We proposed a B-RWG LD (Buried-ridge waveguide laser diode) having more merits than a conventional RWG-LD. It's ridge width is controlled easily, it has the advantage of being more planar than the RWG-LD and it is possible to control refractive index with growth layer thickness. Before fabricating the device, we designed the optimal device for single mode, high efficiency and high power operation. From theoretical analysis, we have to control the $d_2, d_3$ layer thicknesses for lateral effective index difference, $\Delta_{nL}$ to be higher than critical value, and simultaneously consider the ridge width for single mode and low threshold current operation. As a result, it is possible to make a single mode LD having the ridge width of $6~9{\mu}m$ if the lateral effective index difference was controlled properly. perly.
Journal of the Korean Institute of Intelligent Systems
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v.15
no.7
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pp.846-851
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2005
In this paper, we propose Genetic Algorithms(GAs)-based Optimized Polynomial Neural Networks(PNN). The proposed algorithm is based on Group Method of Data Handling(GMDH) method and its structure is similar to feedforward Neural Networks. But the structure of PNN is not fixed like in conventional neural networks and can be generated in a dynamic manner. As each node of PNN structure, we use several types of high-order polynomial such as linear, quadratic and modified quadratic, and it is connected as various kinds of multi-variable inputs. The conventional PNN depends on the experience of a designer that select the number of input variables, input variable and polynomial type. Therefore it is very difficult to organize optimized network. The proposed algorithm leads to identify and select the number of input variables, input variable and polynomial type by using Genetic Algorithms(GAs). The aggregate performance index with weighting factor is proposed as well. The study is illustrated with tile NOx omission process data of gas turbine power plant for application to nonlinear process. In the sequel the proposed model shows not only superb predictability but also high accuracy in comparison to the existing intelligent models.
Daegang granite is located around the Namwon-gun, Cheolabuk-do, and is an elongate stock $(80 km^{2})$ in the NNE-SSW direction. Daegang granite has the very same mineralogical and geochemical characteristics as those of the typical A-type granites; (1) it is a one feldspar hypersolvus granite, and is classified as an alkali feldspar granite in the lUGS scheme, (2) has small amounts of Fe-rich biotite (annite) and alkali amphibole (ribeckite) that are late in the crystallization sequence of the granitic magma, (3) always contains opaque oxides, fluorite and zircon, (4) shows high and quite homogeneous $SiO_2$, content (mostly 72~77 wt.%) and $(Na_{2}O+K_{2}O)/Al_{2}O_{3}$ ratio (0.90~0.98), (5) contains high Ga, lOOOO*Ga/Ai, $K_{2}O+Na_{2}O$, $(K_{2}O+Na_{2}O)/CaO$, $K_{2}O/MgO$, FeO/MgO, agpaitic index, Zr, Nb, Ce, Y, Zn value or ratio that resemble to those of the Australian A-type granites (Whalen et al., 1987), and (6) has enriched LREE and HREE that show flat variation pattern with slightly depleted in HREE and profound Eu anomalies (Eu/Eu*=0.04~0.l4). In the tectonic discrimination diagrams of Pearce et al. (1984) and Eby (1992), Daegang granite is classified as a within plate granite and $A_{2}-type$.
Ga Young Ahn;Bon San Koo;Kyung Bin Joo;Tae-Hwan Kim;Seunghun Lee
Korean Journal of Radiology
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v.22
no.10
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pp.1671-1679
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2021
Objective: We quantitatively measured the fat fraction (FF) in the vertebrae of patients with ankylosing spondylitis (AS) using magnetic resonance imaging (MRI) and investigated the role of FF as an indicator of both active inflammation and chronicity. Materials and Methods: A total of 52 patients with AS who underwent spinal MRI were retrospectively evaluated. The FF values of the anterosuperior and anteroinferior corners of the bone marrow in the L1-S1 spine were assessed using the modified Dixon technique. AS activity was measured using the Bath Ankylosing Spondylitis Disease Activity Index (BASDAI), Bath Ankylosing Spondylitis Functional Index (BASFI), AS Disease Activity Score (ASDAS), and serum inflammatory marker levels. AS disease chronicity was assessed by AS disease duration and the modified Stoke Ankylosing Spondylitis Spinal Score (mSASSS). Univariable and multivariable regression analyses were conducted to investigate the correlation between FF and other clinical characteristics. Results: The mean FF ± standard deviation of the total lumbar spine was 43.0% ± 11.3%. At univariable analysis, spinal FF showed significant negative correlation with BASDAI (β = -0.474, p = 0.002) and ASDAS with C-reactive protein (ASDAS-CRP; β = -0.478, p = 0.002) and a significant positive correlation with AS disease duration (β = 0.440, p = 0.001). After adjusting for patient age, sex, and total mSASSS score, spinal FF remained significantly negatively correlated with BASDAI (β = -0.543, p < 0.001), ASDAS-CRP (β = -0.568, p < 0.001), and ASDAS with erythrocyte sedimentation rate (β = -0.533, p = 0.001). Spinal FF was significantly lower in patients with very high disease activity (ASDAS-CRP > 3.5) than in those with only high disease activity (2.1 ≤ ASDAS-CRP ≤ 3.5) (p = 0.010). Conclusion: Spinal FF may help assess both AS disease activity and chronicity.
