금속간 접촉에서의 Passive IMD는 Contact의 비선형 요인에 의해 발생된다고 알려져 있다. 금속접촉을 이루는 RF Conntctor의 PIMD 측정은 측정환경의 변화로 인해 재현성 있는 측정이 어렵다. 본 논문에서는 접촉력, 온도 및 습도로 인한 접촉조건의 변화에 의해 발생하는 PIMD 특성을 연구하고자 4 종류의 도금 재질을 갖는 어댑터를 설계 및 제작하였다. 제작된 어댑터의 PIMD 측정결과. PIMD 수준이 주로 접촉력 및 온도에 영향을 받으며, 측정환경의 명확한 규정이 PIMD의 측정 및 제어에 필수적임을 확인하였다.
본 논문에서는 IMT-2000 기지국용 30 W 전력증폭기를 구현하고 전파흡수체를 사용하여 발진과 상호간섭에 의한 신호의 왜곡을 제거하므로써 이득평탄도 및 상호 변조 왜곡을 개선하였다. 사용된 전파흡수체의 흡수능은 3.6 ㎓ 대역에서 -10 ㏈ 이하, 2.3 ㎓ 대역에서 -4 ㏈ 이하가 측정되었다. 기존의 전력증폭기의 특성을 측정한 결과 이득은 57.37 ㏈(측정시 40 ㏈ 감쇠기 부가) 이상, 이득평탄도는$\pm$0.33 ㏈ 였으며, 출력의 세기가 33.3 W 일 때 IMD 특성은 27 ㏈c 로 나타났다. 한편 전력증폭기의 최종단인 고출력 전력결합기 부분에 전파흡수체를 부착한 후의 이득은 약 58.43 ㏈(측정시 40 ㏈ 감쇠기 부가) 이상, 이득평탄도는 $\pm$0.0935 ㏈ 가 나타났으며, 출력이 33.3 W 일때 3차 IMD 성분은 약 29 ㏈c 였다. 측정 결과 전파흡수체를 사용하였을 경우와 사용하지 않았을 경우 이득은 1 ㏈, 이득평탄도는 0.3 ㏈, IMD 특성은 1.77 ㏈c 가 각각 개선됨을 확인하였다.
본 논문에서는 IMT-2000, 무선LAN, PCS 대역인 R-band에서 Coplanar waveguide (CPW)와 Photonic Bandgap (PBG)을 이용한 증폭기를 설계 및 제작하였다. 기존 마이크로스트립을 이용한 증폭기에만 적용되던 PBG 기술을 처음으로 CPW를 이용한 증폭기에 적용하여 출력효율 및 IMD를 측정하였다. PBG구조는 매칭 네트웍구성을 위해 최적화되었으며 이로인해 입출력 반사손실이 최소화 되도록 PBG 구조가 정합되었다. 측정결과 CPW구조에 새롭게 적용퇸 PBG구조를 이용하여 동일 IMD에 대해 15%의 출력효율과 동일 출력에 대해 IMD 4.5dB 향상을 얻을 수 있었다.
본 논문에서는 구동단의 IMD 특성을 종단의 IMD 특성과 반대의 값을 갖도록 하는 anti-phase IMD 정합 기법을 이용하여 대전력 증폭기의 선형성을 개선하였으며, 이의 설계 과정을 나타내었다. W-CDMA 4FA 입력 신호시 평균 출력 전력 30 W에서 ACLR -55 dBc@5 MHz offset을 얻었으며, 최대 전력 이득을 얻기 위한 최적 정합시와 측정 결과를 비교시, 약 12 dBc 이상 개선되었다. 또한, 평균 출력 전력 50 W에서도 상용 제품 규격을 만족함을 보였다.
In this paper, we identify the memory effect of high power(125W) laterally diffused metal oxide-semiconductor(LDMOS) RF Power Amplifier(PA) by two tone IMD measurement. We measure two tone IMD by changing the tone spacing and the power level. Different asymmetric IMD is founded at different center frequency measurements. We propose the Tapped Delay Line-Neural Network(TDNN) technique as the modeling method of LDMOS PA based on two tone IMD data. TDNN's modeling accuracy is highly reasonable compared to the memoryless adaptive modeling method.
최근 신재생에너지 및 분산전원의 급속한 보급과 직류부하의 증가로 인하여 직류급전에 대한 관심이 높아지고 있으며, 이에 대한 보호협조방식에 대한 연구가 활발히 이루어지고 있다. 그러나 직류급전방식을 사용하는 기존의 직류 부하망과 도시철도 등은 비접지방식인 IT 접지 시스템으로서 지락고장발생 시 고장전류의 경로가 없고, 정상상태 전류에 비하여 큰 차이가 발생하지 않기 때문에 지락고장검출이 어려운 실정이다. 따라서 본 논문에서는 절연저항측정장치(IMD : Insulation Monitoring Device)를 직류 비접지계통의 보호기기로 활용하기 위하여, IMD의 검출원리를 정식화한다. 이를 바탕으로 IMD의 신호주입방식에 의한 출력 값을 웨이블릿변환기법으로 분석하여, 사고검출을 신속하고, 정확하게 판단할 수 있는 검출알고리즘을 제안한다. 또한, 상용전력 계통해석프로그램인 PSCAD/EMTDC를 이용하여, 직류 비접지계통과 IMD를 모델링하고, MATLAB을 이용한 웨이블릿변환 수치해석모델링을 수행한다. 이를 바탕으로 직류 비접지계통의 지락사고를 해석한 결과, 본 논문에서 제안한 IMD의 사고검출 알고리즘의 유효성을 확인하였다.
