• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제19권11호
• /
• pp.1037-1043
• /
• 2006

We report the enhancement of hole injection using ozone-treated Ag nanodots dispersed on indium tin oxide anode in $Ir(ppy)_3-doped$ phosphorescent OLED. Phosphorescent OLED fabricated on Ag nanodots dispersed ITO anode showed a lower turn on voltage and higher luminescence than those of OLEDS prepared commercial ITO anode. Synchrotron x-ray scattering examination results showed that the Ag nanodots dispersed on ITO anode is amorphous structure due to low deposition temperature. It was thought that decrease of the energy barrier height as Ag nanodots changed to $AgO_x$ nanodots by surface treatment using ozone for 10 min led to enhancement of hole injection in phosphorescent OLED. Futhermore, efficient hole injection can be explained by increase of contact region between anode material and organic material through introduction of $Ag_2O$ nanodots.

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제29권11호
• /
• pp.707-711
• /
• 2016

ITO/Ag/ITO conductive films on PET (polyethylene terephthalate) was etched by a Q-switched diode-pumped neodymiun-doped yttrium vanadate (Nd:YVO4, ${\lambda}=1064nm$) laser. During the laser direct etching, the laser beam was incident on the two different directions of PET and the etching patterns were investigated and analyzed. At a lower repetition rate of laser pulse, the larger laser etched patterns were obtained by laser beam incident on reverse side of PET substrate. On the contrary, at a higher repetition rate, it was possible to find the larger etched patterns in case of the laser beam incidence on forward side of PET substrate. For the laser beam incidence on reverse side, the laser beam is expected to be transferred and scattered through the PET substrate and the laser beam energy is thought to be dependent on the etch laser pulse beam energy.

• 한국진공학회지
• /
• 제21권4호
• /
• pp.205-211
• /
• 2012

인듐주석산화막/폴리에틸렌 테레프탈레이트(ITO/PET: indium tin oxide/polyethylene terephthalate) 유연 기판 위에 성장된 산화아연(ZnO) 나노로드(nanorods)를 이용하여 형성된 은(Ag) 입자의 광학적 특성 및 소수성 표면에 대해 조사하였다. 시료를 준비하기 위해 스퍼터링법(sputtering)으로 코팅된 산화아연 씨드층(seed layer)을 이용하여 전기화학증착법(electrochemical deposition)으로 산화아연 나노로드를 성장시킨 후, 열증발증착법(thermal evaporation)을 사용하여 은을 증착하였다. 산화아연 나노로드의 불연속적인 표면 특성 때문에 은이 증착되면서 나노크기를 갖는 입자로 형성되었다. 비교를 위해 같은 조건으로 은을 평평한 ITO/PET에 증착하여 시료를 준비하였으며, 증착되는 은의 양을 조절하기 위해 100초에서 600초까지 열증발증착시간을 변화시켰다. 은 증착시간이 증가할수록 산화아연 나노로드 표면에 형성되는 은 입자의 크기와 양이 증가하였으며, 또한 빛의 흡수율이 가시광 영역에서 크게 증가하는 것을 확인하였다. 이는 은 입자의 국소표면플라즈몬공명(localized surface plasmon resonance)에서 기인된 것으로 짐작한다. 또한 물방울 테스트실험에서 평평한 ITO/PET에 증착된 은에서의 접촉각(contact angle)보다 산화아연 나노로드에 증착된 은 입자에서의 접촉각이 크게 증가함을 보여, 개선된 소수성 표면을 가질 수 있음을 확인하였다. 이러한 광학적 특성과 소수성 표면 결과는 산화아연 나노로드의 기반의 염료감응형 태양전지 또는 자정효과(self-cleaning)를 갖는 표면구조로 유연소자에 유용하게 응용할 수 있을 것으로 기대된다.

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제28권1호
• /
• pp.7-11
• /
• 2015

In this study, $Si_3N_4$/SnZnO/AZO/Ag/Ti/ITO multi-layer film were prepared on glass substrate by DC/RF magnetron sputtering method. To prevent interfacial reaction between Ag and ITO layer, Ti buffer layer was inserted. Optical properties and sheet resistance were studied depending on laminating times of each multi-layered film especially in visible ray. The simulation program, EMP (essential macleod program), was adopted and compared with experimental data to expect the experimental result. It was found out that the transmittance of the first stacked $Si_3N_4$/SnZnO/AZO/Ag/Ti/ITO multi-layer film was more than 90%. However, with increasing stacking times, the optical properties of $Si_3N_4$/SnZnO/AZO/Ag/Ti/ITO multi-layer film get worse. Consequently, Ti layer is good for oxidation barrier, but too many uses of this layer may have an adverse effect to optical properties of TCO film.

