• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2009년도 제40회 하계학술대회
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• pp.1559_1560
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• 2009

본 논문은 고출력 전자파인 HPM(High Power microwave)에 대해서 아날로그 스위치 칩이 어떠한 영향을 받는지를 규명하는데 목적이 있다. 이때 아날로그 스위치 칩은 기판위에서 동작시키면서 분석하였다. 아날로그 스위치를 on/off 시키면서 정상동작 할 때의 입력과 출력을 시간영역에서 분석한 후에 외부에서 고출력 마이크로파를 입사시켜 주었다. 칩이 고출력 마이크로파에 직접노출 되었을 때의 입력과 출력을 시간영역에서 분석하고 정상동작할 때의 입력, 출력과 비교분석하였다. 이는 고출력 전자파가 외부전자장비에 입사되어졌을 때, 외부전자장비가 영향을 받아 오작동을 한다는 것을 규명한다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제17권5호
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• pp.476-482
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• 2006

본 논문에서는 초고출력 안테나 시스템의 급전용 다중 모드 혼 안테나를 제안한다. 제안된 초고출력용 급전 혼 안테나는 모드 변환기와 연결되며, 전원부와 반사판 안테나의 사이에 위치한다. 초고출력 시스템의 경우 급전 안테나의 spillover를 고려한 -25 dB 빔 폭이 반사판 안테나의 크기를 결정하므로 반사판 안테나의 소형화를 위해 -25 dB 빔 폭을 줄인 급전용 다중 모드 혼 안테나를 설계 및 제작하였다. 그 결과 제안된 다중 모드 혼 안테나를 이용한 급전 시스템의 이득은 27 dBi이며 반사 손실은 10 GHz에서 -22 dB 이하의 값이 측정되었다. 또한 -25 dB 범 폭은 수직 평면과 수평 평면에서 각각 $20.24^{\circ}$와 $28.92^{\circ}$로 측정되었고 이는 기존의 혼 안테나를 이용한 급전 시스템의 빔 폭보다 약 $10^{\circ}$가량 작은 값으로, 제안된 혼 안테나는 초고출력 안테나 시스템 소형화에 적합한 형태임을 확인하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2008년도 제39회 하계학술대회
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• pp.1432-1433
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• 2008

Disruption and upset of computer system from intentional unintentional electromagnetic wave is not tenable, if the equipment is used in a security or safety critical application. This paper examines susceptibility of computer network to the HPM. The susceptibility level for PC-systems has been assessed using anechoic chamber. The some failure mode were observed in PC-system. Based on the results, susceptibility of computer network can be applied to database to elucidate the effects of microwaves on electronic equipment.

• 한국전자파학회논문지
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• 제19권6호
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• pp.597-602
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• 2008

본 논문은 고출력 전자파에 따른 CMOS IC 소자의 피해 효과와 회복 시간을 알아보았다. 고출력 전자파 발생 장치는 마그네트론을 사용하였고, CMOS 인버터의 오동작/부동작 판별법은 유관 식별이 가능한 LED 회로로 구성하였다. 그리고 고출력 전자파에 의해 오동작된 CMOS 인버터의 전원 전류와 회복 시간을 관찰하였다. 그 결과, 전계 강도가 약 9.9 kV/m에서의 전원 전류는 정상 전류의 2.14배가 증가하였다. 이는 래치업에 의한 CMOS 인버터가 오작동된 것을 확인할 수 있었다. 또한, COMS 인버터의 파괴는 컴포넌트, 온칩와이어, 그리고 본딩 와이어에서 다른 형태로 관찰하였다 위 실험 결과로, 전자 장비의 고출력 전자파 장해에 대한 이해를 돕는데 기초 자료로 활용될 것으로 예측된다.

• 한국전자파학회지:전자파기술
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• 제11권4호
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• pp.26-38
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• 2000

전파 방해장치(jammer)의 핵심 부품이라 할 수 있는 광대역 고출력 증폭기는 초소형화, 초고주파화 및 초고출려고하하는 다양성을 각각 다른 형태의 증폭장치에서 실현하고 있다. 이 논문에서는 먼저 진공 고출력 증폭기를 반도체 증폭기와 비교하며 각각의 영향권에서 대해 비교하였다. 본론에서는 첫째로 초소형화되어가는 광대역 TWT와 MMIC와 같은 반도체소자와 연합하여 효율이 높은 초소형 고출력(>100W CW) 증폭기의 혁신을 일으키는 MPM(Microwave Power Module)을 소개하였고 둘째로는 고출력(>kW)으로 초고주파화(밀리미터파) 되어가는 Gyro-TWT를 소개하였다. 세째로 원리적으로는 현재 무기체계의 전면적인 수정을 불가피하게 할지 모르는 초고출력화(>GW) 되어가는 HPM(High Power Microwaves)이 소개되었다. 마지막으로 한국에서의 고출력 증폭기에 관련된 연구개발 상황과 TWT국산화에 대한 현황이 소개되었다.

• 전기전자학회논문지
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• 제16권3호
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• pp.217-223
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• 2012

본 논문은 트리거 시간을 조절하여 펄스 성형이 가능한 150 MW 펄스 파워 시스템의 설계와 동작특성을 알아보았다. 이 시스템은 2개의 커패시터 뱅크 모듈로 구성되어 있고, 각 커패시터 뱅크 모듈은 병렬로 연결되어 있다. 그리고 커패시터 뱅크 모듈은 메인스위치, 커패시터, 에너지 덤프회로, 크로바 회로, 펄스 성형 인덕터로 구성되어 있다. 또한 이 시스템의 모듈 선택과 트리거 시간은 트리거 제어부에서 조정된다. Pspice 시뮬레이션은 실험회로의 결과를 예측하고, 시스템의 구성품의 파라미터를 결정하기 위한 것으로 사용하였다. 실험 결과, 시뮬레이션은 실험결과와 잘 일치하였다. 출력 전류의 펄스폭은 커패시터 뱅크 모듈에서의 순간적 점화 시간 제어로 300~650 us의 펄스폭이 형성되었다. 그리고 최대 전류값은 2개의 커패시터 뱅크 모듈이 동시에 트리거 되었을 때 약 40 kA 정도이다. 이 150 MW 펄스 파워 시스템은 파암 전원, Rail Gun, Coil Gun, 나노분말 제조, HPM 등과 같은 대전류 펄스 파워 시스템에 적용할 수 있다.