본 논문에서는 IMT-2000 기지국용 30 W 전력증폭기를 구현하고 전파흡수제를 사용하여 발진과 상호간섭에 의한 신호의 왜곡을 제거하므로써 이득평탄도 및 상호 변조 왜곡을 개선하였다. 사용된 전파흡수체의 흡수능은 3.6 GHz 대역에서 -10 dB이하, 2.3 GHz 대역에서 -4 dB 이하가 측정되었다. 기존의 전력증폭기의 특성을 측정한 결과 이득은 57.37 dB(측정시 40 dB 감쇠기 부가)이상, 이득평탄도는 $\pm$0.33 dB였으며, 출력의 세기가 33.3 W일 때 IMD 특성은 27 dBc 로 나타났다. 한편 전력증폭기의 최종단인 고출력 전력결합기 부분에 전파흡수체를 부착한 후의 이득은 약 58.43 dB(측정시 40 dB 감쇠기 부가)이상, 이득평탄도는 $\pm$0.0935 dB 가 나타났으며, 출력이 33.3 W 일 때 3차 IMD 성분은 약 29 dBc 였다. 측정 결과 전파흡수체를 사용하였을 경우와 사용하지 않았을 경우 이득은 1 dB, 이득평탄도는 0.3 dB, IMD 특성은 1.77 dBc 가 각각 개선됨을 확인하였다.
본 논문에서는 7.9 GHz~8.4 GHz 에서 동작하는 위성통신용 X-밴드 TWT의 AM-AM과 AM-PM 변환특성을 분석하고 선형화기를 이용하여 선형성과 IMD 특성을 개선하였다. 선형화기를 포함하는 TWT는 개선된 AM-AM과 AM-PM 변환특성을 나타내며, 1 dB 압축점은 12.3 dB, $2.0^{\circ}/dB$ 위상왜곡점은 10 dB 개선되었다. 또한 동작출력에서 3차 상호변조 특성인 IMD3는 16.2 dB 개선되어 37.0 dBc로 측정되었다. 또한, 고출력 증폭기의 IMD 측정 방안을 제시하고, TWT의 AM-PM 왜곡 특성을 보상하여 출력전력과 선형 특성을 개선할 수 있음을 나타내었다.
초고주파 트랜지스터를 이용한 증폭기는 트랜지스터의 비선형 특성에 의해 여러 선호들이 입력되는 경우 입 력 선호의 상호 관계에 의해, 입력된 신호의 출력 외에 혼변조 신호들이 발생하게 된다. 혼변조 신호는 입력 신 호에 대해 잡음으로 존재하게 된다. 증폭기에서의 혼변조 선호를 포함하는 출력 신호의 세기와 위상은 증폭기 입력 신호의 세기와 위상 변화에 따라 변하게 된다. 입력신호의 변화에 따른 출력신호의 세기 및 위상 변화를 정확하게 알 수 있다면, 보다 정확한 트랜지스터의 해석과 증폭기에서 발생하는 혼변조 신호 감쇄에 가치있는 정보를 얻을 수 있게 된다. 본 실험에서는 증폭기의 입력 신호의 변화에 따른 출력 신호의 세기 및 위상 변화를 측정할 수 있는 회로를 제작하고, 이를 이용하여 초고주파 트랜지스터에서의 출력 선호 세기 및 위상 변화 특성 을 살펴보았다.
이동통선 서비스가 확장됨에 따라 인접 기지국간의 간섭이 증가하고 그에 따른 IMD(Intermodulation Distortion) 문제도 증가하여 Active IMD뿐만 아니라 Passive IMD(Passive Intermodulation Distortion)에 대한 문 제도 함께 부상하고 었다. 따라서 본 고에서는 대표적인 RF 소자 중 동축선에서의 PIMD의 발생기구의 분석을 위하여 다양한 도금 두께와 도금 재질을 갖는 어랩터를 설계 및 제작하였다. 제작된 어댐터 측정결과 1M 발생 수준이 도금 재질의 전도율, 소자의 구조, 도금 재질의 두께. Aging현상 등에 의존함을 확인하였으며, 도금 두께의 변화와 재질의 변화를 통해 PIMD 발생기구를 분석하였고, PIMD의 제어기술 방안을 검토하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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