• 반도체디스플레이기술학회지
• /
• 제13권2호
• /
• pp.13-16
• /
• 2014

We prepared the ITO/Ag multilayer thin films on soda-lime glass substrate by the Facing Target Sputtering System (FTS) at room temperature. To confirm the effect of Ag layer in ITO/Ag multilayer thin films, we have prepared various range of Ag layer in its thickness and investigated prior to the setting of ITO/Ag multilayer thin films. The thickness of Ag layer was controlled by the sputtering deposition time. Properties of as-prepared samples were investigated by using a four-point probe, UV-Visual spectrometer with a spectral visual range (400 - 800 nm) and X-ray diffractometer (XRD). As a result, the transmittance of as-prepared samples turned out to be very low in the visible range due to light-scattering on the surface of thin film as the thickness of Ag layer got increased. However, reduction of phenomenon of light-reflection in visual range was observed around 20nm of Ag thickness. We prepared the ITO/Ag multilayer thin film with a resistivity of about $8{\times}10^{-5}[{\Omega}-cm]$ and a transmittance of more than 80 % at 550 nm.

• 한국진공학회지
• /
• 제12권S1호
• /
• pp.88-91
• /
• 2003

Electromagnetic interference shielding and near-infrared cutoff filters for plasma display panel application were designed and fabricated by radio frequency magnetron sputtering. Three types of the filters were prepared: the basic structure of type A consisted of [$TiO_2$ Ti Ag $TiO_2$]; type B, of [$TiO_2$ ITO Ag $TiO_2$]; type C, of [$TiO_2$ ITO Ag ITO $TiO_2$]. Ti and ITO layers deposited on Ag layers were employed as barriers to prevent the oxidation and the diffusion of Ag film into the adjacent oxide layers. Optical, electrical, chemical, and structural properties were investigated, and the result shows that the filters with the ITO barrier layers provided an enhancement in transmittance in the visible owing to a lower absorption of ITO layers than Ti layers. Type C filter showed better optical and electrical performances and smoother surface roughness than Type B and C filters: the average sheet resistance was as low as 1.51 $\Omega\Box$ (where $\square$ stands for a square film), the peak transmittance in the visible was as high as 78.2 %, and the average surface roughness was 1.48 nm.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
• /
• 한국표면공학회 2015년도 추계학술대회 논문집
• /
• pp.295-296
• /
• 2015

최근 indium tin oxide (ITO)의 높은 전기 전도도 및 광투과율을 이용하여 줄 발열을 기초로 하는 투명 면상 발열체에 대한 연구가 활발히 진행 되고 있다. 하지만 단일 ITO박막으로 제작한 투명 면상 발열체는 다양한 문제점들을 가지고 있다. 따라서 본 연구에서는 단일 ITO박막을 이용한 투명 면상 발열체의 단점을 보완하기 위하여 하이브리드 구조 투명 면상 발열체를 제작하여 금속 삽입층의 두께에 따른 전기전도도, 광투과율, 면 발열성능을 평가 하였다. 그 결과 하이브리드 구조의 투명 면상발열체의 발열량, 온도 균일성 등이 기존의 단일 ITO 박막의 투명 면상 발열체보다 효율이 크게 향상 된 것을 확일 할 수 있었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
• /
• pp.418-419
• /
• 2013

