이 연구의 목적은 과학 교수-학습프로그램의 두뇌 기반 분석을 위한 정성적 정량적 분석방법을 제시하는 것이다. 연구목적 달성을 위해, 첫 번째로 두뇌기반 분석을 위한 분석방법의 고안에는 중학교 과학 교수-학습프로그램 중 한 단원을 연구대상으로 선정하여 분석하였다. 제시된 분석방법의 유용성 검증에는 7차 및 2007 개정 교육과정의 초등학교 과학 교수-학습프로그램 중 네 단원을 연구대상으로 선정하여 검증하였다. 그 결과, 교수-학습 프로그램을 CORE Brain Map을 통해 정성적으로 컨설팅 할 수 있었다. 또한 네트워크 이론으로부터 정량적 분석을 위한 두뇌맞춤지수 산출식(BCI=$\frac{L_o}{11(N_o-1)}{\cdot}{\sum}\limits_{i=1}^4l_iw_i$)을 유도하였다. 이를 통해 단원 및 교육과정에 따른 연구대상 교수-학습프로그램들 간의 정량적 차이를 확인할 수 있었다. 이 연구를 통해 개발된 두뇌기반 과학 교수-학습 프로그램의 정성적 정량적 분석방법은 두뇌기반 다양한 과학 교수-학습 프로그램의 분석 및 진단에 활용 가능할 것으로 전망된다.
Film thickness monitoring with plasma impedance monitoring (PIM) is demonstrated for small area $SiO_2$ RF plasma etching processes in this work. The chamber conditions were monitored by the impedance signal variation from the I-V monitoring system. Moreover, modified principal component analysis (mPCA) was applied to estimate the $SiO_2$ film thickness. For verification, the PIM was compared with optical emission spectroscopy (OES) signals which are widely used in the semiconductor industry. The results indicated that film thickness can be estimated by 1st principal component (PC) and 2nd PC. Film thickness monitoring of small area $SiO_2$ etching was successfully demonstrated with RF plasma harmonic impedance monitoring and mPCA. We believe that this technique can be potentially applied to plasma etching processes as a sensitive process monitoring tool.
The relative contributions of physical and chemical processes to the production of ozone ($O_3$) were evaluated based on an integrated process rate (IPR) analysis using the MM5/CMAQ in a downtown (i.e., Yangsan_U) and suburban area (i.e., Ungsang) on high ozone days during spring and summer in 2006 (28 April and 8 August 2006). The IPR includes a horizontal advection (HADV) and diffusion (HDIF), a vertical advection (ZADV) and diffusion (VDlF), a dry deposition (DDEP), and a chemistry (CHEM). The VDIF in Yangsan_U was found to be the most dominant contributor (29.5% in spring and 32.1% in summer) to high $O_3$ concentrations, followed by the HADV and ZADV. In contrast, the contributions of the HADV (40.3% in spring and 32.3% in summer) in Ungsang were significantly higher than those of VDIF and ZADV. Moreover, $O_3$ production due to the chemical effect in the two areas (especially in Ungsang) during summer was found to be moderately higher than that during spring.
경제가 성장하고 인터넷이 발전되면서 사람들의 경제형태와 소비는 많이 바뀌었다. 중국 알리바바 그룹은 모바일, 온라인, 오프라인, 인공지능을 결합한 플랫폼으로 약 28조의 매출을 창출하고 있다. 이는 1초에 약 25만건을 처리하는 수준이며, 2016년 대비 40% 증가했다. 이를 가능하게 한 핵심 기술은 소위 Data Technology라고 불리는 빅데이터와 클라우드 컴퓨팅이 융합된 기술이다. 기술의 발전속도에 비해 Data Technology에 관한 정확한 개념적 정의는 부족하다. 이에 본 논문은 빅데이터 분석기법인 TexTom을 활용하여 구글과 네이버의 최근 3개년(2015년 11월~2018년 11월) 신문기사를 데이터 마이닝 및 정제하여 'Data Technology' 키워드로 한정하여 관련 핵심 키워드를 도출하였다. 그 결과 빅데이터, O2O, 인공지능, 사물인터넷, 클라우드 컴퓨팅의 핵심 키워드 기술이 Data Technology와 관계가 있음을 알수 있었다. 본 연구의 분석결과는 향후 Data Technology 시대가 도래되면 참고할 수 있는 유용한 정보로 활용될 수 있다.
Cu 금속 미분말은 확산속도가 CuO 보다 CuO 보다 빠르고 소결시 입자성장을 촉진시키기 때문에 기본조성 (N $i_{0.204}$C $u_{0.204}$Z $n_{0.612}$$O_{1.02}$)F $e_{1.98}$$O_{2.98}$에 들어가는 CuO대신 Cu/CuO의 비를 변화시켜 가면서 Cu가 ferrite에 미치는 영향을 조사하였다. Cu를 CuO 대신 치환함으로써 90$0^{\circ}C$에서 완전한 Spinel구조를 가짐을 XRD pattern을 통하여 확인하였고, Cu/CuO 비가 60%일 때가 투자율 1100, Ms 87 emu/g의 최적조건을 얻었다. Cu는 소결시 확산속도를 증가시켜 입자성장에 영향을 주었으며, CuO대신 Cu의 치환은 저온에서 투자율이 개선됨을 확인하고 소결온도를 3$0^{\circ}C$이상 낮출 수 있었다. 소결이 끝난 후에는 CuO와 같은 거동을 하는 것으로 확인되었다.
