$SnO_2$ thin films were prepared on the Si substrate by radio frequency (RF) magnetron sputtering and then surface of the films were irradiated with intense Ar ion beam to investigate the effect of Ar ion irradiation on the properties and hydrogen gas sensitivity of the films. From atomic force microscope observation, it is supposed that intense Ar bombardments promote rough surface and increase gas sensitivity of $SnO_2$ films for hydrogen gas. The films that Ar ion beam irradiated at 6 keV show the higher sensitivity than the films were irradiated at 3 keV and 9 keV. These results suggest that the $SnO_2$ thin films irradiated with optimized Ar ion beam are promising for practical high-performance hydrogen gas sensors.
Yoon, Na-Young;Yoon, Se-Young;Kim, Yong-Ho;Yoon, Ji-Won;Jin, Ho;Seon, Jong-Ho;Chae, Kyu-Sung;Lee, Dong-Hun;Lin, Robert P.
Journal of Astronomy and Space Sciences
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제29권1호
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pp.33-40
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2012
Triplet Ionospheric Observatory (TRIO) CubeSatforIon, Neutral, Electron MAgneticfields (CINEMA) is a CubeSat with the weight 3 kg that will be operated in the orbit conditions of about 800 km altitude and $90^{\circ}$ inclination angle, using the S-band and ultra-high frequency (UHF)-band communication frequencies. Regarding the communication antenna loaded on the satellite, the two patch antennas has the downlink function in the S-band, whereas the two whip antennas has the function to receive the command sent by the ground station to the satellite in the UHF-band. The uplink ground station that communicates through the UHF-band with the CINEMA satellite was established at Kyung Hee University. The system is mainly composed of a terminal node controller, a transceiver, and a helical antenna. The gain of the helical antenna established at the Kyung Hee University ground station was 9.8 dBi. The output of the transceiver was set to be 5 W (6.9 dB) for the communication test. Through the far-field test of the established system, it was verified that the Roman characters, figures and symbols were converted into packets and transmitted to the satellite receiver in the communication speed of 9,600 bps.
현재 높은 인식성능을 보이고 있는 대용량의 음성인식 시스템의 대부분은 고립단어 음성인식 시스템이다. 이러한 시스템의 인식범위를 늘리기 위해서는 검색하려는 단어수를 늘려야한다. 하지만 검색하려는 단어수가 늘어남에 따라 시스템의 속도 및 인식 성능이 저하되는 문제점이 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위해 본 논문에서는 스마트 흠 환경에서 음성인식 성능에 영향을 주는 상황정보를 정의하고 관성 센서와 RFID(Radio Frequency Identification)를 사용한 사용자 위치 추정 방법을 제안한다. 또한 음성인식시스템의 상황정보에 의한 단어모델 도메인을 구축하여 기존의 시스템보다 높은 성능을 보이는 음성인식 시스템을 개발한다. 스마트 흠 환경에서 본 연구에서 제안된 음성 인식 시스템이 인식률의 저하 없이 동작하는 것을 확인하였다.
국제해상기구는 국제해상인명안전협약을 통해 국제항해 선박에 대하여 AIS와 VHF를 의무화하고, 국내 또한 선박안전법과 선박설비기술기준을 통해 특정 선박에 의무화 하고 있다. 그러나 다양한 통신장비 및 복잡한 사용법으로 인해 오동작이 발생하고 실제 구조신호에 대한 응답지연으로 인하여 인명사고가 발생하는 경우가 많다. 그래서 최근 해상통신장치는 국제해상안전조난시스템 현대화의 일환으로 차세대 해상통신시스템 구축을 위해 여러 종류의 해상통신시스템을 연동 및 통합하려는 시도가 이루어지고 있다. 본 논문에서는 AIS와 VHF의 연동 및 통합을 통한 DSC 기능을 구현하는 기법에 대하여 기술하였다. AIS에서 선박의 정보를 추출하고 VHF의 DSC 기능에 활용할 수 있는 데이터의 연동 알고리즘을 통해 향 후 국내기술기준 및 표준화를 달성하기위한 근거를 제시하고자 한다.
