The interaction of mixed convection and surface radiation in a printed circuit board(PCB) is investigated numerically. The electronic equipment is modeled by a two-dimensional channel with three hot blocks. In order to calculate the turbulent flow characteristics, the low Reynolds number k-.epsilon. model which is proposed by Launder and Sharma is applied. The S-4 approximation is used to solve the radiative transfer equation. The effects of the Reynolds number and geometric configuration variation of PCB on the flow and heat transfer characteristics are analyzed. As the results of this study, it is found that the thermal boundary layer occured at adiabatic wall in case with thermal radiation included, and the effect of radiation is also found to be insignificant for high Reynolds numbers. It is found, as well, that the heat transfer increases as the Reynolds number and block space increase and the channel height decreases and the heat transfer of vertical channel is greater than that of horizontal channel.
This paper shows some achievements at bending of extruded aluminum profiles during the extrusion process. The conventional process for the production of bent profiles involves a successive extrusion, stretching, and bending of the profiles. Conventional bending methods can not meet demands far precision and cost-effective production in some cases, due to cross sectional deformation, irregular decrease of tube wall thickness and a complication of the process design. An estimation of spring-back required for precision of the bending radius can not always be achieved by the over bending of the profile. Since the profile is hot during the bending process, the spring-back phenomenon can be avoided. This means that an additional bending process is not necessary. Consequently, flexible bending can be achieved with cost reduction and quality improvement. Experimental tests were completed to study the relationship between curvature radius of profile and position of guide on the extrusion for vehicle bumper. A7108 is applied as a billet material in order to increase strength. The overall correlation between the experimental and numerical results is good. It is therefore concluded that the present method provides an efficient means for the constant curvature extrusion process.
수평배관의 열성층 유동을 완화하기 위하여 아래부분에 Heat Tracing을 한 수평배관의 외부 가열에 의한 열성층 유동과 열전달 특성을 수치적으로 해석하기 위하여 비정상 2차원 모델을 이용하였다. 무차원 지배방정식은 제어체적방법과 SIMPLE 알고리즘을 사용하여 해를 구하였다. Heat Tracing이 있는 수평배관 내부 열성층 유동의 등온선, 유선분포, Nusselt수, 온도 분포를 해석하였다. 무차원 시간 1,500에서 최대 무차원 온도차가 0.424로 계산되어졌고 무차원 시간 9,000 이후에는 열성층 현상이 없어졌다.
A wind tunnel study has been carried out to determine the influence of spacing between buildings on wind characteristics above rural and suburban type of terrain. Experiments were performed for two types of buildings, three-floor family houses and five-floor apartment buildings. The atmospheric boundary layer (ABL) models were generated by means of the Counihan method using a castellated barrier wall, vortex generators and a fetch of roughness elements. A hot wire anemometry system was applied for measurement of mean velocity and velocity fluctuations. The mean velocity profiles are in good agreement with the power law for exponent values from ${\alpha}=0.15$ to ${\alpha}=0.24$, which is acceptable for the representation of the rural and suburban ABL, respectively. Effects of the spacing density among buildings on wind characteristics range from the ground up to $0.6{\delta}$. As the spacing becomes smaller, the mean flow is slowed down, whilst, simultaneously, the turbulence intensity and absolute values of the Reynolds stress increase due to the increased friction between the surface and the air flow. This results in a higher ventilation efficiency as the increased retardation of horizontal flow simultaneously accompanies an intensified vertical transfer of momentum.
A stoichiometric mixture of evaporating materials for $CdIn_2S_4$ single crystal thin films was prepared from horizontal furnace. To obtain the single crystal thin films, $CdIn_2S_4$ mixed crystal was deposited on thoroughly etched semi-insulating GaAs(100) substrate by hot wall epitaxy(HWE) system. The source and substrate temperatures were $630^{\circ}C$ and $420^{\circ}C$ respectively. The crystalline structure of single crystal thin films was investigated by the photoluminescence and double crystal X-ray diffraction(DCXD). The carrier density and mobility of $CdIn_2S_4$ single crystal thin films measured from Hall effect by van der Pauw method are $9.01{\times}10^{16}\;cm^{-3}$ and $219\;cm^2/V{\cdot}s$ at 293 K, respectively. From the optical absorption measurement, the temperature dependence of energy band gap on $CdIn_2S_4$ single crystal thin films was found to be $E_g(T)\;=\;2.7116\;eV\;-\;(7.74{\times}10^{-4}\;eV)T^2/(T+434)$. After the as-grown $CdIn_2S_4$ single crystal thin films was annealed in Cd-, S-, and In-atmospheres, the origin of point defects of $CdIn_2S_4$ single crystal thin films has been investigated by the photoluminescence(PL) at 10 K.
