• 제목/요약/키워드: High PAE

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적응형 바이어스 조절 회로를 사용한 무선에너지 전송용 고효율 전력증폭기 (High PAE Power Amplifier Using Adaptive Bias Control Circuit for Wireless Power Transmission)

  • 황현욱;서철헌
    • 전자공학회논문지
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    • 제49권10호
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    • pp.43-46
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    • 2012
  • 본 논문에서는 구동 증폭기와 Class-E 전력증폭기를 결합하여 높은 효율의 고이득 이단 전력증폭기를 구현하였다. 고효율 이단 Class-E 전력증폭기의 입력 단에 적응형 바이어스 조절 회로를 적용하여 낮은 입력 전력의 전력효율을 개선하였다. 최대출력인 40 dBm에서 고정 바이어스 전력증폭기와 적응형 바이어스 증폭기 둘 다 약 76 %의 효율을 갖는다. 하지만 적응형 바이어스 조절 회로가 적용된 전력증폭기의 입력전력 6dBm 인가했을 때 효율은 약 70 %이고 고정된 바이어스 입력시에 효율은 약 50 %이다. 바이어스 조절을 통해 낮은 입력에서 높은 효율을 갖는 회로를 설계하였다.

고 출력 고 이득 2단 도허티 전력증폭기의 설계 (Design of a High Power and High Gain Two-Stage Doherty Power Amplifier)

  • 김재곤;김지연;이동헌;김종헌
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제17권11호
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    • pp.1030-1039
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    • 2006
  • 본 논문에서는 최종단에 내장된 구동 증폭기를 사용하여 높은 이득을 갖는 고 출력 고 이득 도허티 전력 증폭기를 설계하였다. 2단 도허티 증폭기의 동작 특성을 2단 피킹 증폭기의 게이트 바이어스에 관한 함수로서 해석하였다. 구동단과 최종단은 각각 single-ended MRF21045 2개와 single push-pull packaged MRF21180 1개를 사용하여 제작하였다. 본 논문에서 구현된 2단 도허티 증폭기는 평균 출력 전력 15 W에서 27 dB의 이득과 23 %의 전력 부가 효율을 가진다.

Design of a Highly Efficient Broadband Class-E Power Amplifier with a Low Q Series Resonance

  • Ninh, Dang-Duy;Nam, Ha-Van;Kim, Hyoungjun;Seo, Chulhun
    • Journal of electromagnetic engineering and science
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    • 제16권3호
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    • pp.143-149
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    • 2016
  • This work presents a method used for designing a broadband class-E power amplifier that combines the two techniques of a nonlinear shunt capacitance and a low quality factor of a series resonator. The nonlinear shunt capacitance theory accurately extracts the value of class-E components. In addition, the quality factor of the series resonator was considered to obtain a wide bandwidth for the power amplifiers. The purpose of using this method was to produce a simple topology and a high efficiency, which are two outstanding features of a class-E power amplifier. The experimental results show that a design was created using from a 130 to 180 MHz frequency with a bandwidth of 32% and a peak measured power added efficiency of 84.8%. This prototype uses an MRF282SR1 MOSFET transistor at a 3-W output power level. Furthermore, a summary of the experimental results compared with other high-efficiency articles is provided to validate the advantages of this method.

X-대역 12-W 급 고출력증폭기 MMIC 개발 (Development of A X-band 12 W High Power Amplifier MMIC)

  • 장동필;노윤섭;이정원;안기범;엄만석;염인복;나형기;안창수;김선주
    • 한국군사과학기술학회지
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    • 제12권4호
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    • pp.446-451
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    • 2009
  • In this paper, we described the design and test results of a high output power amplifier MMIC developed by using 0.5um power pHEMT processes on a 6-inch GaAs wafer for the X-band T/R module application. In the MMIC design, we have used a simple on-chip gate active bias technology to compensate the threshold-voltage variation of pHEMT during the fabrication process and 16-to-1 power combining method to achieve the output power over 10watt. The fabricated chip has an output power over 12watts and maximum PAE of 32% over the frequency range of fo +/-750MHz.

400MHz 대역의 주파수 적응형 고효율 Class-E 증폭기 (Frequency Adaptive High Efficiency Class-E Amplifier in 400 MHz Range)

  • 류재현;손강호;김영;윤영철
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국해양정보통신학회 2010년도 춘계학술대회
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    • pp.673-675
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    • 2010
  • 본 논문은 400 MHz 대역 시스템에 적용할 수 있는 고 효율을 유지하는 적응형 E급 증폭기를 제안하였다. 이 증폭기는 입력 주파수 변화에 공진기 주파수가 적응되도록 마이크로프로세서를 사용하여 고 효율을 유지하도록 하였다. 이러한 적응형 E급 증폭기의 동작을 보이기 위해서 중심 주파수는 450 MHz 이고, 대역폭은 100 MHz인 증폭기를 제작하여 이 주파수 구간에서는 60% 이상의 효율을 유지하였고, 최대 효율은 74.8%를 얻었다.