정보 검색서비스 모델 도출 영역에서는 정보 검색시스템을 각 센서 네트워크의 서비스로의 추상화를 기반으로 동적으로 필요한 센서 네트워크 서비스의 검색서비스로 제공하는 시스템으로 정의하였다. 이어 효율적인 정보 검색서비스의 요구사항을 정의하였으며 이러한 요구사항을 만족시킬 수 있는 성능 분석 모델을 개발하였으며 마지막으로 효과적인 설계 공간을 도출하였다. USN 기술 현황 분석 영역에서는 USN 시스템 기술, USN 네트워킹 기술, 그리고 USN 미들웨어 및 서비스플랫폼 부문으로 분류한 후 각 기술부분별로 세부기술에 대하여 국내외 대표적인 기술개발의 내용과 현황을 조사. 분석 결과를 제시한다. 이러한 기술 분석의 결과를 바탕으로 USN 소프트웨어 모델 도출 영역에서는 센서 네트워크의 센싱, 데이터 저장, 데이터 네이밍, 네임서비스 부문에 대하여 모델을 도출한다. 이러한 모델 도출은 USN 하드웨어 및 소프트웨어의 참조 모델을 제시한다. 정보 검색서비스 아키텍처 프레임워크 개발 영역에서는 입력 쿼리 명세, Lookup, 분산 레졸루션을 위한 성능확장성 측면에서 효과적인 시스템 구축 프레임워크로 DNS 기반 정보 검색서비스 아키텍처와 DHT 기반 정보 검색서비스 아키텍처 프레임워크를 제시하였다.
Reduced pressure chemical vapor deposition technology has been used to study SiGe heterostructure epitaxy and device issues, including SiGe relaxed buffers, proper control of Ge component and crystalline defects, two dimensional delta doping, and their influence on electrical properties of devices. From experiments, 2D profiles of B and P presented FWHM of 5 nm and 20 nm, respectively, and doses in 5×10/sup 11/ ∼ 3×10/sup 14/ ㎝/sup -2/ range. The results could be employed to fabricate SiGe/Si heterostructure field effect transistors with both Schottky contact and MOS structure for gate electrodes. I-V characteristics of 2D P-doped HFETs revealed normal behavior except the detrimental effect of crystalline defects created at SiGe/Si interfaces due to stress relaxation. On the contrary, sharp B-doping technology resulted in significant improvement in DC performance by 20-30 % in transconductance and short channel effect of SiGe HMOS. High peak concentration and mobility in 2D-doped SiGe heterostructures accompanied by remarkable improvements of electrical property illustrate feasible use for nano-sale FETs and integrated circuits for radio frequency wireless communication in particular.
유비쿼터스 컴퓨팅 환경을 실현하기 위한 핵심 기술로 자동화된 개체 식별, 분산 컴퓨팅 기술 등의 연구가 다양한 분야에서 이루어 지고 있다. 라디오 주파수를 이용해서 개체를 식별하는 RFID 기술은 EPCglobal에서 표준을 제시하고 있고 EPC Network를 기반으로 구축된 인프라를 바탕으로 응용 시스템을 개발하고자 하는 경우, RFID 미들웨어로부터 대규모의 EPC정보를 처리해야 하고, EPC를 기반으로 EPC와 관련된 고유 정보와 이력 정보를 수집해야 한다. 또한 정보획득 및 가공에 관한 인과관계 처리가 분명히 이루어져야 하고, 비즈니스 룰에 따른 이벤트의 발생 조건에 관한 처리를 고려하여야 한다. 본 논문에서는 EPC Network 기반에서 응용 시스템 개발을 지원하기 위해 비즈니스 서비스를 제공하는 미들웨어 플랫폼을 제시하고 이에 관한 효용성을 검증한다. 비즈니스 서비스란 추가적인 정보 획득이나 가공 과정 없이 응용 시스템에서 바로 이용이 가능한 이벤트를 전달하는 서비스를 의미한다. 미들웨어 플랫폼에서는 정보 획득, 정보 가공 과정을 지원하며, 또한 비즈니스 룰 처리를 지원한다. 미들웨어 플랫폼은 비즈니스 서비스를 기반으로 응용 시스템의 빠른 개발을 가능하게 하고, 유지보수를 용이하게 한다.