현재, 인듐 주석 산화물(indium tin oxide, ITO) 박막은 가시영역에서 전기적 특성 및 광학적 특성이 우수하기 때문에 평면 디스플레이(flat displays), 박막 트랜지스터(thin film transistors), 태양전지(solar cells) 등을 포함한 광소자에 투명전도성산화물(transparent conducting oxide, TCO) 전극으로 가장 일반적으로 사용되고 있다. 하지만, 이 물질은 밴드갭이 3.4 eV로 다소 작아 다양한 분야의 의료기기, 환경 보호에 응용 가능한 자외선 영역에서 상당히 많은 양의 광흡수가 발생하는 치명적인 문제점을 가지고 있다. 또한, 인듐(Indium)의 급속한 소비는 인듐의 매장량의 한계로 인해 가격을 상승시키는 주요한 원인으로 작용하고 있다. 한편, InGaN 기반의 자외선 발광다이오드 분야에서는 팔라듐(Pd) 기반의 반투명 전극과 은(Ag) 기반의 반사전극을 주로 사용하고 있지만, 낮은 투과도와 낮은 굴절률을 때문에 여전히 자외선 발광다이오드의 광추출 효율(extraction efficiency)에 문제점을 가지고 있다. 따라서 자외선 발광다이오드의 외부양자 효율(external quantum efficiency, EQE)을 높이기 위해 높은 투과도와 GaN와 유사한 굴절률을 가지는 p-형 오믹 전극을 개발해야 한다. 본 연구에서는 초박막의 ITO (16 nm)/Ag (7 nm)/ITO (16 nm) 다층 구조를 갖는 투명전도성 전극을 제작한 후, 열처리 온도에 따른 전기, 광학적 특성에 향상에 대해서 조사하였다. 사용된 산화물/금속/산화물 전극의 구조는 유기발광 다이오드(organic light emitting diode, OLED), 태양전지 등에 많이 사용되는 안정적인 투명 전극을 자외선 LED 소자에 처음 적용하여, ITO의 전체 사용량은 줄이고, ITO 사이에 금속을 삽임함으로써 금속에 의한 전기적 특성 향상과 플라즈몬 효과에 의한 투과도를 높일 수 있는 장점을 가지고 있다. 실험 결과로는, $400^{\circ}C$에서 열처리한 ITO/Ag/ITO 다층 구조는 365 nm에서 84%의 광학적 특성과 9.644 omh/sq의 전기적 특성을 확인하였다. 실험 결과로부터 좀 더 최적화를 수행하면, ITO/Ag/ITO 다층 구조는 자외선 발광다이오드의 투명전도성 전극으로 사용될 수 있을 것이라 기대된다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
• /
• pp.467.2-467.2
• /
• 2014

유기태양전지는 친환경 에너지 소스로써 저가 대량 생산이 가능하고 특히 유연한 기판에 적용이 가능하여 많은 관심을 받고 있다. 그럼에도 불구하고 기존에 사용되는 indium tin oxide (ITO)의 사용으로 인한 유연성 부족으로 대체되는 투명전극의 개발이 요구되어지고 있다. 이로 인해 carbon nanotubes, graphene, thin metals, metal grids, and conducting polymers 등이 연구되고 있으며, 이중 Silver nanowires (Ag NWs)를 이용한 방식도 많은 관심과 함께 전기광학적 특성에 대한 연구가 진행되고 있다. 하지만 유기전자소자에 사용되기에는 몇 가지 문제점이 발생하는데 이를 해결하기 위한 노력이 다양하게 이루어지고 있다. 특히 다양한 물질의 혼합을 통해 개선하고자 하는 노력이 증가하고 있는데 적층구조의 전도성필름 형성을 통해 ITO-free OPVs에서 Ag nanowire를 transparent conductive electrodes로 활용하였다. Ag NWs층과 PEDOT:PSS layer의 복합화를 통해 저가의 ITO-free OPVs용 transparent anodes가 가능해졌다.

• 대한화학회지
• /
• 제43권3호
• /
• pp.315-320
• /
• 1999

고성능 전계발광(electroluminescent, EL) 소자에 사용되는 발광물질의 개발을 위하여 설계된 발광기능기의 분자구조는 비스스틸렌구조의 발광기능기에 전자주입과 수송을 위한 시안기와 정공주입과 수송을 위한 페닐아민기를 가진 구조이다. 위의 발광기능기로 구성 된 고분자물질, PU-BCN과 저분자물질, D-BCN을 합성하였다. PU-BCN과 D-BCN을 발광층으로 사용하여 만들어진 단층형 소자(SL)의 구조는 Indium-tin oxide(ITO)/발광층/MgAg이고, 적층형소자의 구조는 ITO/발광층/oxadiazole dehvative/MgAg, (DL-E)와 ITO/tri-phenylamine derivative/발광층/MgAg,(DL-H)의 두 종류이다. 동일한 발광기능기를 가진 고분자 발광물질, PU-BCN과 저분자발광물질, D-BCN은 전하주입과 수송성이 띄어난 물질로 평가되었으며, 두 발광물질들은 높은 전류밀도하에서 거의 동일한 발광특성을 보였다. 발광물질들의 최대 발광 피이크는 약 640 nm의 적색 발광영역에서 측정되었다.