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온도변화에 따른 폴리머 시멘트 모르타르의 잔존압축강도 특성에 관한 실험적 연구 (An Experimental Study on the Residual Compressive Strength of PCM Depending on Temperature Variations)

  • 서동구;구인혁;윤웅기;김봉찬;김형준;권영진
    • 한국건축시공학회지
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    • 제15권5호
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    • pp.483-489
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    • 2015
  • 본 연구는 고온영역에 있어서 PCM의 역학특성의 기초적인 자료를 구축하는 것을 목적으로, 정온가열에 따른 온도별(100, 200, 400, $600^{\circ}C$) 잔존압축강도 특성에 대하여 실험하였다. 화재피해 이후의 특성을 살펴보기 위해 냉간시험을 실시하였으며 그 결과, PCM의 잔존압축강도는 폴리머의 종류에 관계없이 모두 감소하는 경향이 나타났다. 또한 함유량이 많을수록 $400^{\circ}C$의 고온영역부터 크게 감소하는 특성을 보였으며, PAE가 함유된 시험체가 EVA가 함유된 시험체보다 압축강도 기울기가 크게 나타나는 것을 확인하였다. 하지만 현재 PCM의 고온에 따른 역학적특성에 관한 연구는 상당히 미흡하기 때문에 본 연구와 더불어 보수방법 등에 대한 기초적인 연구가 반드시 선행되어야 할 것으로 판단된다.

색소-계면활성제 상호작용에 관한 흡수분장학적 연구 (Absorption Spectroscopical Studies on the dye-surfactant interactions)

  • 박노윤;이홍;배현옥
    • 대한화장품학회지
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    • 제17권1호
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    • pp.18-28
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    • 1991
  • Spectral behaviors of cationic dye, crystal violet(CV), in aqueous solution and with varying concentrations of Triton X-100(TX-100), sodium dodecylsulfate (SDS) and cetyl trimethyl amonium bromide(CTAB) were studied. The characteristic changes of the absorption spectra observed in the dye-SDS interacting systems with the SDS concentration are analyzed. The behaviors of both a- and J-bands of the each componet dye suggest that the following four sequential steps are occurring : the formation of dye-SDS complex, the stacking of the dye molecules arising from the association of the dye-SDS complex, breaking of the dye stacking due to the formation of micelles, redistribution of the dye molecules in the surface of micelles at high SDS concentration.

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Heme Oxygenase-1 : Its Therapeutic Roles in Inflammatory Diseases

  • Pae, Hyun-Ock;Chung, Hun-Taeg
    • IMMUNE NETWORK
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    • 제9권1호
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    • pp.12-19
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    • 2009
  • Heme oxygenase (HO)-1 is an inducible enzyme that catalyzes the first and rate-limiting step in the oxidative degradation of free heme into ferrous iron, carbon monoxide (CO), and biliverdin (BV), the latter being subsequently converted into bilirubin (BR). HO-1, once expressed during inflammation, forms high concentrations of its enzymatic by-products that can influence various biological events, and this expression is proven to be associated with the resolution of inflammation. The degradation of heme by HO-1 itself, the signaling actions of CO, the antioxidant properties of BV/BR, and the sequestration of ferrous iron by ferritin all concertedly contribute to the anti-inflammatory effects of HO-1. This review focuses on the anti-inflammatory mechanisms of HO-1 actions and its roles in inflammatory diseases.

무선 통신을 위한 고효율 CMOS 전력 증폭기 (High efficiency CMOS power amplifier for wireless applications)

  • 유창식
    • 한국통신학회논문지
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    • 제26권10B호
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    • pp.1475-1481
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    • 2001
  • 무선 통신을 위한 전력 증폭기를 0.25$\mu\textrm{m}$ CMOS 공정으로 구현하였다. 전력 효율을 증가시키기 위하여 class-E 구조를 사용하여 soft-switching 특성을 활용하였다. Class-E 부하 회로의 DC-feed 인덕터는 유한한 값을 갖도록 하여 RF-choke을 사용하는 경우에 비해 동일한 전력과 공급 전압에 대해 필요로 하는 부하 저항의 크기를 증가시킴으로써 전력 효율을 더욱 증가시킬 수 있었다. 또한 common-gate switching 방법을 사용하여 기존의 switching 방법에 비해 허용되는 공급 전압의 크기를 두배 정도 증가시킬 수 있도록 하였다. 이러한 기법을 사용함으로써 900MHz의 주파수에서 공급 전압이 1.8V일 때 트랜지스터에 아무런 전압 stress를 가하지 않고 0.9W의 전력을 41%의 효율(power added efficiency, PAE)을 가지면서 50Ω 부하에 전달함을 확인하였다.

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A 4W GaAs Power Amplifier MMIC for Ku-band Satellite Communication Applications

  • Ryu, Keun-Kwan;Ahn, Ki-Burm;Kim, Sung-Chan
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제15권4호
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    • pp.501-505
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    • 2015
  • In this paper, we demonstrated a 4W power amplifier monolithic microwave integrated circuit (MMIC) for Ku-band satellite communication applications. The used device technology relies on $0.25{\mu}m$ GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor (PHEMT) process. The 4W power amplifier MMIC has linear gain of over 30 dB and saturated output power of over 36.1 dBm in the frequency range of 13.75 GHz ~ 14.5 GHz. Power added efficiency (PAE) is over 30 %.