• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2011년도 제42회 하계학술대회
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• pp.1485-1486
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• 2011

A layer of $TiO_2$ thin film less than ~500nm in thickness, as a blocking layer, was coated by sol-gel method directly onto the anode electrode to be isolated from the electrolyte in dye-sensitized solar cells (DSCs). This is to prevent the electrons from back-transferring from the electrode to the electrolyte (I-/I3-). The effects of heat treatment conditions of the gel and as-coated film on the thickness and consolidation to substrate were studied. The flexible DSCs were fabricated with working electrode of Ti thin foil coated with blocking $TiO_2$ layer, dye-attached mesoporous $TiO_2$ film, gel electrolyte and counter electrode of Pt-deposited indium doped tin oxide/polyethylene naphthalate (ITO/PEN). The photo-current conversion efficiency of the cell was 5.3% ($V_{oc}=0.678V$, $J_{sc}=12.181mA/cm^2$, ff=0.634) under AM1.5, 100 mW/$cm^2$ illumination.

• 한국전자파학회논문지
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• 제29권4호
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• pp.277-284
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• 2018

본 논문은 향후 투명 디스플레이, 스마트글래스(smart glass) 등의 그 활용도가 증가 추세에 있는 투명전극과 관련된 논문이며, 본 논문에서는 투명 안테나 등의 투명 고주파 수동소자 설계 시, 투명 디스플레이 등에 가장 많이 사용되고 있는 ITO(Indium-Tin-Oxide)을 이용한 박막형(thin film type) 투명전극의 낮은 전기적 특성(면저항>$5({\Omega}/sq)$)으로 인한 성능저하를 개선하고자, 고주파 소자에 가장 일반적으로 사용되는 도체인 구리선(copper wire)으로 구현되는 정방형 메탈메쉬(square metal mesh)를 이용하여 투명전극을 구현하고, 이를 기본 단위로 하여 투명 패치 안테나를 구현하였고, 그 성능을 비교 분석하였다. 본 논문에서는 투명전극의 기본 설계 블록인 정방형 메탈메쉬의 광학적 특성(광 투과도) 및 전기적 특성(면저항)을 측정 및 분석하였고, 이를 이용하여 투명 패치 안테나를 설계, 측정, 분석하였다. 또한, 정방형 메탈메쉬는 광 투과도를 높이기 위해 얇은 구리선(w=0.2 mm)을 사용하였으며, 망(mesh) 크기(l=1, 2 mm)에 따른 광 투과도와 안테나 성능(방사이득, 방사패턴)과의 관계를 분석하였다. 투명 안테나 성능 측정 결과, 안테나 성능은 정방형 메탈메쉬의 광학적 특성과 반비례하며, 실제 활용 시에는 광학적 특성, 전기적 특성, 제작비용을 종합적으로 고려하여, 응용에 따른 투명 안테나의 활용이 필요하다.

• 대한금속재료학회지
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• 제47권1호
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• pp.44-49
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• 2009

본 연구에서는 2인치 ITO의 타깃으로 ITO박막을 성장시킨 후 RTA 처리로 인한 전기적, 광학적 특성의 변화를 조사하였으며, RTA 처리된 ITO 박막을 이용하여 플라즈마 응용 사인보드를 제작 및 구동하였다. RTA공정으로 열처리한 ITO는 투과도는 증가하며, 비저항은 감소함을 관찰하였으며, 투과도의 증가는 RTA로 인한 결정성의 증가로 인한 결과이고, 비저항의 감소는 결정성의 증가와 더불어 치환형 주석의 원자수가 증가하였다고 사료된다. ITO를 이용하여 사인보드 제작시 방전cell의 압력은 3-5 Torr가 적당함을 알 수 있었으며, 전극 간격을 조절하여 120 V 정도의 낮은 플라즈마 개시 전압을 갖는 플라즈마 응용 사인보드를 성공적으로 제작 할 수 있었다.

• 센서학회지
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• 제29권4호
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• pp.227-231
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• 2020

Silver nanowire random networks are promising candidates for replacing indium tin oxide (ITO) as transparent and conductive electrodes. They can also be used as transparent heating films with self-cleaning and defogging properties. By virtue of the Joule heating effect, silver nanowire random networks can be heated when voltage bias is applied; however, they are unsuitable for long-term use. In this work, we study the Joule heating of silver nanowire random networks embedded in polymers. Silver nanowire random networks embedded in polymers exhibit breakdown under the application of electric current. Their surface morphological changes indicate that nanoparticle formation may be the main cause of this electrical breakdown. Numerical analyses are used to investigate the temperatures of the silver nanowire and substrate.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.203-203
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• 2012

The SWCNTs network are formed on various plastic substrates such as poly(ethylene terephthalate) (PET), polyimide (PI) and soda lime glass using roll-to-roll printing and spray process. Selective patterning of carbon nanotubes film on transparent substrates was performed using a femtosecond laser. This process has many advantages because it is performed without chemicals and is easily applied to large-area patterning. It could also control the transparency and conductivity of CNT film by selective removal of CNTs. Furthermore, selective cutting of carbon nanotube using a femtosecond laser does not cause any phase change in the CNTs, as usually shown in focused ion beam irradiation of the CNTs. The patterned SWCNT films on transparent substrate can be used electrode layer for touch panels of flexible or flat panel display instead indium tin oxide (ITO) film.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.275-275
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• 2011

