• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2005년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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• pp.6-8
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• 2005

The optical and electrical properties of indium tin oxide (ITO) thin films deposited at room temperature can be substantially enhanced by adopting a two-step process. In the first step, the films (50 nm thick) were grown by pulsed laser deposition (PLD) on glass substrate at room temperature and quickly annealed at $400^{\circ}C$ in nitrogen ambient for 1 minute by using rapid thermal annealing method. The process was completed by additional deposition (150 nm thick) on annealed film at room temperature. High quality ITO films grown by two-step process at room temperature could be obtained with the resistivity of $3.02{\times}10^{-4}{\Omega}cm$, the carrier mobility of 32.07 $cm^2/Vs$, and the transparency above 90 % in visible region mainly due to the enhancement of the film crystallinity and the increase of grain size.

• Applied Science and Convergence Technology
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• 제24권6호
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• pp.250-253
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• 2015

High contrast grating (HCG) is the structure made up of the sub-wavelength grating of high-index and the surrounding layer of low-index, which reveals high contrast between two materials. Its advantages include high reflectivity over a broad bandwidth, polarization and wavelength selectivity, optical high-Q resonator, and phase modulation. In this work, the HCG structure comprising of indium tin oxide (ITO) and Silicon (Si), for the surrounding layer and the grating layer respectively, was studied. Its theoretical model was established, and transmittance, phase and optical behavior were calculated by rigorous coupled-wave analysis and finite element method. Furthermore, the established structure was fabricated to validate its feasibility. The fabricated structure shows the focusing capability whose length is about $10{\mu}m$, and the feasibility of the structure was demonstrated. It is also meaningful that ITO layer can contribute to the fabrication of the HCG structure, leading to enable the structure to be electrical-driven.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.115-115
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• 2011

최근 유기물을 사용한 유기 태양 전지의 주된 제작 방식은 유기물질을 유기용매에 녹여 사용 하는 스핀코팅 방식이다. 스핀코팅은 박막 형성이 쉽고 대량생산이 용이하다는 장점이 있지만, 표면분석의 측면에서 보면 박막이 한번에 형성되기 때문에 전극 위에 유기물질이 박막을 형성하는 순간의 계면을 측정하기 어렵다. 그에 반해 진공전기분무 방식은 진공에서 얇은 박막에서부터 점차적으로 두께를 늘려가며 증착 할 수 있고 또한 증착이 진공에서 이루어져서 불순물을 최소화 할 수 있기 때문에 표면분석의 측면에서 용이하다. 특히 본 실험에서는 유기 태양전지에서 벌크 이질접합(bulk heterojunction)을 만드는데 널리 쓰이는 물질인 Poly(3-hexythiophene) (P3HT)과 (PCBM)을 toluene에 녹인 후(0.2 mg/ml), 4-5 kV 사이의 전압을 인가하여, 고전압을 걸어 준 뒤 $5{\times}10^{-6}$ torr의 조건에서 분무하여 Indium Tin Oxide (ITO) 위에 박막의 두께를 늘려가며 증착시켰다. 이렇게 ITO 위에 만들어진 P3HT와 PCBM의 박막을 Photoemission spectroscopic (PES)을 이용하여 따른 화학적 구조와 전자구조를 분석하였고, 또한 동일한 농도의 용액으로 스핀코팅 방법을 이용하여 만든 시료와 앞서 언급한 조건의 진공전기분무 방법을 이용하여 만든 시료 사이의 표면거칠기와 morphology는 Atomic Force Microscopy(AFM)을 이용하여 비교 분석하였다.

• 한국광학회지
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• 제22권2호
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• pp.90-95
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• 2011

본 논문에서는 액정 디스플레이의 구현에 있어서 필수적인 필름인 편광판에 ITO를 증착하여 기존 액정 디스플레이에서 두께의 대부분을 차지하는 유리기판을 제거함으로써 경략 박형 액정 셀을 구현하였다. 저온($40^{\circ}C$)에서 편광판에 sputtering으로 buffer layer와 ITO를 증착하여 높은 투과율과 낮은 비저항 및 편평도를 확보하였다. 최종적으로 저온공정이 가능한 ion-beam 배향법을 이용하여 액정을 배향하고 액정 셀을 제작하고 전기광학특성을 확인하였다.

