구형 실리카 나노 콜로이드 입자를 이용하여 반사방지막을 제조하였다. 실리카 콜로이드 현탁액을 모세관 힘을 이용하여 기울어진 두 장의 유리판 사이에 저장한 후 위의 유리를 이동시켜 반사 방지막을 코팅하였다. 상판 유리의 이동속도가 빨라질수록 막의 두께는 감소하였고, 막의 두께 변화에 따라 광 투과율이 변하였다. SEM으로 관찰된 실리카 나노 입자는 최밀충진에 가깝게 유리 기판에 부착되어 있었으며, 이로부터 고체 입자와 기공을 포함하는 막의 유효 굴절율을 구하였다. 최대의 광투과율을 나타내는 파장과 유효 굴절율로 부터 계산한 막의 두께는 SEM 사진 및 profiler로 구한 값과 잘 일치하였다. $94.7\%$의 최대 광투과율을 얻었으며, 양면으로 코팅한다면 $97.4\%$의 투과율 즉 $1.3\%$의 반사율을 얻을 수 있는 것으로 나타났다.
Anti-reflection film was coated by using spherical silica nano colloidal particles and fumed silica particles. Silica colloid sol was reserved between two inclined slide glasses by capillary force, and particles were stacked to form a film onto the substrate as the upper glass was sliding. The deposition processes were studied to enhance the wavelength dependency of the light transmittance and to control the effective refractive index of the film. Both of the spherical and fumed silica particles showed an enhancement of $4.0-4.4\%$ in light transmittance by one step coating. The dependence of the transmittance on wavelength was largely improved at the longer wavelength by partial coating of fumed particles on the film of spherical particles. The effective refractive index of the film was controlled by removing latex particles that were co-deposited with silica particles. Using this process the light reflectance from one side of the glass substrate could be reduced from $4.2\%$ to $0.6\%$ although zero reflectance was not achieved due to the agglomeration of the latex particles.
본 연구는 일반적으로 이용되는 EVA 필름과 비교하여 폴리올레핀(PO), 불소, 방적, 방무, 보온필름 등의 기능성필름이 토마토의 품질에 어떤 영향을 미치는 가를 구명하고자 하였다. 분광투과특성에 있어 자외선은 불소필름이 가장 많았고 PO필름이 가장 적었으며, PAR는 불소, 보온, PO필름 등이 많았으며, 근적외선도 EVA에 비해 기능성필름이 많은 경향이었다. 전체광선의 투과율은 불소, 방무, 방적, PO, 보온, EVA 순으로 높았다. 하우스 내 주간온도는 광투과율 차이에 의해 불소필름이 가장 높고 EVA가 가장 낮았으며, 야간온도는 필름이 두꺼운 방적 및 PO필름이 가장 높게 유지되었다. 기능성필름은 EVA에 비해 과실 당도가 $0.2{\sim}0.5^{\circ}Bx$ 더 높았고, 과실 내 라이코펜 함량이 $15{\sim}30%$ 높게 나타났다. 따라서 토마토의 당도, 라이코펜 함량 등의 품질향상을 위해서는 일반필름 대신에 기능성필름을 이용하는 것이 효과적일 것으로 판단되었다.
평판 디스플레이에 사용되는 PET 필름의 광학적 특성을 알아보기 위하여 필름 표면 굴절률, 필름 표면조도 및 필름 내부입자가 광투과율에 미치는 영향을 알아 보았다. 필름표면에 굴절률이 낮은 코팅층을 형성함에 따라 필름의 광투과율이 향상되었고, 최대의 광투과율을 가지는 코팅두께가 있음을 확인하였다. 표면 거칠기의 영향에 대해서는 표면조도를 나타내는 Ra를 입사 파장의 1/4 이하로 조절한 경우 광손실이 발생되지 않았다. 필름 내 무기입자는 입사된 광의 흡수 및 산란을 발생시켜 광손실을 증가시켰다.
Films of Cr, Cu, and Al were deposited by the evaporation technique at the high vacuum level-high evaporation rate and the low vacuum level-low evaporation rate. We measured sheet resistance and light transmittance, and observed microstructure and diffraction pattern by TEM, and investigated oxygen content in thin film by AES. We discussed the relations among microstructure, sheet resistance, and light transmittance with AES data. We found that the films deposited at the high vacuum level-high evaporation rate have small oxygen content in thin film comparing to the films deposited at the low vacuum level-low vacuum level-low evaporation rate, and that the films having crystalline structure and larger grain size were formed in the case of the high vacuum level-high evaporation rate and they showed lower sheet resistance and lower light transmittance.
