• KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications
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• 제4C권6호
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• pp.272-275
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• 2004

A balanced single side-band (SSB) mixer employing a sub-harmonic configuration is designed for up and down conversions in K-band. The designed mixer uses anti-parallel diode (APD) pairs to effectively eliminate even harmonics of the local oscillator (LO) spurious signal. To reduce the odd harmonics of LO at the RF port, we employ a balanced configuration for LO. The fabricated chip shows 12$\pm$2dB of conversion loss and image-rejection ratio of about 20dB for down conversion at RF frequencies of 24-27.5GHz. As an up-conversion mode, the designed chip shows 12dB of conversion loss and image-rejection ratio of 20 ～ 25 dB at RF frequencies of 25 to 27GHz. The odd harmonics of the LO are measured below -37dBc.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2000년도 추계종합학술대회 논문집(1)
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• pp.365-368
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• 2000

This paper describes image-rejection down conversion mixer for bluetooth application using 0.35u CMOS process. the proposed architecture is composed of LO phase shifter, mixer core, IF buffer, and IF phase shifter. IF phase shifter is designed using polyphase fillet. Simulation results show conversion gain = l0㏈, input 1㏈ compression point = -15.7㏈m. input third-order intercept point(IIP3) = -4.4㏈m, and image-rejection ratio = 37.8㏈, respectively, at 3V supply voltage, and 15.7㎃ current.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제48권6호
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• pp.34-40
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• 2011

본 논문에서는 도파관 하이브리드 커플러를 이용한 X-대역 모노펄스 레이더용 이미지 제거 SSB 변조기 설계에 대해 연구하였다. 일반적으로 SSB 변조기는 입력되는 IF(RF)신호와 LO 신호를 혼합하여 특정한 RF(IF) 주파수 대역으로 변환한다. 이 경우 SSB 변조기는 RF 대역에서 한쪽 측파대를 전송하기 위해, 이미지 신호와 LO 신호의 제거가 요구된다. LO 신호와 IF 신호를 혼합하기 위해, 도파관 하이브리드 커플러와 크리스탈 믹서 다이오드를 이용하여 평형믹서를 설계하였으며, 두 크리스탈 믹서 다이오드 입력에 적합한 $90^{\circ}$ 위상차를 갖는 IF(+)와 IF(-)신호 생성을 위한 IF 증폭기를 설계하였다. 설계된 각각의 도파관과 IF 증폭기 케이스는 고주파수 대역에서 높은 전기적 신뢰성을 유지하기 위해 딥 브레이징 기술을 이용하여 알루미늄으로 제작하였으며 제작된 SSB 변조기 측정결과 LO 신호와 측파대 신호 제거비는 각각 14.2dB와 18.5dB의 양호한 결과를 얻었다.

• Journal of electromagnetic engineering and science
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• 제3권2호
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• pp.86-90
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• 2003

A flat conversion loss in microwave mixer is hard to achieve if integrating with an image rejection filter(IRF). This is due to the change of termination condition with respect to the LO and IF frequency at RF port where the filter has 50 ohm termination property only in the RF band. This paper describes a flatness maintenance in the down mixer concerning a diode matching condition as well as an electrical length of embedding line at RF port. The implemented single balance diode mixer is suitable for a 23 ㎓ European Terrestrial Radio. RF, LO and fixed IF frequency chosen in this paper are 21.2∼22.4 ㎓, 22.4∼23.6 ㎓ and 1.2 ㎓, respectively. The measured results show a conversion loss of 8.5 ㏈, flatness of 1.2 ㏈ p-p, input P1㏈ of 7㏈m, IIP3 of 15.42 ㏈m with nominal LO power level of 10㏈m. The return loss of RF and LO port are less than - 15 ㏈ and - 12 ㏈, respectively and IF port is less than - 6 ㏈. LO/RF and LO/IF isolation are 18 ㏈ and 50 ㏈, respectively. This approach would be a helpful reference for designing up/down converter possessing a filtering element.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2005년도 추계종합학술대회
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• pp.893-896
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• 2005

This paper describes Low Noise Amplifier(LNA) and Single Balanced Mixer(SBM) with monolithic image rejection notch filter using 0.5um MESFET process. LNA, Notch filter, and SBM were integrated on a chip. This chip does not need off chip SAW filter, thereby reducing the overall cost and system volume. The LNA with Notch filter provides a gain of 15dB, noise figure of 1.2dB, and image rejection ratio of -74dB. The SBM has a conversion gain of 6dB.

