• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2000년도 제1회 학술대회 논문집
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• pp.81-83
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• 2000

Tin-doped indium oxide(ITO) thin films were deposited on polyethylene terephthalate(PET) at room temperature by oxygen ion beam assisted evaporator system and the effects of oxygen gas flow rate on the properties of room temperature ITO thin films were investigated. Plasma characteristics of the ion gun such as oxygen ions and atomic oxygen radicals as a function of oxygen flow rate were investigated using optical emission spectroscopy(OES). Faraday cup also used to measure oxygen ion density. The increase of oxygen flow rate to the ion gun generally increase the optical transmittance of the deposited ITO up to 6sccm of $O_2$ and the further increase of oxygen flow rate appears to saturate the optical transmittance. In the case of electrical property, the resistivity showed a minimum at 6 sccm of $O_2$ with the increase of oxygen flow rate. Therefore, the improved ITO properties at 6 sccm of $O_2$ appear to be more related to the incorporation of low energy oxygen radicals to deposited ITO film rather than the irradiation of high energy oxygen ions to the substrate. At an optimal deposition condition, ITO thin films deposited on PET substrates showed the resistivity of $6.6{\times}10^{-4}$ ${\Omega}$ cm and optical transmittance of above 90%.

• 공업화학
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• 제16권6호
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• pp.742-748
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• 2005

투명전극재료 indium tin oxide (ITO) 필름은 평판 디스플레이 전극재료로 널리 사용되고 있다. 이러한 ITO 필름은 마그네트론 스퍼터링법, 기상화학증착법 및 전자빔증착법 등의 방법으로 제조되어지고 있다. 본 실험에서는 전자빔 증착법으로 무게비로 $SnO_2$가 10%, $In_2O_3$가 90%인 ITO 타겟을 다른 플라스틱 기판보다 높은 유리전이 온도($Tg=330^{\circ}C$)를 가지는 polycyclic olefin polymer (POP) 플라스틱 기판에 증착시켰다. 본 연구에서는 ITO 박막의 물리적, 전기적 및 광학적 성질에 영향을 미치는 중요한 변수라 할 수 있는 기판온도와 산소도입속도가 증착된 ITO 박막의 전기적 및 광학적 성질에 미치는 영향을 살펴보았다. 주요공정 변수로는 온도 및 산소도입속도에 중점을 두어 실험하였으며 그 결과 8 sccm (Standard Cubic Centimeter per Minute)의 $O_2$, $200^{\circ}C$의 기판 온도, $5{\AA}/sec$의 증착 속도에서 $1000{\AA}$으로 증착된 ITO 박막 두께에서 우수한 전기적 광학적 성질인 $1.78{\times}10^{-3}{\Omega}{\cdot}cm$ 비저항 및 85% 광투과율을 얻을 수 있었다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2009년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.172-172
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• 2009

전자부품 소재의 경량화 및 연성화 경향에 따라 고분자 소재의 수요가 증가하고 있으며 이에 따라 각종 디스플레이 소자의 투명 도전막으로 사용되는 ITO(Indium-tin Oxide) 피막의 저온 박막 성장에 대한 관심이 증가하고 있다. 본 연구에서는 PET 기판의 전처리 및 후처리 조건에 따라 저온에서 ITO 피막을 제조하고 전처리 및 후처리 조건이 ITO 피막의 면저항 및 투과율 그리고 결정성에 미치는 영향에 대해서 연구하였다.

• 한국인터넷방송통신학회논문지
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• 제15권6호
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• pp.231-238
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• 2015

본 연구는 RF 마그네트론 스퍼터링을 이용하여 ITO glass 위에 N-Type과 P-Type 박막을 증착하여 증착조건에 따른 면저항 특성을 확인하였다. N-Type의 I-V특성은 RF Power가 150 W 일 때 전류의 값이 가장 높은 것으로 나타났고, 15분을 증착하였을 때 기울기가 일정하게 나타나면서 Ohmic contact이 잘 이루어지는 것을 확인 할 수 있었다. 기판온도와 RF Power 및 증착시간이 증가함에 따라 면저항이 증가하는 것으로 나타났고, 면저항이 작은 값일수록 I-V 특성이 잘 나타났다. P-Type 에서도 N-Type과 비슷한 양상을 보이는데, RF Power가 150 W일때 전류가 가장 높은 것으로 나타났고, 20분을 증착하였을 때 Ohmic contact이 잘 이루어지는 것을 확인 할 수 있었다. 면 저항 또한 N-Type과 비슷하게 RF Power와 증착시간이 증가함에 따라 면저항이 증가하는 것을 확인 할 수 있었다.