Effects of surface defect distribution on flame instability during flame-surface interaction are experimentally investigated. To examine chemical quenching phenomenon which is caused by radical adsorption and recombination processes on the surface, thermally grown silicon oxide plates with well-defined defect density were prepared. ion implantation technique was used to control the number of defects, i.e. oxygen vacancies. In an attempt to preferentially remove oxygen atoms from silicon dioxide surface, argon ions with low energy level from 3keV to 5keV were irradiated at the incident angle of $60^{\circ}$. Compositional and structural modification of $SiO_2$ induced by low-energy $Ar^+$ ion irradiation has been characterized by Atomic Force Microscopy (AFM) and X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS). It has been found that as the ion energy is increased, the number of structural defect is also increased and non-stoichiometric condition of $SiO_x({\le}2)$ is enhanced.
고준위방사성폐기물에서 유출되어 나오는 아이오딘의 이동을 저지하기 위하여 은을 흡착시킨 벤토나이트 블록에 NaI 용액을 흘려주었을 때 대부분의 아이오딘이 흡착되었다. 이 은이온에 의한 아이오딘의 저지 메커니즘을 상세히 조사하기 위하여 아이오딘과 접촉하기 전후의 은이 흡착된 벤토나이트의 X-ray Absorption Near Edge Structure (XANES)와 Extended X-ray Absorption Fine Structure (EXAFS) 스펙트 럼과 표준물질로서 AgO, $Ag_2O$, AgI의 스펙트럼을 비교하였다. 그 결과, 벤토나이트에 흡착되었던 은이 떨어져 나와 AgI 침전 클러스터를 형성함으로서 아이오딘의 이동이 지연되는 것으로 생각된다.
In this paper we review recent work in our laboratory on nanocomposite CoSm-based films including CoSm with Cr underlayer (CoSm//Cr), exchange-coupled magnetic films consisting of CoSm and FeCo layers (CoSm/FeCo), and CoSm multilayers with nonmagnetic spacing layers of SmO (CoSm/SmO). The emphasis is on detailed investigations of microstructure and magnetic properties for CoSm//Cr films, exchange-spring effects for CoSm/FeCo films, and interlayer effects for (CoSm/ SmO) multilayers.
The fatality of pedestrian accounts for about 21.2% of all fatality at 2007 year in Korea. In car to pedestrian accident it is very important to inspect the throw distance of pedestrian after collision for exact reconstructing of the accident. The variables that influence on the throw distance of pedestrian can be classified into the factors of vehicle and pedestrian, and road condition. It was simulated by PC-CRASH, a kinetic analysis program for a traffic accident in sedan type vehicle and SPSS program was used for regression analysis. From the results, the throw distance of pedestrian increased with the increasing of vehicle velocity, and decreased with the increasing of impact offset. Also it decreased with the increasing of velocity of pedestrian at accident, and throw distance at the road condition of wet was longer than that at dry condition. Finally, the regression model of sedan type vehicle on the throw distance of pedestrian was as follows; $$dist_i=2.39-0.11offset_i+0.59speed_i-545height_i-0.25walk_i+2.78wet_i+{\epsilon}_i$$.
고유전 (Ba, Sr)TiO₃ (BST) 박막을 이용한 DRAM storage capacitor의 저전계 영역에서의 전하손실을 발생시키는 커패시터의 누설전류는 유전완화전류와 진성 누설전류로 이루진다고 알려져 있다. 특히, 기가급 DRAM의 동작 전압(~IV)에서 유전완화전류가 진성 누설전류에 비해 훨씬 크기 때문에 이에 대한 심도 있는 연구가 필요하다. 본 연구에서는 thermally stimulated current (TSC) 측정법을 BST 박막에 처음으로 적용하여 트랩의 에너지 level 및 공정변화에 따른 트랩 밀도의 상대적 평가를 하였다. 그리고, 기존에 사용되던 전류-전압(I-V) 측정이나 전류-시간(I-t) 측정과 비교 및 분석함으로써 유전완화 전류의 원인을 규명하고 TSC 측정법의 신뢰성을 살펴보았다. 먼저 안정적인 TSC 측정을 위해 전계, 시간, 온도 및 승온속도에 따른 polarization condition을 알아보았다 이 조건을 이용한 TSC 측정으로부터 BST 박막에서의 트랩의 energy level이 0.20(±0.01) eV와 0.45(±0.02) eV임을 알 수 있었다. Rapid thermal annealing (RTA)을 이용한 후속 열처리에 따른 TSC 측정을 통하여 이 트랩들이 산소결핍(oxygen vacancy)에 기인함을 확인할 수 있었다. MIM BST 커패시터의 열처리에 대한 TSC 특성은 전류-전압(I-V) 및 전류-시간(I-t) 특성과 같은 경향성을 보인다. 이것은 TSC 측정이 BST 박막내의 트랩을 평가하는데 있어서 매우 효과적인 방법이라는 것을 보여준다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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