정상 세포로부터 암과 같은 종양세포를 제거하는 방법으로 라디오주파수의 전자파를 이용하여 세포가 사멸되는 임계온도보다 높은 온도로 국소 가열하는 발열 치료법이 임상에서 시술되고 있다. 그러나 이 기술은 임상에서 활발히 사용되기에는 여러 가지 제약 요인이 존재한다. 본 연구에서는 교류파 대신에 미소 직류전원을 사용하여 국소부위에 열을 발생하는 안전성이 증가된 방법의 실효성을 이론적으로 입증하고자 한다. 종양세포의 형태에 따라 적당한 모양의 전극을 종양조직에 삽입하고 종양조직의 형태와 유사한 열분포를 갖도록 제어하는 기술을 개발한다. 열원은 조직 내에 삽입된 전극과 매질에 형성되는 전기장에 의한 저항열이다. 종양 조직 내에 삽입된 전극에 10 V, 20 V, 30 V를 각각 인가하고 시간에 따른 열분포를 전산모의 하였다. 결과적으로, 20 V를 전극에 인가하면 1~2 분 이내에 버섯모양의 등온도 분포를 갖으며 세포를 고사시키는 온도 이상의 치료영역이 형성됨을 보였다. 4개의 전극에 대칭적인 전위를 인가하고 $50^{\circ}C$ 이상의 온도 분포를 암 조직의 모양과 유사하게 분포하도록 조절하여 효과적인 치료를 수행 할 수 있는 가능성을 제시하고자 한다.
SiC 결정은 전력반도체 소자용 소재로서 지금까지 외국은 물론 국내에서도 많은 연구가 이루어지고 있으며, 지금까지 고주파 유도가열 방식을 이용한 승화법으로 성장되어 왔다. 그러나, SiC 단결정은 결정 성장 계면에서의 온도 안정성에 따라 쉽게 다른 다형으로 성장하기 때문에, 고품질의 결정을 얻기 위해서는 결정성장 계면에서의 안정적인 온도 구배가 필요하다. 본 논문에서는 저항가열 방식을 이용한 승화법 성장 장치를 이용하여 종자결정을 사용하지 않은 상태에서 SIC 다결정상을 성장하여 보고, 성장 양상에 대하여 고찰하고자 하였다. SiC 다결정상은 성장속도 0.02~0.5 mm/hr로 성장되었으며, 성장된 SiC 다결정상의 두께는 0.25 mm~0.5 mm이고, 이 때 도가니 하부의 온도는 $2100{\sim}2300^{\circ}C$, 성장 압력은 10~760 torr의 범위에서 조절되었다. 성장된 다결정상 결정은 광학현미경으로 관찰하여, 성장 거동을 고찰하였다.
본 연구에서는 낮은 비용과 간단한 공정의 장점을 가지고 있는 저온수열합성법을 이용하여 r-plane (1-102) sapphire 기판 위에 non-polar a-plane ZnO 박막을 성장하였다. 일반적으로 nanorod 형태의 ZnO를 성장시키는 특성을 보이는 Hexamethylenetetramine (HMT)와 2D layer 형태의 ZnO를 성장특성을 보이는 것으로 알려진 sodium citrate, 두 가지 전구체를 동시에 첨가하여 성장 하였을 때 몰 농도의 변화에 따른 ZnO 성장 특성을 비교해 보았다. ZnO 구조체의 형태와 특성 변화에 대하여 field emission scanning electron microscope (FE-SEM), high resolution X-ray diffraction(HRXRD)을 이용하여 분석을 진행하였다. 결과적으로, 두 가지의 용액의 특정 몰 농도일 때 r-plane (1-102) sapphire 기판 위에서 non polar a-plane (11-20) ZnO 구조체가 성장 될 수 있음을 확인 하였다. 이는 첨가제 조건에 의하여 c축 성장을 억제시키고, 측면 성장을 촉진시키는 반응에 의한 것으로 생각된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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