• 전기학회논문지P
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• 제64권4호
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• pp.277-280
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• 2015

In this paper, we have studied the surface property and transmittance of n- and p-type thin film deposited on ITO substrate. In n-type samples, the average particle size was large and uniform as RF power was increased, and the best results were shown at the condition of the temperature of $300^{\circ}C$ and 200 W of RF power. The transmittance of the sample deposited for 20 minutes was 74.82% and the light wave was increased to 800 nm. In p-type samples, the results were 71.21% and 789 nm at the deposition condition of the RF power of 250 W and the temperature of $250^{\circ}C$.

• 태양에너지
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• 제7권2호
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• pp.7-13
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• 1987

Indium-Tin-Oxide (ITO)/Selenium heterojunction solar cells which fabricated by vacuum deposition technique and annealing process has been investigated. Prior to the Selenium deposition, a thin tellurium layer (about $10{\AA}$) was deposited onto the ITO layers to provide a sufficient mechanical bond between the Oxide and Selenium layers. The amorphous Selenium layer was deposited onto the Te-ITO layers, and then the crystallization of the amorphous Selenium was carried out using a hot plate at about $180^{\circ}C$ for 4 min. Efficient Selenium solar cells with conversion efficiency as high as 4.52% under AM1 condition has been fabricated in polycrystalline Selenium layer ($6{\mu}m$). The optimum data in manufacturing Se solar cell was listed in table.

• 한국결정성장학회지
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• 제10권3호
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• pp.205-210
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• 2000

초음파분무를 이용한 MOCVD법으로 강유전체 $PbTiO_3$박막을 Si(100) wafer와 ITO-coated glass위에 제조하였다 Si 기판 위에 증착된 박막으로부터, 출발원료의 농도비(Ti/Pb)가 1.2일 때, 단일 perovskite 상을 얻을 수 있었다. ITO-coated glass 위에 증착된 박막은 Si기판 위에 제조된 박막보다 박막의 성장속도가 더 빠르며, 기판온도를 $530^{\circ}C$부터 $570^{\circ}C$까지 증가시켰을 때, 결절성과 입자 크기의 증가에 의해 유전상수는 증가하였다. $570^{\circ}C$에서의 유전상수 및 유전손실 값은 각각 205, 0.016을 나타내었다. 기판온도가 $600^{\circ}C$ 이상인 경우, 유전상수가 감소되는 경향을 보였다.

• 센서학회지
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• 제10권1호
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• pp.80-85
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• 2001

$Hg_{1-x}Cd_xTe$(MCT)박막을 $CdSO_4$, $TeO_2$, 및 $HgCl_2$이 혼합된 수용액을 사용하여 음극 전착법으로 ITO 유리와 티타늄기판 위에 성장하였다. 주된 박막의 성장 조건 변수로 전착전위와 성장 온도를 고려하였다. 전착된 MCT 박막은 SEM사진과 XRD 및 EPMA측정을 통하여 박막의 성장 조건이 결정 구조와 성분 조성비에 미치는 영향을 분석 연구하였다. XRD 분석으로부터 전착된 MCT 박막은 cubic zinc blonde 구조임을 알 수 있었고, EPMA에 의한 성분조성비의 분석결과로부터 전착전위를 변화시키므로서 MCT의 성분 조성비를 조절할 수 있음을 알 수 있었다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제10권3호
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• pp.473-478
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• 2006

DC 마그네트론 스퍼터링 방법으로 ITO 박막을 형성하였다. 박막 형성 시 스퍼터 전압을 변화시켜 음이온에 의한 손상을 최소화하였으며, 또한 기판온도와 산소유입량을 변화시켜 비저항 $1.6\times10^{-4}{\Omega}cm$, 광투과도 90% 이상의 값을 갖는 양질의 박막을 형성 할 수 있었다. 박막 형성 시 $O_2$ 가스의 유량이 4sccm 이상으로 산소공급이 과다할 경우는 ITO 박막의 비저항이 증가하고, 광 투과도가 포화됨을 알 수 있었다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제27권9호
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• pp.1497-1499
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• 2006