전극에 응용할 수 있는 소재 중 탄소나노소재는 구리와 비슷한 전기 전도성을 가지며 박막 코팅 시 투명성이 보장되고 코팅력이 매우 우수하다. 하지만 현재 다양한 분야에 응용되고 있는 투명전극 소재인 Indium tin oxide (ITO)를 대체하기에는 아직 이른 실정이다. 또 다른 투명전극 응용 소재인 silver nanowire는 전기 전도성이 우수한 반면 투명 전극으로서 두께가 두꺼워질수록 Haze 발생과 기판과의 부착력, 박막형성 뒤의 내구성 문제가 있다. 본 연구에서는 상기 두 재료를 결합하여 복합 전극을 만들어 두 재료의 복합 비율에 따른 투명성과 전기 전도성을 비교하였다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2000년도 제1회 학술대회 논문집
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• pp.11-12
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• 2000

An 18.1" Thin Film Transistor Liquid Crystal Display (TFT LCD) monitor adopting high brightness In Plane Switching (IPS) technology was realized. While conventional IPS structure used a Chromium (Cr) and Molybdenum (Mo) for a drain electrode, Indium Tin Oxide (ITO) was proposed and verified in this paper. Black sticky micropeal spacers were introduced for the reduction of light scattering phenomena, which was observed at dark room with the conventional micropeal spacers. With the proposed method, more than 10 % aperture ratio was increased and the excellent image quality was obtained.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
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• pp.411-412
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• 2008

We have studied a property change of organic light-emitting diodes (OLED) due to an indium tin oxide (ITO) surface reformation. The characteristics of OLED were improved by oxygen plasma processing of an ITO in this work. ITO is widely used as a transparent electrode in light-emitting devices, and the OLED device performance is sensitive to the surface properties of the ITO. The OLED devices with the structure of ITO/TPD(50nm)/$Alq_3$(70nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm) were fabricated, and the surface properties of ITO were investigated by using various characterization techniques. The oxygen plasma process of an ITO was processed by using RF power of 125W and oxygen partial pressure of $2\times10^{-2}$ Torr. The oxygen plasma processing of an ITO processed for 0/1/2/3/4min. Current-voltage-luminance characteristics of the devices show that turn-on voltage is 4V for 2min device and the luminance reaches about 27,000cd/$m^2$ for 4min device. The current efficiency shows that 3min device becomes saturated to be about 8cd/ A. They show that emission was from the $Alq_3$ layer, because the peak wavelength is about 525nm. View angle-dependent emission spectra show that the emission intensity decreases as the angle increases.

• 전기학회논문지
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• 제67권1호
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• pp.68-74
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• 2018

All transparent UV photodetector based on ZnO was fabricated with structure of NiO/ZnO/$SnO_2$/ITO by using RF and DC magnetron sputtering system. ZnO was deposited with 4 inch ZnO target (purity 99.99%) for a quality film. In order to build p-n junction up, p-type NiO was formed on n-type ZnO by using reactive sputtering method. The indium tin oxide (ITO) which is transparent conducting oxide (TCO) was applied as a transparent electrode for transporting electrons. To improve the UV photodetector performance, a functional $SnO_2$ layer was selected as an electron transporting and hole blocking layer, which actively controls the carrier movement, between ZnO and ITO. The photodetector (NiO/ZnO/$SnO_2$/ITO) shows transmittance over 50% as similar as the transmittance of a general device (NiO/ZnO/ITO) due to the high transmittance of $SnO_2$ for broad wavelengths. The functional $SnO_2$ layer for band alignment effectively enhances the photo-current to be $15{\mu}A{\cdot}cm^{-2}$ (from $7{\mu}A{\cdot}cm^{-2}$ of without $SnO_2$) with the quick photo-responses of rise time (0.83 ms) and fall time (15.14 ms). We demonstrated the all transparent UV photodetector based on ZnO and suggest the route for effective designs to enhance performance for transparent photoelectric applications.

• 한국방사선학회논문지
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• 제4권1호
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• pp.5-9
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• 2010

최근 광도전체와 형광체 기반의 디지털 방사선 검출기가 많은 관심을 받고 있으며, 이를 상업화 하기위한 많은 연구들이 이뤄지고 있다. 디지털 방사선 검출기률 제작하는 방법에서 크게 직접변환방식과 간접변환방식이 있다. 본 연구는 기존에 직접변환방식에 널리 사용되어 지고 있는 비정질 셀레늄 (Amorphous seleinum) 기반의 디지털 방사선검출기 보다 좋은 SNR (Signal-to-noise ratio) 동작 특성을 가지는 X선 검출 물질을 제작하여 X선 조사시 두께와 전기장 형성에 따른 차이점올 알아보기 위한 것이다. 본 연구에서는 기존의 진공 증착법이 두꺼운 대면적 필름제조가 어렵다는 문제점을 해결하고자 Screen-Print Method를 이용하여 전도성을 가진 ITO (Indium-tin-oxide)가 코팅 된 유리판에 제작하였다. 본 연구에 사용된 X-선 검출물질로는 다결정 $HgI_2$를 사용하였으며, 시편의 두께를 $150{\mu}m$로 제작하였으며, $3cm{\times}3cm$ 크기로 제작하였다. 상부전극은 Magnetron sputtering system을 사용하여 $3cm{\times}3cm$, $2cm{\times}2cm$, $1cm{\times}1cm$의 크기로 각각 다르게 하여 ITO(Indium-tin-oxide)를 증착 시킨 후, X선 조사시 $HgI_2$ 의 민감도와 누설전류, SNR 등을 측정하여 필름의 전기적 검출 특성을 정량적으로 평가하였으며, I-V테스트는 전류 적분(integration) 모드를 사용하였다. 그 결과 전극의 크기에 따라 신호량 증가 특성을 확인할 수 있었지만 신호량의 증가와 동시에 누설전류 또한 증가함으로써 전극의 크기에 따라 오히려 SNR 특성이 감소됨을 확인하였다. 향후 다양한 두께와 최적의 전극물질을 통해 신호대 잡음비를 개선시키기 위한 연구를 통해 최적화해야 할 것이다.