• 제목/요약/키워드: ITO/PET

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Control of Deposition Parameters in ITO Films: Figure of Merit

  • Kim, H.H.;Park, C.H.;Cho, M.J.;Lim, K.J.;Shin, J.H.;Park, K.J.
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집 Vol.14 No.1
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    • pp.398-401
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    • 2001
  • Indium tin oxide films were deposited on unheated PET substrates by DC reactive magnetron sputtering of In-Sn (90-10 wt%) metallic alloy target. Electrical and optical properties of as-deposited films were systematically studied by control of the deposition parameters such as working pressure, DC power, and oxygen partial pressure. The figures of merit are important factors that summarize briefly the relationship between electrical and optical properties of transparent conducting films. The formulae of $T/R_{sh}$ and $T^{10}/R_{sh}$ are expressed as a function of transmittance and sheet resistance. The best values of those figures of merit were approximately 38.6 and $8.95({\times}10^{-3}\Omega^{-1})$ respectively.

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Tin 함량이 PET 기판위에 증착한 ITO 박막의 물성에 미치는 영향 (Effect of tin concentration on tin doped indium oxide films deposited on PET substrate)

  • 강용민;이동엽;이건환;송풍근
    • 한국표면공학회:학술대회논문집
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    • 한국표면공학회 2008년도 추계학술대회 초록집
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    • pp.91-91
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    • 2008
  • 다양한 증착 조건에서 DC 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 플라스틱 기판위에 $SnO_2$가 5, 7, 10wt% 도핑된 고밀도 ITO타겟으로 증착한 ITO박막의 기계적, 전기적 특성을 연구하였다. $SnO_2$가 7wt% 도핑된 ITO타겟으로 증착한 박막에서 $3.19{\times}10^{-4}{\Omega}cm$의 가장 낮은 비저항 값을 관찰할 수 있었고, 기계적 내구성 또한 가장 우수하였다.

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Control of Deposition Parameters in ITO Films: Figure of Merit

  • Kim, H.H.;Park, C.H.;M.J. Cho;K.J. Lim;J.H. Shin;Park, K.J.
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.398-401
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    • 2001
  • Indium tin oxide films were deposited on unheated PET substrates by DC reactive magnetron sputtering of In-Sn (90-10 wt%) metallic alloy target. Electrical and optical properties of as-deposited films were systematically studied by control of the deposition parameters such as working pressure, DC power, and oxygen partial pressure. The figures of merit are important factors that summarize briefly the relationship between electrical and optical properties of transparent conducting films. The formulae of T/R$\sub$sh/ and T$\^$10//R$\sub$sh/ are expressed as a function of transmittance and sheet resistance. The best values of those figures of merit were approximately 38.6 and 8.95 (x10$\^$-3/Ω$\^$-1/), respectively.

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산소분압비에 따른 고분자 기판 상에 ITO박막의 특성 (Characteristics of ITO Thin Films on Polymeric Substrates with Oxygen Partial Pressure Ratio)

  • 김현후;이무영;김광태;윤상현;박대희;박철현;임기조
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2004년도 하계학술대회 논문집 Vol.5 No.2
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    • pp.849-852
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    • 2004
  • Indium tin oxide (ITO) thin films on polymeric substrates such as acryl (AC), Poly carbornate (PC), polypropylene (PP), and polyethlene terephthalate (PET) have been deposited by a do reactive magnetron sputtering without heat treatments. Sputtering parameters is an important factor for high Qualify of ITO thin films prepared on polymeric substrates. Furthermore, the material, electrical and optical properties of as-deposited ITO films are dominated by the ratio of oxygen partial pressure. As the experimental results the surface roughness of ITO films becomes rough as the oxygen partial pressure Increases. The electrical resistivity of as-deposited ITO films decreases initially, and then increases with the increase of oxygen partial pressure. The optical transmittance at visible wavelength for all polymeric substrates is above 80%.

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Improved Conductivities of SWCNT Transparent Conducting Films on PET by Spontaneous Reduction

