin film deposition temperature was $600^{\circ}C$, the post anneal condition was $600^{\circ}C$, 10min in 1atm, $O_2$. When using $20{\mu}m$ IDC pattern gap. The higher tunability was obtained than using $30{\mu}m$ pattern gap.

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MZR을 이용한 2.4 GHz WiFi 대역 소형 단말기 안테나 설계 (Design of Miniaturization Terminal Antenna for 2.4 GHz WiFi Band with MZR)

  • 이영훈
    • 전기전자학회논문지
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    • 제23권1호
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    • pp.14-21
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    • 2019
  • 본 논문에서는 MZR을 사용하여 2.4GHz WiFi대역에서 동작하는 온 보드(on-board) 초소형 안테나를 구현하였다. 설계한 안테나는 소형 단말기 PCB의 크기가 $78{\times}38{\times}0.8mm^3$이며, 시스템의 크기는 $63{\times}38{\times}0.8mm^3$이고, 방사부의 크기는 $15{\times}38{\times}0.8mm^3$인 제한조건에서 동작하는 초소형 안테나를 구현하였다. 급전구조는 시스템 보드의 좌측 상단에 급전 점을 설정하고, 안정적인 급전을 위해 CPW구조를 사용하였고, 급전부와 안테나의 결합은 자계결합구조를 사용하였다. MZR의 공진주파수는 직렬 커패시터와 셀의 인덕턴스에 의해서 결정됨으로 셀 사이의 갭, 셀의 길이, 인터디지털(interdigital) 커패시터의 길이, 방사부와 접지면의 간격에 대하여 분석하였으며, 그 결과를 사용하여 안테나를 설계 제작하였다. 제작한 안테나는 급전구조를 포함한 안테나의 전체크기는 $20.8{\times}9.0{\times}0.8mm^3$이며, 전기적인 길이는 $0.1664{\lambda}_0{\times}0.072{\lambda}_0{\times}0.0064{\lambda}_0$이다. 측정결과 10 dB 대역폭, 이득과 방향성은 각각 440 MHz(18.3%), 0.4405 dB, 2.722 dB이다. 방사패턴은 전 방향 특성을 가지고 있음을 확인하였으며, 초소형 단말기 안테나에 적용할 수 있음을 확인하였다.

가변 특성이 우수한 실리콘 기판을 사용한 BST 박막형 가변 커패시터 (BST Thin Film Variable Capacitor with High Tunability on Silicon Wafer)

  • 김기병;윤태순;이종철;김란영;김현석;김호기
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제16권3호
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    • pp.253-259
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    • 2005
  • 본 논문에서는 고가의 단결정 기판 대신에 저가의 실리콘 기판을 이용한 인터디지탈 구조의BaSrTiO$_{3}$(BST) 박막 가변 커패시터를 제안하였다. 저가의 실리콘 기판 위의 BST 박막은 PLD 장비를 이용하여 증착하였으며, 제작된 가변 커패시터는 4 GHz까지 측정되었다. 또한 최대 인가 전압은 50 V이며, 5 kV/cm 조건에서 약 30$\%$ 정도의 가변율을 얻는다. 저가의 실리콘 기판 위에 BST 박막을 증착, 커패시터를 구현함으로써 BST 박막을 이용한 가변 소자들을 집적화할 수 있는 가능성을 보였다.