• 한국군사과학기술학회지
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• 제13권6호
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• pp.1058-1063
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• 2010

In this paper, we designed self-frequency synchronizing circuit using image rejection mixer(IRM) and single-sideband(SSB) up-converter which can effectively eliminate the image frequencies occurred in multi-channel super-heterodyne receivers and help us to match inter-channel phase. Also the self-frequency synchronizing circuit simplifies system because there need no extra devices for making intermediate frequency(IF) by creating the local signal within several nanoseconds by means of generating the same frequency of IF signal and modulating radio frequency(RF) signal. We adopt the limiting amplifier for the purpose of protecting the circuit from spurious signals which come from the front end side having wide instantaneous bandwidth characteristics and constantly injecting same level into the input local signal of IRM. The IRM we fabricated has image rejection ratio of 27dB, which is good over 7dB for foreign company's. Also, the SSB up-converter we fabricated has 1dB compression point of 18dBm, which is good over 16dB for foreign company's. And the size is compact about one-forth.

• Journal of electromagnetic engineering and science
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• 제6권1호
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• pp.18-23
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• 2006

In this paper, we demonstrate a fully integrated X-band image rejection down converter, which was developed using InGaP/GaAs HBT MMIC technology, consists of two single-balanced mixers, a differential buffer amplifier, a differential YCO, an LO quadratue generator, a three-stage polyphase filter, and a differential intermediate frequency(IF) amplifier. The X-band image rejection downconverter yields an image rejection ratio of over 25 dB, a conversion gain of over 2.5 dB, and an output-referred 1-dB compression power$(P_{1dB,OUT})$ of - 10 dBm. This downconverter achieves broadband image rejection characteristics over a frequency range of 1.1 GHz with a current consumption of 60 mA from a 3-V supply.

• 한국통신학회논문지
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• 제26권12B호
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• pp.1733-1740
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• 2001

A monolithic 5 GHz image reject mixer using a 0.5-m GaAs MESFET technology is designed and simulated. The Mixer exhibits a 13.56 dB down-conversion gain, a SSB (Single SideBand) noise figure of 11.91 dB, an input IP3 (third order intercept point) of -3.73 dBm and a PldB (1-dB compression point) of -11.0 dBm. The critical issue in the image reject mixer is the phase accuracy and magnitude balance of the 90 phase shifting network. The proposed image reject mixer realizes a 90 phase shifter on chip. This phase shifting network does not need any phase adjusting to achieve the phase error specification of 3 over a frequency range from 800 MHz to 1GHz. The simulated overall image rejection ratio is better than 50 dB.

• 한국전자파학회논문지
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• 제18권5호
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• pp.522-529
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• 2007

마이크로파 광대역 능동 주파수 분주기는 가변 위상 변환기(tunable polyphase filter)와 가변 영상 주파수 제거 혼합기(tunable image-rejection mixer)를 연결한 것에 정적 이분 주기(static divide-by-2)를 궤환 경로로 연결하여 구성하였다. 출력에서 원하지 않는 불요파 신호를 영상주파수 제거 혼합기와 가변 위상 변환기를 조정함으로써 넓은 주파수 영역에서 제거할 수 있었다. GaInP/GaAs HBT 공정을 이용하여 설계된 1.5 분주비를 갖는 주파수 분주 회로는 4.5 GHz에서 9.2 GHz의 광대역 입력 주파수 영역에서 동작하였으며, $1/3{\times}f_{in}$과 $f_{in}$ 불요파 성분이 모두 -20 dBc 이하로 억제되었다. 소모 전력은 4.1 V에서 29 mA이다.

• 한국통신학회논문지
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• 제35권5A호
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• pp.482-489
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• 2010

본 논문에서는 RF PPF(Poly Phase Filter)를 이용하는 이미지 제거회로에서 광대역의 모든 RF 신호를 한꺼번에 Quadrature 신호로 변환시키는 기존 구조와 다르게 광대역의 RF 신호를 여러 개의 협대역(Narrow band)으로 세분화시켜 Quadrature 신호로 변환시키는 새로운 구조의 주파수 가변형 협대역 DQ-IRM(Double-Quadrature Image Rejection Mixer) 구조를 제안하였다. 기저대역에서 선택한 채널과 그 인접 2-3개 채널이 포함된 협대역 RF 신호만을 선택적으로 Quadrature 신호로 변환시키는 이 구조는 RF PPF의 차수를 줄일 수 있기 때문에 낮은 경로손실 특성과 높은 이미지제거 성능을 동시에 구현이 가능하다. 제안한 DQ-IRM를 이용하여 지상파 디지털멀티미디어방송(Terrestrial Digital Multimedia Broadcasting, T-DMB) 수신용 CMOS RF 튜너 칩을 설계하고 그 성능을 검증하였다. 설계된 CMOS RF 튜너 칩은 CMOS 0.18 um 테크놀로지를 이용하였으며, 170-240 MHz 주파수대역에서 약 1.26 dB의 잡음특성과 약 51 dB 이상의 이미지제거 성능을 얻었다. 설계된 칩 사이즈는 $3.0{\times}1.8mm2$이며, 총 소모전력은 동작전압 1.8 V에서 55.8 mW이다.