We have investigated the effect of forming gas annealing for Upgraded Metallurgical Grade (UMG)-silicon solar cell in order to obtain low-cost high-efficiency cell using post deposition anneal at a relatively low temperature. We have observed that high concentration hydrogenation effectively passivated the defects and improved the minority carrier lifetime, series resistance and conversion efficiency. It can be attributed to significantly improved hydrogen-passivation in high concentration hydrogen process. This improvement can be explained by the enhanced passivation of silicon solar cell with antireflection layer due to hydrogen re-incorporation. The results of this experiment represent a promising guideline for improving the high-efficiency solar cells by introducing an easy and low cost process of post hydrogenation in optimized condition.
To guarantee more exact maximum power of solar cell module, it is absolutely required to have performance characteristics of various solar cells. Today, there are many types of solar simulator for large area measurement. But it is very opaque how to select the best one for various solar cell module like crystalline silicon solar cell, high efficiency solar cell, amorphous silicon thin film solar cell, CdTe and CIGS solar cell module. So, in this paper 4 types of photovoltaic module were selected to compare the electrical characteristics by changing light pulse duration time and voltage scan direction. Light pulse duration time was varied from 10msec to 800msec. And two types of voltage scan directions, Voc->Isc and Isc->Voc were selected. From this results, optimum measuring condition was suggested and electrical variation was analysed for each types of solar cell module. The detail description is specified as the following paper.
Transparent conducting oxide (TCO) films have been widely used in optoelectronic devices, such as OLEDs, TFTs, and solar cells. However, thin films of indium tin oxide (ITO) have few disadvantages pertaining to process parameters such as substrate temperature and sputtering power. In this study, we investigated the requirements for using TCO films in silicon-based solar cells and the best alternative TCO materials to improve their efficiency. Moreover, we discussed the current status of high-efficiency solar cells using low-temperature TCO films such as indium zinc oxide and Zr-doped indium oxide.
In this work, we conducted a study on cell strings of high efficiency and high power solar cell modules via simulation. In contrast to the conventional module manufacturing method, the simulation was performed by connecting cutting cells divided into four parts from 6-in size using the electrically conductive adhesive (ECA). The resistance of the ECA added in series connection was extracted using an experimental method. This resistance was found to be $3m{\Omega}$. Based on this simulation, we verified the change in efficiency of the string as a function of the number of cutting cell connections. Consequently, the cutting cell efficiency of the first 20.08% was significantly increased to 20.63% until the fifth connection; however, for further connections, it was confirmed that the efficiency was saturated to 20.8%. Connecting cutting cells using ECA improves the efficiency of the string; therefore, it is expected that it will be possible to fabricate modules with high efficiency and high power.
Lee, Da Jung;Yun, Sun Jin;Lee, Seong Hyun;Lim, Jung Wook
ETRI Journal
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제35권4호
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pp.730-733
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2013
In this work, buffer layers with various conditions are inserted at an n/i interface in hydrogenated amorphous silicon semitransparent solar cells. It is observed that the performance of a solar cell strongly depends on the arrangement and thickness of the buffer layer. When arranging buffer layers with various bandgaps in ascending order from the intrinsic layer to the n layer, a relatively high open circuit voltage and short circuit current are observed. In addition, the fill factors are improved, owing to an enhanced shunt resistance under every instance of the introduced n/i buffer layers. Among the various conditions during the arrangement of the buffer layers, a reverse V shape of the energy bandgap is found to be the most effective for high efficiency, which also exhibits intermediate transmittance among all samples. This is an inspiring result, enabling an independent control of the conversion efficiency and transmittance.
Si 태양전지의 효율 개선을 위해 textured 표면을 갖는 에피텍셜 베이스 전지(TSEB)를 제작하고 이의 전기광학적 특성을 조사하였다. 제작된 전지는 AM-1 100 mW/$cm^2$ 입사광 아래에서 개방전압이 0.62 V로, 단락전류가 40 mA로, 충실도가 0.7, 전력변환 효율이 16%로 나타났다. 본 연구에서 제안된 전지는 $P^-/P^+$ 에피구조에 의한 광흡수 영역에서 캐리어의 드리프트 이동과 효과적 배면전계의 형성, 그리고 buried contact을 통한 낮은 직렬저항 등으로 인해 고효율 Si 태양전지의 제작에 적합한 구조로 판단된다.