  • 민형섭;김상식;이전국
    • 한국재료학회:학술대회논문집
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    • 한국재료학회 2011년도 추계학술발표대회
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    • pp.43.2-43.2
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    • 2011
  • Single-walled carbon nanotubes (SWCNT) are transparent in the visible and show conductivity comparable to copper, and are environmentally stable. SWCNT films have high flexibility, conductivity and transparency approaching that indium tin oxide (ITO), and can be prepared inexpensively without vacuum equipment. Transparent conducting Films (TCF) of SWCNTs has the potential to replace conventional transparent conducting oxides (TCO, e.g. ITO) in a wide variety of optoelectronic devices, energy conversion and photovoltaic industry. However, the sheet resistance of SWCNT films is still higher than ITO films. A decreased in the resistivity of SWCNT-TCFs would be beneficial for such an application. We fabricated SWCNT sheet with $KAuBr_4$ on PET substrate. Arc-discharge SWCNTs were dispersed in deionized water by adding sodum dodecyl sulfate (SDS) as surfactant and sonicated, followed by the centrifugation. The dispersed SWCNT was spray-coated on PET substrate and dried on a hotplate at $100^{\circ}C$. When the spray process was terminated, the TCF was immersed into deionized water to remove the surfactant and then it was dried on hotplate. The TCF film was then treated with AuBr4-, rinsed with deionized water and dried. The surface morphology of TCF was characterized by field emission scanning electron microscopy. The sheet resistance and optical transmission properties of the TCF were measured with a four-point probe method and a UV-visible spectrometry, respectively. $HNO_3$ treated SWCNT films with Au nano-particles have the lowest 61 ${\Omega}$/< sheet resistance in the 80% transmittance. Sheet resistance was decreased due to the increase of the hole concentration at the washed SWCNT surface by p-type doping of $AuBr_4{^-}$.

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유연성 기판위에 전기화학증착법으로 성장된 ZnO 나노로드의 광학적 특성연구

  • 김명섭;고영환;유재수
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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    • pp.439-439
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    • 2012
  • ZnO 나노로드는 큰 밴드갭 에너지(~3.37 eV)와 60 meV의 높은 엑시톤 결합 에너지(exciton binding energy)를 갖고 있으며, 우수한 전기적, 광학적 특성을 지닌 1차원 나노구조의 금속산화물로서 태양전지 및 광전소자 널리 응용되고 있다. 이러한 ZnO 나노로드를 성장하는 방법 중에 전기화학증착법(electrochemical deposition method)은 전도성 물질위에 증착된 시드층(seed layer)을 성장용액에 담그어 전압을 인가하여 만들기 때문에 기존의 수열합성법(hydrothermal method), 졸-겔 법(sol-gel method)보다 비교적 간단한 공정과정으로 저온에서 빠르게 물질을 성장시킬 수 있는 장점이 있다. 한편, 디스플레이 산업에서 ITO (indium tin oxide)는 투명 전도성 산화물(transparent conductive oxide)로써 가시광 파장영역에서 높은 투과율과 전도성을 가지며, 액정디스플레이, LED (Light emitting diode), 태양전지 등의 다양한 소자에 투명전극 재료로 쓰이고 있다. 또한 최근 ITO를 유연한 PET (polyethylene terephthalate) 기판 위에 증착은 얇고, 가볍고, 휘어지기 쉬워 휴대하기 편하기 때문에 차세대 광전자소자 응용에 가능성이 크다. 본 연구에서는 ZnO 나노로드를 ITO/PET 기판위에 전기화학증착법으로 성장하여, 구조적 및 광학적 특성을 분석하였다. 시드층을 형성하기 위해 RF 마그네트론 스퍼터를 이용하여 ~20 nm 두께의 ZnO 박막을 증착시킨 후, zinc nitrate와 hexamethylenetetramine이 포함된 수용액에 시료를 담그어 전압을 인가하였다. 용액의 농도와 인가전압을 조절하여 여러 가지 성장조건에 대한 ZnO 나노로드의 구조적, 광학적 특성을 비교하였다. 성장된 시료의 형태와 결정성을 조사하기 위해, field-emission scanning electron microscope (FE-SEM), X-ray diffraction (XRD)을 사용하였으며, UV-vis-NIS spectrophotometer, photoluminescence (PL) 측정장비를 사용하여 광학적 특성을 분석하였다.

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비틀림 변형 중 ITO 필름의 시편 형태에 따른 기계적 전기적 파괴 연구 (Mechanical and Electrical Failure of ITO Film with Different Shape during Twisting Deformation)

  • 권용욱;김병준
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제24권4호
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    • pp.53-57
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    • 2017
  • 현재 전자 기기에서 가장 대표적인 투명전극은 ITO(Indium Tin Oxide) 필름으로, 우수한 전기적 물성과 광학적 성질로 인해 터치패널, 발광 소자 등 다양한 곳에 사용 중이다. 하지만, 세라믹 재료가 가지는 취성으로 인해, 유연 전자 소자와 같은 곳에 적용할 경우 기계적 변형 중 취성 파괴가 일어나기 쉬우므로 각별한 주의가 필요하다. 본 연구에서는 PET 위에 증착한 ITO 필름에 비틀림 변형이 가해졌을 경우 나타나는 기계적 파괴 및 이에 따라 발생하는 전기적 물성 변화에 대해 연구하였다. 다양한 형태의 시편을 준비하여 비틀림 변형 시 ITO 필름의 전기적 안정성에 대해 연구하였고, 시편의 길이가 길수록 폭이 클수록 면적이 작을수록 비틀림 변형에 취약한 것으로 나타났다. 이를 비틀림 변형 시 발생하는 복합 응력을 고려하여 ITO 필름의 비틀림 안정성에 대해 연구하였다.