We have synthesized bluish-green, highly-efficient $BaSi_2O_2N_2:Eu^{2+}$ and $(Ba,Sr)Si_2O_2N_2:Eu^{2+}$ phosphors through a conventional solid state reaction method using metal carbonate, $Si_3N_4$, and $Eu_2O_3$ as raw materials. The X-ray diffraction (XRD) pattern of these phosphors revealed that a $BaSi_2O_2N_2$ single phase was obtained. The excitation and emission spectra showed typical broadband excitation and emission resulting from the 5d to 4f transition of $Eu^{2+}$. These phosphors absorb blue light at around 450 nm and emit bluish-green luminescence, with a peak wavelength at around 495 nm. From the results of an experiment involving Eu concentration quenching, the relative PL intensity was reduced dramatically for Eu = 0.033. A small substitution of Sr in place of Ba increased the relative emission intensity of the phosphor. We prepared several white LEDs through a combination of $BaSi_2O_2N_2:Eu^{2+}$, YAG:$Ce^{3+}$, and silicone resin with a blue InGaN-based LED. In the case of only the YAG:$Ce^{3+}$-converted LED, the color rendering index was 73.4 and the efficiency was 127 lm/W. In contrast, in the YAG:$Ce^{3+}$ and $BaSi_2O_2N_2:Eu^{2+}$-converted LED, two distinct emission bands from InGaN (450 nm) and the two phosphors (475-750 nm) are observed, and combine to give a spectrum that appears white to the naked eye. The range of the color rendering index and the efficiency were 79.7-81.2 and 117-128 lm/W, respectively. The increased values of the color rendering index indicate that the two phosphor-converted LEDs have improved bluish-green emission compared to the YAG:Ce-converted LED. As such, the $BaSi_2O_2N_2:Eu^{2+}$ phosphor is applicable to white high-rendered LEDs for solid state lighting.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2000.02a
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pp.122-122
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2000
Magnesium oxide is thermodynamically very stable, has a low dielectric constant and a low refractive index, and has been widely used as substrate for growing various thin film materials, particulary oxides of the perovskite structure. There has been a considerable interest in integrating the physical properties of these oxides with semiconductor materials such as GaAs and Si. In this regard, it is considered very important to be able to grow MgO buffer layers epitaxially on the semiconductors. Various oxide films can then be grown on such buffer layers eliminating the need for using MgO single crystal substrates. Vapor phase epitaxy of magnesium oxide has been accomplished on Si(001) substrates in a high vacuum chamber using the single precursor methylmagnesium tert-butoxide in the temperature range 750-80$0^{\circ}C$. For the epitaxy of the MgO films, SiC buffer layers had to be grown on Si(001). The films were characterized by reflection high energy electron diffraction (RHEED) in situ in the growth chamber, and x-ray diffraction (XRD), x-ray pole figure analysis, scanning electron microscopy (SEM), and x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) after the growth.
This paper presents a study on the design of photovoltaic system with reversal tracking reflector. The reversal tracking reflector is conceptually designed by using TRIZ. The 20 to 30% of incident rays cannot produce the current and reflected back to the glass surface because of high refractive index of solar cell which are produced from Si, GaAs. The solution of this problem has been derived using 6SC(6 steps creativity)TRIZ. The reflector which has the actuator can be trackback the sun. Reversal tracking reflector which mounted on the top of the system prevents the shadowing loss and improve the efficiency of track back function. The anti-glare reflector prevents the heat due to the concentrated reflected light rays.
We have demonstrated a terahertz (THz) time-domain spectroscopy and imaging system using compact fiber-coupled THz modules. Using this THz spectroscopy system we have measured the absorption spectrum of water vapor in free space over 3 THz, as well as the refractive indices of various substrates such as Si, $Al_2O_3$, and GaAs using the transfer-function method. Through the THz imaging system we have observed a high-quality THz image of a medical knife and metal clip sample, with a resolution of $192{\times}89$ pixels using a step size of 250 ${\mu}m$.
We have obtained the optimum thickness of anti-reflection(AR) coating on one of facets of a $\1.55mu\textrm{m}$ InGaAsP MQW FP semiconductor laser by in-site monitoring of the light emitted from the rear facet during the film deposition on the fore facet. The optimum thickness of $SiO_x$ thin film whose refractive index is 1.85 was found to be 188 nm. The reflectivity of the coated facet was calculated by the threshold current ratio of before and after AR coating, which was obtained from exprimental data, and it was about 2$\times$$10^{-4}$. The results show that the output power is increased by 87% at bias current 60 mA, the slope efficiency is increased by 3.4 times, and the threshold current is increased by 2.64 times. By in-situ depositing of the $Si/SiO_2$ thin film HR coating on the rear facet, the output power was increased by 160% than before the AR and HR coatings, the slope efficiency was increased by 3.8 times, the threshold current was increased by 1.07 times, which is similar to the value of before AR coating. Due to the AR and HR coatings the output light power characteristics were enhanced.
Choi, Yong-Gyu;Lim, Dong-Sung;Kim, Kyong-Hon;Park, Se-Ho;Heo, Jong
Journal of the Korean Ceramic Society
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v.37
no.8
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pp.781-786
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2000
An Er-doped sulfide fiber was drawn, and its spectroscopic properties were analyzed. Compositions of a 1000 ppmwt Er3+-doped core and an undoped clad were Ge30-Ga1-Asg-S61 and Ge30-As8-S62, in at.%, respectively. Refractive index of the core composition was approximately 0.01 high than that of the clad. In order to enhance the mechanical stability as well as to prevent infiltration of impurity ions such as OH-, an UV-curable polymer was used for the coating. The optical loss of a fiber formed directly from a polymer coated core rod without cladding was ∼15 dB/m at 1.06$\mu\textrm{m}$. In the case of a fiber with core/clad structure, the optical loss was so high that the stimulated emission of erbium fluorescence was not evident. It is believed that presence of inhomogeneous core/clad interface and crystalline aggregates precipitated in the clad region were responsible for the high optical loss. On the other hand, fluorescence characteristics of Er3+ embedded in the core region were more or loss deteriorate compared to fiber preform, which is attributed to the redistribution of the Er ions along with the partial crystallization of the core glass during the fiberization process.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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