In high-efficiency crystalline silicon solar cells, If high-efficiency solar cells are to be commercialized. It is need to develop superior contact formation method and material that can be inexpensive and simple without degradation of the solar cells ability. For reason of plated metallic contact is not only high metallic purity but also inexpensive manufacture. It is available to apply mass production. Especially, Nickel, Copper and Silver are applied widely in various electronic manufactures as easily formation is available by plating. The metallic contact system of silicon solar cell must have several properties, such as low contact resistance, easy application and good adhesion. Ni is shown to be a suitable barrier to Cu diffusion as well as desirable contact metal to silicon. Nickel monosilicide(NiSi) has been suggested as a suitable silicide due to its lower resistivity, lower sintering temperature and lower layer stress than $TiSi_2$. Copper and Silver can be plated by electro & light-induced plating method. Light-induced plating makes use the photovoltaic effect of solar cell to deposite the metal on the front contact. The cell is immersed into the electrolytic plating bath and irradiated at the front side by light source, which leads to a current density in the front side grid. Electroless plated Ni/ Electro&light-induced plated Cu/ Light-induced plated Ag contact solar cells result in an energy conversion efficiency of 14.68 % on $0.2{\sim}0.6{\Omega}{\cdot}cm,\;20{\times}20mm^2$, CZ(Czochralski) wafer.
We investigated grain boundary effect for terrestrial applications of solar cell\ulcorner with low cost, large area, and high efficiency. Grain boundaries are known as potential barriers and recombination centers for the photo-generated charge carriers, which make it difficult to achieve a high efficiency cell. To reduce these effects of grain boundaries, we investigated various influencing factors such as thermal treatments, various grid patterns, selective wet etchings for grain boundaries, buried contact metallizations along grain boundaries, and use of metallic thin films. From the various grid patterns we learned that the series resistance of solar cell reduced open circuit voltage and consequently decreased the cell efficiency. This paper describes the effect of various grid patterns and the employment of metallic thin films for a top electrode.
세계적으로 석유자원의 고갈로 대체 에너지 중에서도 태양전지는 가장 주목받는 기술 중에 하나이며, 크게 무기물 태양전지와 유기태양전지로 구분된다. 그 중에서 유기태양전지의 변환효율은 무기물 태양전지에 상당히 미치지 못하지만, 제작공정의 비용이 낮고, 투명하고 다양한 색을 낼 수 있으며, 유연성을 띠는 장점으로 인하여 무기물 태양전지가 사용될 수 없는 시장을 중심으로 저비용 제품으로 사용될 가능성이 높아지고 있다. 현재 유기태양전지의 효율, 수명, 그리고, 안정성이 태양전지의 보급화에 중요한 이슈이며, 다양한 연구가 진행되고 있다. 본 글은 유기태양전지의 기술적 원리, 현재 개발 동향 및 이슈, 그리고 발전 방향에 대하여 정리하였다.
Numerical simulation is a good way to predict the conversion efficiency of solar cells without a direct experimentation and to achieve low cost and high efficiency through optimizing each step of solar cell fabrication. TOPCon industrial solar cells fabricated with n-type silicon wafers on a larger area have achieved a higher efficiency than p-type TOPCon solar cells. Electrical and optical losses of the front surface are the main factors limiting the efficiency of the solar cell. In this work, an optimization of boron-doped emitter surface and front electrodes through numerical simulation using "Griddler" is reported. Through the analysis of the results of simulation, it was confirmed that the emitter sheet resistance of 150 Ω/sq along the front electrodes having a finger width of 20 ㎛, and the number of finger lines ~130 for silicon wafer of M6 size is an optimized technology for the front emitter surface of the n-type TOPCon solar cells that can be developed.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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