Objectives : The aim of this study was to suggest a new method to estimate the resistance by acupoint compositions by using the multi-frequency bioelectrical impedance analysis(MF-BIA) of 5 kHz, 50 kHz and 200 kHz within 2 cm of acupoints as a local segment. Moreover, we try to confirm the relation to between measured resistance at skin surface and measured resistance by various manual acupuncture needle insertion depth. Methods : Ten male subjects participated in this study. We measured the resistance at left/right ST36 at skin surface and various manual acupuncture needle insertion depth(skin, 5 mm, 10 mm, 15 mm, 20 mm, 25 mm and 30 mm). Results : It was also observed that the all measured resistances were the highest at 5 kHz and the lowest at 200 kHz. There were significant differences at 5 kHz, 50 kHz and 200 kHz between measured resistance at skin surface and measured resistance by various manual acupuncture needle insertion depth(p<0.05). There was no significant difference in the left and right identical acupoints under the identical condition(p>0.05). Conclusions : We conclude that the measured resistance at skin surface has limitation as to reflect the information of tissue. However, the measured resistance at each frequency was changed as similar pattern by different insertion depth. Hence, we confirmed the possibility of assumption on information of tissue which was expected to locate an acupoint.
에어로졸 증착법에 의해 실리콘 기판위에 $10{\sim}20{\mu}m$의 두께를 가진 PZT 후막을 제조한 후 $700^{\circ}C$에서 어닐링처리하였다. PZT 분말에 의해 제조된 막은 임피던스 분석기(impedance analyzer)와 쇼여-타워 서킷(Sawyer-Tower circuit)으로 분석하였다. PZT 분말은 통상적인 고상반응법 및 솔-젤 법으로 준비되었다. 고상반응법으로 만들어진 분말을 사용한 $10{\mu}m$ 두께 PZT 막의 잔류분극, 항전계 및 유전상수는 각각 $20{\mu}C/cm^2$, 30 kV/cm 그리고 1320이었다. 한편 솔-젤 법으로 제조된 분말을 사용한 경우의 유전상수는 635로 비교적 낮은 값을 나타낸다. 이는 어닐링시 생기는 발생하는 유기물에 의한 기공의 존재 때문이다.
잡음 파라미터에 대한 정보는 저잡음 증폭기 설계에 있어 필수 불가결한 요소이다. 과거 잡음 파라미터는 임피던스 튜너와 잡음지수 측정기(Noise Figure Analyzer: NFA)를 사용 측정되어 왔다. 최근 저자들은 잡음 파라미터는 기계적으로 구동되는 임피던스 튜너 없이 8-포트 회로망 방법을 이용하여 측정될 수 있음을 보였다. 그러나 8-포트 회로망을 이용한 측정방법은 여전히 잡음원(noise source)을 이용하고, 측정의 복잡도를 증가시키는 면이 있다. 본 논문에서는 잡음원을 이용하지 않고, 잡음 파라미터를 측정할 수 있는 새로운 6-포트 회로망 방법을 제안한다. 6-포트 회로망 방법에 의해 이론적으로 알려진 잡음 파라미터를 갖고 있는 10-dB 감쇠기에 대해 측정하였으며, 측정된 잡음 파라미터 결과는 기존 8-포트 회로망 방법과 비교하였으며, 비교결과 8-포트 회로망 방법과 유사한 정확도를 갖는 것을 보였다.
본 연구는 콘크리트내의 철근의 굵기와 깊이를 동시에 측정할 수 있는 기술 개발에 관한 것이다. 개발된 탐촉자는 기존의 철근 탐지기와 다른 구조를 지니는데 감지 코일이 세 개로 구성되어 있다. 따라서 세 가지 신호를 동시에 측정하여 분석함으로써 철근의 굵기와 깊이를 분석하도록 되어 있다. 탐촉자 내 코일의 전압과 위상 변화를 임피던스 분석기를 이용하여 조사하고 그 전달함수의 괘적을 분석하였다. 여기 코일 내부에 장착된 감지 코일은 알려진 바와 같이 단순한 변화 형태를 나타내었으나 여기 코일 밖에 장착된 코일의 경우 변화 곡선이 복잡하였다. 실제 철근탐지 실험은 일반 와전류 탐상기를 이용하였는데 여러 가지 철근의 굵기와 깊이에 대하여 실험하였다. 철근 깊이에 따른 신호 변화는 임피던스 분석기에 의한 전달함수 변화에서 나타낸 것과 비슷한 경향을 나타내었으며 감지 코일마다 다른 전압의 변화를 이용하여 철근의 굵기와 깊이의 동시 측정이 가능하였다.
Lead-free $(K_{0.5}Na_{0.5})NbO_3$ 압전 세라믹스는 다양한 광소자로의 응용과 압전 특성, 초전 특성을 이용한 압전 소자로의 응용이 가능한 재료로 보고되고 있다. 그러나 KNN계 압전소재 특성상 판상 형태의 결정립으로 인해 낮은 소결 밀도를 갖게 되고, 그로인해 압전물성의 저하를 초래하는 문제점을 가지고 있다. 따라서, 본연구에서는 다양한 밀링 방법을 적용하여 입자 사이즈를 작게 하고 소성체의 결정립을 구형화 함으로써 저온소결에서의 압전물성을 개선시키고자 한다. $(K_{0.5}Na_{0.5})NbO_3$를 기계적 분쇄법에 의해 입자사이즈에 따라 변화되는 상의 분석과 압전체로서의 특성을 관찰하였다. 결정학적 상분석 및 미세 조직은 XRD, SEM을 이용하여 관찰하였고, Capacitance는 Impedance analyzer(HP4192A)로 측정하였으며, Impedance 주파수 특성은 Network Analyzer로 측정하여 Kp, Kt와 Qm을 측정하였다.