ZnO shows the properties of wide conductivity variation, high optical transmittance, and excellent piezoelectricity. Using these properties of ZnO, the material applications were extended to sensors, SAW filters, solar cells, and display devices. This paper investigated transmittance influencing factors for thin film ZnO grown by RF magnetron sputtering. The growth rate and structural investigation were carried out in conjunction with optical transmittance characteristics of thin film ZnO. The glass substrate temperature of $175^{\circ}C$ exhibited a preferential crystallization along (002) orientation. Transmittance of ZnO film deposited at the substrate temperature of $175^{\circ}C$ showed higher than 92%. An active sputter gas was investigated with a variation of $O_2$ partial pressure from 0 to 10% in an Ar atmosphere. ZnO film grown in 100% Ar gas shows that a reduced transmittance of 82% at the short wavelengths and decreased resistivity value. As the partial pressure of $O_2$ gas increased, the optical transmittance was increased above 90% at the short wavelengths, however, resistivity was drastically increased to higher than $10^4{\Omega}$-cm.
Both poly(vinyl alcohol)$(PVA)-I_2$ and PVA-dye polarizing film were prepared using PVA with number-average degree of polymerization of 1,700, 2,300, 2,600. The optical property of used dye in this study closed to the that of iodine. The PVA-dye polarizing film was prepared through the dyeing process. In comparison of the result of the measurement of the heat and humidity resistance of two types polarizing films, it of PVA-dye polarizing film was higher than that of a conventional $PVA-I_2$polarizing film. The transmittance and the polarization efficiency of PVA-dye polarizing film was significantly influenced by dye concentration, dipping time, salt concentration, and temperature of dye bath. The PVA-dye polarizing film exhibited a high polarization efficiency of 99.3% and a good transmittance of 42.4%.
Recently zinc oxide(ZnO) has emerged as one of the most promising transparent conducting films with a strong demand of low cost and high performance optoelectronic devices, ZnO film has many advantages such as high chemical and mechanical stabilities, and abundance in nature. In this paper, in order to obtain the excellent transparent conducting film with low resistivity and high optical transmittance for Plasma Display Pannel(PDP), aluminium doped zinc oxide films were deposited on Corning glass substrate by dc magnetron sputtering method. The effects of the discharge power and doping amounts of $Al_2$$O_3$ on the electrical and optical properties were investigated experimentally. Particularly in order to lower the electrical resistivity, positive and negative bias voltages were applied on the substrate, and the effect of bias voltage on the electrical properties of ZnO:Al thin film were also studied and discussed. Films with lowest resistivity of $4.3 \times 10 ^{-4} \Omega-cm$ and good transmittance of 91.46 % have been achieved for the films deposited at 1 mtorr, $400^{\circ}C$, 40 W, Al content of 2 wt% with a substrate bias of +30 V for about 800 nm in film thickness.
Expanding the supply of BIPV is crucial to strengthening the competitiveness of the photovoltaic industry and achieving Nationally Determined Contributions through the zero-energy building mandatory policy. BIPV is a technology that integrates into the building envelope to generate electricity and provide functions as a building material. It is suitable for domestic environments with many high-rise buildings due to the narrow land area and urbanization. To expand the supply of BIPV, economics, safety, and aesthetics must be ensured. In this study, a color BIPV module with a color PET film applied as a front material was manufactured for aesthetic and economic feasibility. The relationship between power output and transmittance according to color was analyzed. By analyzing the power output of the module and the transmittance of the film, the wavelength band (transmittance reduction band) that has the greatest effect on efficiency was analyzed regarding the color of the film. The red film showed the narrowest transmittance reduction band and the lowest degree of decrease in transmittance, making it ideal for minimizing the efficiency decrease rate compared to existing ones.
In this study, RF magnetron sputtering was used to investigate the relationship between oxygen vacancy and carrier concentration in a GZO film on an amorphous structure. RF power was fixed at 50W and Ar flow was changed on a glass plate to create a thin film at room temperature. The transmittance of Al-adopted amorphous GZO was measured at 85% or higher; therefore, the transmittance was shown to be outstanding in all films. The hall mobility was also shown to be higher at the film showing the high transmittance at a short-wavelength, whereas the optical energy gap was shown to be higher at the film with high oxygen vacancy. The oxygen vacancy at the amorphous oxide semi-conductor increased the optical energy gap while it was not directly involved in increasing the mobility. The oxygen vacancy increases the carrier concentration while lowering the quality of amorphous structure; such factor, therefore affected the mobility. The increase of amorphous property is a direct way to increase the mobility of amorphous oxide semi-conductor.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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