• Journal of Information Display
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• 제2권1호
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• pp.38-42
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• 2001

Thin films of $In_2O_3-SnO_2$(ITO), $SnO_2$, and $SiO_2$ were prepared on the PET substrate by DC magnetron roll sputtering. 135 nm thick ITO film on $SiO_2$/PET substrate has sheet resistance as low as 55 ${\Omega}/square$ and transmittance as high as 85%. $H_2O$gas permeation through the film was 0.35 g/$m^2$ in a day. These properties are enough on optical film for the plastic LCD substrate or touch panel. Both refractive index and sheet resistance of ITO was found to be very sensitive to $O_2$ flow rate. Oxygen flow conditions have been optimized from 4 to 5 SCCM at $10^{-3}$torr. It is also shown that both thickness of $SnO_2$ and refractive index of $SiO_2$ decrease as $O_2$ flow rate increases.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2000년도 추계학술대회 논문집
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• pp.162-165
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• 2000

To investigate the effect of metal electrode in electroluminescent[EL] devices, we fabricated EL devices of ITO/P3HT/Al, ITO/P3HT/LiF/Al and ITO/P3HT/Mg:In structure. In current-voltage-light power characteristics, turn-on voltage of EL devices using LiF insulating layer and Mg:In(2.8V) metal electrode is lower than EL device using Al(4.2V). Besides the external quantum efficiency is improved also. The reason is related to carrier mobility and carrier injection, which would affect the hole-electron balance. In the device with Al electrode, holes injected from indium-tin-oxide[ITO] to poly(3-hexylthiophene)[P3HT] might reach the Al electrode without interacting with injected electrons, because the electron injection efficiency was very low for this electrode. Besides oxidation of the Al electrode is likely due to holes reaching the cathode without meeting injected electrons. Another possible reason for the higher EL efficiency may be the insulating layer playing the role of a tunneling barrier for holes to the Al electrode. In all EL devices, the orange-red light was clearly visible in a dark room. Maximum peak wavelength of EL spectrum emitted at 640nm in accordance with photon energy 1.9eV

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2006년도 제37회 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1386-1387
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• 2006

PDMS와 ITO 유리를 이용하여 continuous-flow PCR chip을 제작하였다. PDMS를 이용하여 microchannel을 형성하여 주었고, ITO electrode를 heater와 sensor로 사용하기 위하여 반도체 공정을 통해 패턴을 형성하였다. microchannel내에 흐르는 시료의 온도를 제어하기 위하여 heater와 sensor를 calibration을 하였다. ITO heater는 인가된 전압에 대해 매우 선형적인 발열을 하였으며, ITO sensor는 온도에 대해 선형적인 저항 변화를 나타낸 바, 그 결과 continuous-flow PCR chip의 정확한 온도 제어가 가능하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 학술대회 및 기술세미나 논문집 디스플레이 광소자
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• pp.58-59
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• 2006

Top emission OLED 소자에 사용되는 ITO(Indium-Tin-Oxide)의 저항을 개선하여 보다 낮은 저항을 가지는 전극을 제작하기 위해 AZO(ZnO-Ag-ZnO)를 제작하였다. AZO박막은 기존의 ITO 박막이 수십 $\Omega$을 나타내던 것과 비교하여 $8{\Omega}$으로 매우 낮은 저항을 나타내었다. 투과율은 84%로 기존의 ITO 박막과 유사한 성능을 나타내었다.

• 한국표면공학회지
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• 제31권3호
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• pp.171-176
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• 1998

Transparent conducting ITO (Indium Tin Oxide) thin films were prepared on soda lime glass by reactive dc magnetron sputtering mothod. The maaterial properties were measured by the X-ray diffraction meter (XRD) and atomic force microscopy (AFM) scanning. As a resuIts, the (400) park for $O_2 gas rate 2% grows uniquely as the preferred orientaon. However, the (400) peak exists at $O_2 gas rate 5% as well as the (222) peak appears abruptly as the main orietation. Both <100> and <111> grain alignments are consisted simultaneously in the XRE pattern of ITO thin films. The electrical charcteristics were esimated by the electrical resistivity, optical transmission, and Hall mobillty, ect. The resistivity of ITO thin film deposited at 4cm from the substrate center is increased from $2\times10^-4$ to $8\times10^-4\Omega$cm as a function of $O_2$ gas pressure (0~5%). The optical transmission curves with a rising of $O_2$ gas rate become shifted into longer wavelength range.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.266.1-266.1
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• 2014

반도체 및 디스플레이 등의 산업 중 증착공정에서 TCO 등 산화막의(oxide thin film) 중요성은 날로 대두되고 있다. 특히 정밀한 막질을 원하는 공정에서 산소(Oxygen)유량의 차이로 인한 생성된 막질의 변화가 크다. 이로 인하여 여러 연구실에서 다양한 연구가 활발하게 진행중에 있다. 특히 최근 IGZO (In-Ga-ZnO)가 이슈가 되면서 더 다양하게 연구가 진행중이다. 그러나 공정 장비의 노화나 증착공정중장비(Chamber)내부의 미세한 변화가 많아 산소와 공정 기체의 비가 틀어지는 경우가 있고 이를 제어하기는 쉽지 않은 실정이다. 본 연구에서는 먼저 ITO (Indium Tin Oxide)타겟을 통해 스퍼터장비에서 일반적인 공정을 진행한 박막과, 제작된 유량 제어 시스템을 통하여 공정을 진행한 박막을 만들었다. 이를 통해 박막의 차이점을 분석하고 증착공정중 발생하는 플라즈마의 분석도 진행하여 공정의 제어가 가능함을 확인하였다.