본 연구에서는 압전세라믹과 고분자재료를 사용하여 다이스와 필 방법으로 2-2형 압전복합재료를 제작하고 이것을 이용하며 초음파 센서를 설계하고 제작하여 전기적 및 음향 특성을 조사하였다. 제작된 시편의 공진특성은 유한요소 해석 결과와 임피던스 분석기(HP4194A)를 이용하여 실제로 측정한 결과와 유사하게 나타났다. 2-2형 압전복합재료의 고유음향 임피던스는 PZT의 부피분율이 감소함에 따라 선형적으로 감소하였다. 이것을 이용하여 제작된 초음파 센서의 공진특성 및 전기기계결합계수는 PZT의 부피분율이 0.6일 때 가장 우수하였다. 또한, 이것의 음향특성을 측정한 결과 PZT 부피분율이 0.6일때 진폭, 주파수 대역폭, 울림감쇠 특성 등이 가장 우수하게 나타났으며, 단일 압전세라믹으로 제작된 센서에 비하여 상당히 우수한 감도 특성을 나타내었다.
게이트의 길이가 2mm인 GaAb 금속반도체전계치과트랜지스터를 HP8545 자동회로망분석기에 의하여 주파수 1∼2GHz 사이에서 산란계수를 측정하였고, 산란계수의 도움으로 완전한 등가회로를 구현하였다. 본 논문에서는 50Ω의 높은 입출력 Impedance로 정합시키기 위하여 Microstrip을 사용하여 GaAs MESFET증폭기를 개발하였으며 전력이득이 8dB, 정재파비가 1.5보다 적은 결과를 얻었다. Microwave GaAs Metal Semiconductor Field effect Transistors (MESFET) with the gate-length of two micrometers are investigated. The scattering parameters of the transistors have been measured from 1GHz to 2GHz by Hp8545 Automatic network analyzer. From the measured data, an equivalent circuit is established which consists of an ntrinsic and. extrinsic transistor elements. In this paper, GaAb MESFET Amplifier is used in conjunction with conventional microstrip techniques to match into a 50 ohms high input/output impedances system. We found that Power gain is less than 8dB and VSWR is less than 1.5 in L-Band.
This paper describes the assessment method of deterioration condition for a power transformer using SFRA. Frequency Response Analysis(FRA) is a method to evaluate the mechanical and geometrical integrity of the core and windings within a power transformer by measuring the electrical transfer functions over a wide frequency range. SFRA is sweep frequency response analyzer for power transformer winding diagnosis. The FRA is a comparative method, that evaluates the transformer condition by comparing the obtained set of FRA results to reference results on the same, or a similar, unit. FRA techniques were widely used and much more sensitive than the traditional and internationally accepted method of impedance measurements, but that work was required on standardization and interpretation. In order to analyze the deterioration condition for power transformer, overvoltage test and mechanical distortion test were carried out. The deterioration condition for power transformer was evaluated by SFRA. It is intended to present the elemental technology of assessment method for power transformer using SFRA.
Ferroelectric $Pb(Zr_{1-x}Ti_x)O_3$ (PZT) films were deposited on (001) MgO single crystals using sol-gel method. Structural properties and surface morphologies of PZT films were investigated using an X-ray diffractometer and a scanning electron microscopy, respectively. The dielectric properties of PZT films were investigated with the dc bias field using interdigitated capacitors (IDC) which were fabricated on PZT films using a thick metal layer by photolithography and dry etching process. The small signal dielectric properties of PZT films were calculated by a modified conformal mapping method with low and high frequency data, such as capacitance measured by an impedance gain/phase analyzer at 100 kHz and reflection coefficient (S-parameter) measured by a HP 8510C vector network analyzer at 1 -20 GHz. The IDC on PZT films exhibited about 67% of capacitance change with an electric field of 135 kV/cm at 10 GHz. These PZT thin films can be applied to tunable microwave devices such as phase shifters, tunable resonators and tunable filters.
The purpose of this study was to produce the high quality of electromagnetic wave shielding fabrics. In this study, we have produced polyester fabrics by electroless Ag plating. The untreated polyester was etched with $4\%$ NaOH solution added accelerant(Benzyl Dimethyl Dodecyl Ammonium Chloride) then it was catalyzed by $SnCl_2$ solution and activated by $PdCl_2$ solution. Electroless Ag plating was carried out by changing conditions such as temperature. time, weight loss rate of polyester and kind of reducing agents. The electromagnetic wave shielding effectiveness of polyester fabric by electroless Ag plating was measured by RF Impedance Analyzer and element of electromagnetic wave shielding substance was measured using Electron probe micro analyzer. The results were as follows; The plating bath using potassium sodium tartrate by reducing agent was excellent electromagnetic wave shielding effectiveness. Element of electromagnetic wave shielding substance was silver. Electromagnetic wave shielding effectiveness was shown over 64dB at the temperature of $40^{\circ}C$, treating time 30min., weight loss rate $20\%$.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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