Numerical investigations were conducted to study the convective phenomena of an initially stably stratified salt water solution with lateral heating in a uniformly rotating annulus. The method of investigation is the finite difference analysis of the basic conservation equation for an axisymmetric, unsteady, double-diffusive convection and calculation is made for R $a_{\eta}$=2*10$^{5}$ and Ta=10$^{7}$ ~ 2.5*10$^{8}$ . Formation of layered flow structure, merging process of layers, the corresponding temperature and concentration distributions, Nu variation with time are examined. Numerical results show that in each layer, the temperature profile looks 'S'-shaped and the concentration profile is uniform due to the convective mixing. At the interface between adjacent layers, the temperature changes smoothly but the concentration changes rapidly. As the effect of the rotation increases, the generation of rolls at hot wall, the formation and merging of layers are delayed. The average Nu shows the trend of conduction heat transferees the effect of the rotation increases.n increases.
In some portions of nuclear piping systems, stratification phenomena may occur due to the density difference between hot and cold stream. When the temperature difference is large, the stratified flow under diverse operating conditions can produce high thermal stress, which leads to unanticipated piping integrity issues. The objectives of this research are to examine controvertible numerical factors such as model size, grid resolution, turbulent parameters, governing equation, inflow direction and pipe wall. Parametric three-dimensional computational fluid dynamics analyses were carried out to quantify effects of these parameters on the accuracy of temperature profiles in a typical nuclear piping with complex geometries. Then, as a key finding, it was recommended to use optimized mesh of real piping with the conjugated heat transfer condition for accurate thermal stratification analyses.
Hot-Wall Epitaxy(HWE) 방법으로 ZnSe/ZnSe(bulk) 박막을 성장하였다. 이 때 사용되어진 ZnSe 기판은 승화법으로 증발부분의 온도를 $1160^{\circ}C$ 성장부분의 온도를 $1130^{\circ}C$로 하여 약 2주 동안 직경 20mm, 높이 18mm인 원추형의 ZnSe 단결정을 얻었다. 양질의 ZnSe 박막을 얻기 위한 조건은 증발부분의 온도는 $610^{\circ}C$, 기판의 온도는 49$0^{\circ}C$이었다. ZnSe(bulk) 기판위에 성장한 ZnSe 박막의 광발광에서는 강한 D-A pair emission과 Cu 불순물에 의한 녹색과 적색 발광이 관측되었고 SA 발광은 관측되지 않았다.
본 연구에서는 Fig.1에 나타낸 정 등의 모델을 사용하여 공간내의 자연대류 유동을 수치적으로 해석하고 실험결과와 비교하여 수평격판에 의해서 발생하는 진동유 동의 특성을 규명하고자 한다. 본 수치해석에서는 물(Pr=4.95)을 내부유체로 하여 Rayleigh수, 공간의 폭에 대한 격판길이(L/W)및 격판의 열전도율의 변화가 자연대류 진동유동에 미치는 영향을 밝히고, 밀폐공간의 경사에 의해 진동유동이 사라지는 각 도, 즉 천이 경사각도를 찾아 내고자 한다. 이러한 유동특성을 파악하기 위하여 본 연구에서는 지배방정식을 Galerkin method를 사용한 2차원 유한요소법(FEM)으로 수치 해석하였다.
A stoichiometric mixture of evaporating materials for CuGaSe2 single crystal thin films was prepared from horizontal electric furnace. Using extrapolation method of X-ray diffraction patterns for the polycrystal CuGaSe2, it was found tetragonal structure whose lattice constant at and co were 5.615 ${\AA}$ and 11.025 ${\AA}$, respectively. To obtain the single crystal thin films, CuGaSe2 mixed crystal was deposited on thoroughly etched semi-insulating GaAs(100) substrate by the hot wall epitaxy (MWE) system. The source and substrate temperatures were Slot and 450$^{\circ}C$, respectively. The crystalline structure of the single crystal thin films was investigated by the photoluminescence and double crystal X-ray diffraction (UXD). The carrier density and mobility of CuGaSe2 single crystal thin films measured with Hall effect by van der Pauw method are 5.0l${\times}$10$\^$17/ cm$\^$-3/ and 245 $\textrm{cm}^2$/V$.$s at 293K, respectively. The temperature dependence of the energy band gap of the CuGaSe2 obtained from the absorption spectra was well described by the Varshni's relation, Eg(T) = 1.7998 eV - (8.7489${\times}$10$\^$-4/ eV/K)T$^2$/(T + 335 K. After the as-grown CuGaSe2 single crystal thin films was annealed in Cu-, Se-, and Ca-atmospheres, the origin of point defects of CuGaSe2 single crystal thin films has been investigated by the photoluminescence(PL) at 10 K The native defects of V$\_$CU/, V$\_$Se/, Cu$\_$int/, and Se$\_$int/ obtained by PL measurements were classified as a donors or accepters type. And we concluded that the heat-treatment in the Cu-atmosphere converted CuGaSe2 single crystal thin films to an optical n-type. Also, we confirmed that Ga in CuGaSe2/GaAs did not form the native defects because Ga in CuGaSe2 single crystal thin films existed in the form of stable bonds.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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